磁头及磁记录装置制造方法及图纸

技术编号:31725702 阅读:18 留言:0更新日期:2022-01-05 15:50
提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于第1磁极与第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第3磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第3磁性层之间的第2非磁性层及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。沿第2方向的第1磁极的第1磁极长度比沿第2方向的第2磁极的第2磁极长度短,第2方向相对于从第1磁性层向第2磁性层的第1方向垂直且沿第1磁极的介质对置面。沿第3方向的第1磁性层的长度比沿第3方向的第2磁性层的长度长,第3方向相对于第1方向垂直。第3方向相对于第1方向垂直。第3方向相对于第1方向垂直。

【技术实现步骤摘要】
磁头及磁记录装置
[0001]本申请以日本专利申请2020

113972(申请日:2020年7月1日)为基础,由该申请享受优先权。本申请通过参照该申请而包含该申请的全部内容。


[0002]本专利技术的实施方式涉及磁头及磁记录装置。

技术介绍

[0003]使用磁头向HDD(Hard Disk Drive,硬盘驱动器)等磁记录介质记录信息。在磁头及磁记录装置中,期望提高记录密度。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施方式提供能够提高记录密度的磁头及磁记录装置。
[0005]用于解决课题的手段
[0006]根据本专利技术的实施方式,磁头包括第1磁极、第2磁极、以及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体。所述层叠体包括第1磁性层、设置于所述第1磁性层与所述第2磁极之间的第2磁性层、设置于所述第2磁性层与所述第2磁极之间的第3磁性层、设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于所述第2磁性层与所述第3磁性层之间的第2非磁性层、以及设置于所述第1磁极与所述第1磁性层之间的第3非磁性层。沿着第2方向的所述第1磁极的第1磁极长度比沿着所述第2方向的所述第2磁极的第2磁极长度短,该第2方向相对于从所述第1磁性层向所述第2磁性层的第1方向垂直且沿着所述第1磁极的介质对置面。沿着第3方向的所述第1磁性层的第1磁性层长度比沿着所述第3方向的所述第2磁性层的第2磁性层长度长,该第3方向相对于所述第1方向垂直。根据上述构成的磁头,能够提供能提高记录密度的磁头及磁记录装置。
附图说明
[0007]图1的(a)及图1的(b)是例示第1实施方式的磁头的示意图。
[0008]图2是例示第1实施方式的磁记录装置的示意性剖视图。
[0009]图3是例示参考例的磁头的特性的图表(graph)。
[0010]图4的(a)及图4的(b)是例示磁头的示意性剖视图。
[0011]图5的(a)及图5的(b)是例示第1实施方式的磁头的示意图。
[0012]图6是例示第1实施方式的磁头的示意性剖视图。
[0013]图7是例示第1实施方式的磁头的示意性剖视图。
[0014]图8是例示第1实施方式的磁头的示意性俯视图。
[0015]图9是例示第1实施方式的磁头的示意性俯视图。
[0016]图10的(a)及图10的(b)是例示第2实施方式的磁头的示意图。
[0017]图11的(a)及图11的(b)是例示第2实施方式的磁头的示意图。
[0018]图12是例示第2实施方式的磁头的示意性剖视图。
[0019]图13是例示第2实施方式的磁头的示意性剖视图。
[0020]图14是例示第2实施方式的磁头的示意性俯视图。
[0021]图15是例示第2实施方式的磁头的示意性俯视图。
[0022]图16是例示参考例的磁头的示意性俯视图。
[0023]图17是例示磁头的特性的图表。
[0024]图18是例示磁头的特性的图表。
[0025]图19是例示实施方式的磁记录装置的示意性立体图。
[0026]图20是例示实施方式的磁记录装置的一部分的示意性立体图。
[0027]图21是例示实施方式的磁记录装置的示意性立体图。
[0028]图22的(a)及图22的(b)是例示实施方式的磁记录装置的一部分的示意性立体图。
[0029]【标号说明】
[0030]20

层叠体,20D

电路,21~23

第1磁性层~第3磁性层,21M、22M

磁化,25a~25c

磁性层,30D

记录回路,30F

介质对置面,30c

线圈,30i

绝缘部,31、32

第1磁极、第2磁极,31M、32M

磁场,33

屏蔽件,41~44

第1非磁性层~第4非磁性层,45a~45d

非磁性层,60

记录部,70

再现部,71

磁再现元件,72a、72b

第1再现磁屏蔽件、第2再现磁屏蔽件,80

磁记录介质,81

磁记录层,82

介质基板,83

磁化,85

介质移动方向,θ1

角度,110~115、118、119、120~125

磁头,150

磁记录装置,154

悬架,155

臂,156

音圈马达,157

轴承部,158

头万向节组件,159

头滑块,159A

空气流入侧,159B

空气流出侧,160

头堆叠组件,161

支承框,162

线圈,180

记录用介质盘,180M

主轴马达,181

记录介质,190

信号处理部,210

磁记录装置,AR、AR1

箭头,CF1、CF2

第1构成、第2构成,D1~D3

第1方向~第3方向,DX

位置,Iw

记录电流,Jc

电流密度,L21、L22

第1磁性层长度、第2磁性层长度,OS

振荡强度,SNR

SN比,T1、T2

第1端子、第2端子,W1、W2

第1布线、第2布线,WW

记录宽度,ic

电流,je

电子流,t21~t23

第1磁性层厚度~第3磁性层厚度,t41~t44

第1非磁性层厚度~第4非磁性层厚度,w1、w2

第1磁极长度、第2磁极长度
具体实施方式
[0031]以下,参照附图的同时,对本专利技术的各实施方式进行说明。
[0032]附图是示意性或概念性的,各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等,不一定与现实的相同。即便在表示相同部分的情况下,也存在根据附图而彼此的尺寸、比率表示得不同的情况。
[0033]在本申请说明书和各附图中,对于与关于已经出现的附图而在前描述的要素同样的要素,标注同一标号,适当省略详细的说明。
[0034](第1实施方式)<本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁头,具备:第1磁极;第2磁极;以及层叠体,设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间,所述层叠体包括:第1磁性层;第2磁性层,设置于所述第1磁性层与所述第2磁极之间;第3磁性层,设置于所述第2磁性层与所述第2磁极之间;第1非磁性层,设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间;第2非磁性层,设置于所述第2磁性层与所述第3磁性层之间;以及第3非磁性层,设置于所述第1磁极与所述第1磁性层之间,沿着第2方向的所述第1磁极的第1磁极长度比沿着所述第2方向的所述第2磁极的第2磁极长度短,该第2方向相对于从所述第1磁性层向所述第2磁性层的第1方向垂直且沿着所述第1磁极的介质对置面,沿着第3方向的所述第1磁性层的第1磁性层长度比沿着所述第3方向的所述第2磁性层的第2磁性层长度长,该第3方向相对于所述第1方向垂直。2.根据权利要求1所述的磁头,所述第3方向与所述第2方向交叉。3.根据权利要求2所述的磁头,所述第1方向相对于所述介质对置面倾斜。4.根据权利要求1所述的磁头,所述第3方向沿着所述第2方向。5.一种磁头,具备:第1磁极;第2磁极;以及层叠体,设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间,所述层叠体包括:第1磁性层;第2磁性层,设置于所述第1磁极与所述第1磁性层之间;第3磁性...

【专利技术属性】
技术研发人员:高岸雅幸成田直幸前田知幸永泽鹤美岩崎仁志首藤浩文
申请(专利权)人:东芝电子元件及存储装置株式会社
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1