半导体装置与其制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置与其制造方法，在部分实施例中，一种制造半导体装置的方法包含在第一介电质材料的第一区域中形成凹槽，此第一介电质材料至少部分地嵌入半导体区域中，此凹槽具有第一表面部分，此第一表面部分由一部份的第一介电质材料在第一方向上与半导体区域间隔开一定距离；在凹槽中沉积第二介电质材料，以形成与第一表面部分成倾斜角定向的第二表面部分；并在凹槽中沉积导电材料。在部分实施例中，此方法进一步包含将半导体区域部分地暴露在第一介电质材料的第二凹槽中，并且在第二凹槽中的第一介电质材料上而不是在半导体区域上选择性地沉积第二介电质材料。选择性地沉积第二介电质材料。选择性地沉积第二介电质材料。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置与其制造方法


[0001]本揭露的一些实施例是关于半导体装置与其制造方法。

技术介绍

[0002]本揭露总体上涉及半导体装置与其制造方法，并且更具体地涉及高密度集成电路(integrated circuit,IC)。
[0003]集成电路正在以愈来愈高的装置密度被设计和制造。为了获得更高密度的装置(例如，晶体管)，需要减小尺寸参数(例如，主动区域间距、触点间距、通孔件间距和金属间距)。随着这些的尺寸参数变小，被设计成彼此绝缘的电路元件被配置成更靠近彼此，并且由于制造制程的变化，它们彼此接触或比最小设计间隔更接近的可能性变得更高。这些因素可能导致良率下降。因此，目前正在努力地增加集成电路装置密度同时避免良率下降。

技术实现思路

[0004]本揭露的一些实施例的一种半导体装置包含第一导电或半导电区域、第二导电或半导电区域与介电质区域。介电质区域分隔第一导电或半导电区域和第二导电或半导电区域。第一导电或半导电区域和第二导电或半导电区域在第一方向上彼此重叠，并且在与第一方向成横向的第二方向上，第一导电或半导电区域和第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一第一导电或半导电区域；一第二导电或半导电区域；以及一介电质区域，分隔该第一导电或半导电区域和该第二导电或半导电区域，其中该第一导电或半导电区域和该第二导电或半导电区域在一第一方向上彼此重叠，并且在与该第一方向成横向的一第二方向上，该第一导电或半导电区域和该第二导电或半导电区域之间的一距离沿着该第一方向变化。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一导电或半导电区域包含一晶体管的一源极或漏极结构，以及该第二导电或半导电区域包含一装置级触点层，其中该第一方向实质上垂直于该装置级触点层。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二导电或半导电区域和该介电质区域形成相对于该第一方向和该第二方向倾斜的一第一界面部分。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该介电质区域包含：一第一介电质区域，该第一介电质区域定义一第一凹槽；以及一第二介电质区域，包含至少一第一部分，该第一部分形成在该第一凹槽中并与该第二导电或半导电区域形成一界面，该界面包含相对于该第一方向和该第二方向倾斜的一部分。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，该第一介电质区域还定义一第二凹槽，并且该第二介电质区域包含形成在该第二凹槽中的至少一第二部分，该半导体装置还包含形成在该第二凹槽中的一第三导电或半导电区域，该第一导电或半导电区域部分地嵌入该介电质区域中，并且具有至少一表面部分，该表面部分设置在该第二凹槽中并与该第三导电或半导电区域形成一界面。6.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：形成一第一凹槽于一第一介电质材料的一第一区域中，该第一介电质材料至少部分地嵌入一半导体材料的一区域，该第一凹槽具有一第一表面部分，该第一表面部分透过该第一介电质材料的一部分在一第一方向上与该半导体材料的该区域分...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱德馨，彭士玮，沈孟弘，曾健庭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：