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一种半导体装置与其制造方法，在部分实施例中，一种制造半导体装置的方法包含在第一介电质材料的第一区域中形成凹槽，此第一介电质材料至少部分地嵌入半导体区域中，此凹槽具有第一表面部分，此第一表面部分由一部份的第一介电质材料在第一方向上与半导体区域...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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