本实用新型专利技术提出一种发光装置。发光装置包括并排设置的至少三个发光组件。至少三个发光组件包含设置于外侧的两个外侧发光组件，及设置于该两个外侧发光组件的内侧的至少一个内侧发光组件。两个外侧发光组件的其中之一外侧发光组件包括一第一不透光胶体及一第一发光芯片，且该第一不透光胶体围绕该第一发光芯片。第一不透光胶体接近内侧发光组件的一端的高度较远离内侧发光组件的另一端的高度为低。高度较远离内侧发光组件的另一端的高度为低。高度较远离内侧发光组件的另一端的高度为低。
【技术实现步骤摘要】
发光装置
[0001]本技术涉及一种发光装置，尤其涉及一种提升亮度的发光装置。
技术介绍
[0002]随着发光二极管(light
‑
emitting diode，LED)技术的发展，LED已被广泛地应用于日常生活的照明装置。虽然LED的发光效率已远超过传统的白炽灯及卤素灯泡，但LED
仍以提升亮度及发光效率为其发展重心，以期拓展其应用领域及降低生产成本。然而，为使LED亮度提升而增加驱动电流，易致使LED产热增加，因此需要更多的散热组件，也导致成本提高。因此，如何在有限的空间中进行结构的改良以提升LED亮度及发光效率，已成为该项事业所欲解决的重要课题之一。
技术实现思路
[0003]本技术所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种发光装置。
[0004]为何解决上述的技术问题，本技术所采用的其中一技术方案是提供一种发光装置，其包括并排设置的至少三个发光组件。至少三个发光组件包含设置于外侧的两个外侧发光组件，及设置于该两个外侧发光组件的内侧的至少一个内侧发光组件。至少三个发光组件中的至少两个发光组件具有不同的发光峰值波长。两个外侧发光组件的其中之一外侧发光组件包括一第一不透光胶体及一第一发光芯片，且该第一不透光胶体围绕该第一发光芯片。第一不透光胶体接近内侧发光组件的一端的高度较远离内侧发光组件的另一端的高度为低。
[0005]根据本技术其中的一个实施方式，该两个外侧发光组件的其中之一外侧发光组件还包括一第一挡墙结构，该第一挡墙结构的一侧邻近该第一不透光胶体，另一侧邻近该至少一个内侧发光组件，且该第一挡墙结构的高度小于该第一发光芯片的高度。
[0006]根据本技术其中的一个实施方式，该第一挡墙结构的高度及该第一发光芯片的高度比例介于0.4至0.9。
[0007]根据本技术其中的一个实施方式，该两个外侧发光组件的另一外侧发光组件包括一第二不透光胶体与一第二发光芯片，且该第二不透光胶体围绕该第二发光芯片；其中，该第二不透光胶体接近该至少一个内侧发光组件的一端的高度较远离该至少一个内侧发光组件的另一端的高度为低。
[0008]根据本技术其中的一个实施方式，该第二不透光胶体邻近该第二发光芯片的一最低点往远离该至少一个内侧发光组件的另一端的一最高点的方向具有一倾角，且该倾角介于15
°
至25
°
。
[0009]根据本技术其中的一个实施方式，该两个外侧发光组件的另一外侧发光组件还包括一第二挡墙结构，该第二挡墙结构的一侧邻近该第二不透光胶体，另一侧邻近该至少一个内侧发光组件，且该第二挡墙结构的高度大于该第二发光芯片的高度。
[0010]根据本技术其中的一个实施方式，该第二挡墙结构的高度及该第二发光芯片
的高度比例介于1.1至1.7。
[0011]根据本技术其中的一个实施方式，该第一不透光胶体邻近该第一发光芯片的一最低点往远离该至少一个内侧发光组件的另一端的一最高点具有一倾角，且该倾角介于15
°
至25
°
。
[0012]根据本技术其中的一个实施方式，该第一不透光胶体由白胶所形成，且白胶的黏度为3
‑
8Pa
·
s。
[0013]根据本技术其中的一个实施方式，该两个外侧发光组件的其中之一外侧发光组件还包括一荧光胶体，且该荧光胶体包覆该第一发光芯片及该第一不透光胶体。
[0014]根据本技术其中的一个实施方式，该荧光胶体的材料包括氮化物、钇铝石榴石或其组合。
[0015]根据本技术其中的一个实施方式，该至少一个内侧发光组件包括一第三发光芯片，该第三发光芯片与该第一发光芯片发光峰值波长为介于340nm至490nm，该第一发光组件31的发光峰值波长为介于585nm至760nm。
[0016]根据本技术其中的一个实施方式，该发光装置还包含一壳体、一封装体，该至少三个发光组件设置于该壳体所定义的容置空间，该封装体填满该壳体所定义的容置空间，包覆该至少一个内侧发光组件的顶面与侧边。
[0017]根据本技术其中的一个实施方式，具有该第一不透光胶体的该外侧发光组件的发光峰值波长大于该至少一个内侧发光组件的发光峰值波长。
[0018]本技术的其中一个有益效果在于，本技术所提供的发光装置，其能通过“两个外侧发光组件的其中之一外侧发光组件包括第一不透光胶体及第一发光芯片，且第一不透光胶体围绕第一发光芯片；第一不透光胶体接近内侧发光组件的一端的高度较远离内侧发光组件的一端的高度为低”及“两个外侧发光组件的其中之一外侧发光组件还包括第一挡墙结构，第一挡墙结构的一侧邻近第一不透光胶体，另一侧邻近该内侧发光组件，且该第一挡墙结构的高度小于第一发光芯片的高度”，除了可以提升发光组件发出的光线的亮度及增加色彩对比度，至少两个发光组件发出的不同色光线能进一步均匀混合而使其能进行色温调整。
[0019]为使能进一步了解本技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本技术的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本技术加以限制。
附图说明
[0020]图1为本技术第一实施例的发光装置的立体示意图。
[0021]图2为本技术第一实施例的发光装置的俯视图。
[0022]图3为本技术第一实施例的发光装置的剖视图。
[0023]图4为本技术第二实施例的发光装置的立体示意图。
[0024]图5为本技术第二实施例的发光装置的俯视图。
[0025]图6为本技术第二实施例的发光装置的剖视图。
[0026]图7为本技术第三实施例的发光装置的立体示意图。
[0027]图8为本技术第三实施例的发光装置的俯视图。
[0028]图9为本技术第三实施例的发光装置的剖视图。
具体实施方式
[0029]以下是通过特定的具体实施例来说明本技术所公开有关“发光装置”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本技术的优点与效果。本技术可通过其他不同的具体实施例加以实行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本技术的构思下进行各种修改与变更。另外，本技术的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本技术的相关
技术实现思路
，但所公开的内容并非用以限制本技术的保护范围。另外，本文中所使用的术语“或”，应视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
[0030]第一实施例
[0031]参阅图1至图3所示，图1为本技术第一实施例的发光装置的立体示意图，图2为本技术第一实施例的发光装置的俯视图，图3为本技术第一实施例的发光装置的剖视图。本技术第一实施例提供一种发光装置，于发光装置中，在一壳体1内部本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，该发光装置包括并排设置的至少三个发光组件，该至少三个发光组件包含设置于外侧的两个外侧发光组件，及设置于该两个外侧发光组件的内侧的至少一个内侧发光组件；其中，该两个外侧发光组件的其中之一外侧发光组件包括一第一不透光胶体及一第一发光芯片，且该第一不透光胶体围绕该第一发光芯片；其中，该第一不透光胶体接近该内侧发光组件的一端的高度较远离该内侧发光组件的另一端的高度为低。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该两个外侧发光组件的其中之一该外侧发光组件还包括一第一挡墙结构，该第一挡墙结构的一侧邻近该第一不透光胶体，另一侧邻近该至少一个内侧发光组件，且该第一挡墙结构的高度小于该第一发光芯片的高度。3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，该第一挡墙结构的高度及该第一发光芯片的高度比例介于0.4至0.9。4.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该两个外侧发光组件的另一外侧发光组件包括一第二不透光胶体与一第二发光芯片，且该第二不透光胶体围绕该第二发光芯片；其中，该第二不透光胶体接近该至少一个内侧发光组件的一端的高度较远离该至少一个内侧发光组件的另一端的高度为低。5.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，该第二不透光胶体邻近该第二发光芯片的一最低点往远离该至少一个内侧发光组件的另一端的一最高点的方向具有一倾角，且该倾角介于15
°
至25
°
。6.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，该两个外侧发光组件的该另一外侧发光组件还包括一第二挡墙结构，该第二挡墙结构的一侧邻近该第二不透光胶体，另一侧邻近该至少一个内侧发光组件，且该第二挡墙结构的高度大于该第二发光芯片...
【专利技术属性】
技术研发人员：余重宪，丁伟庭，吴忠展，赖文健，
申请(专利权)人：光宝科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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