一种NMOS管高端驱动电路及汽车制造技术

一种NMOS管高端驱动电路及汽车，所述驱动电路包括：升压模块、滤波模块和电压输出模块；升压模块对输入的第一电压和第二电压进行整合升压得到第三电压，再通过滤波模块对第三电压进行滤波得到第四电压，电压输出模块接收第四电压并将通过稳压后向NMOS管的栅极源极输出第五电压，第一电压也为负载的电源电压，即NMOS管的漏极的电压，由于第五电压大于第一电压，即NMOS管的栅极电压大于第一电压，NMOS管导通时源极电压为第一电压，所以NMOS的栅极电压大于源极电压，从而实现对接在NMOS管高边的负载的驱动，从而实现对接在NMOS管高边的负载的驱动，解决了现有技术中低边驱动导致负载容易误启动该负载的问题。易误启动该负载的问题。易误启动该负载的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种NMOS管高端驱动电路及汽车


[0001]本技术涉及电子
，尤其涉及一种NMOS管高端驱动电路及汽车。

技术介绍

[0002]低边驱动指负载的正极接电源，负载的负极接NMOS管的漏极；高边驱动指负载的正极接NMOS管的源极，负载的负极接地。现有技术中，大多数采用NMOS管的低边驱动的方式驱动负载，图1为NMOS管的低边驱动电路图，如图1所示，当采用低边驱动的方式时，负载的第一端与电源相连，负载的第二端需要接在NMOS管N1的漏极，在实际运用中，由于当负载使用频率较低，会将其与电源断开，负载的第二端并不会与NMOS管的漏极相连，在需要使用该负载时才将负载的第二端与NMOS管的漏极相连。
[0003]然而这样在负载的第二端容易误接地，从而启动负载，导致在无需使用负载的时候启动该负载。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中所存在的不足，本技术提供了一种NOMS管高边驱动电路及汽车，其解决了现有技术中存在的在无需使用负载的时候容易误启动该负载问题。
[0005]本技术提供一种NMOS管高端驱动电路，所述驱动电路包括：升压模块、滤波模块和电压输出模块；所述升压模块分别与第一触发端、第一电源端和第二电源端相连，用于根据所述第一触发端输出的第一触发信号进行启动，还用于将所述第一电源端输出的第一电压和第二电源端输出的第二电压进行整合升压得到第三电压；所述滤波模块与所述升压模块的输出端相连，用于将所述升压模块输出的第三电压滤波得到第四电压；所述电压输出模块的输入端与所述滤波模块的输出端相连，所述电压输出模块的第一输出端与所述 NMOS管的栅极相连，所述电压输出模块的第二输出端与所述NMOS管的源极相连，用于接收所述滤波模块输出的所述第四电压，并通过电压输出模块的第一输出端向所述NMOS管的栅极输出第四电压；还用于将所述第四电压降压得到第五电压，并通过所述电压输出模块的第二端向所述NMOS管的源极输出第五电压。
[0006]可选地，所述升压模块包括：第一电阻、第二电阻、第一三极管、第三电阻、第二三极管、第三三极管、第一电容、第二电容和第一二极管；所述第一电阻的两端分别与所述第一触发端和所述第一三极管的基极相连；所述第二电阻的两端分别与所述第一三级管的基极和发射极相连；所述第一三极管的集电极与所述第二三极管的基极相连；所述第二三极管的集电极与所述第二电源端相连，所述第二三极管的发射极与所述第一电容的第一端相连；所述第三电阻的两端分别与所述第一三极管的集电极与所述第二三极管的集电极相连；所述第三三极管的基极与所述第一三极管的集电极相连，所述第三三极管的集电极接地，所述第三三极管的发射极与所述第二三极管的发射极相连；所述第一二极管的正极与所述第一电源端相连，所述第一二极管的负极分别与所述第一电容的第二端和所述滤波模块的输入端相连；所述第二电容与所述第一电容并联。
[0007]可选地，所述滤波模块包括：第二二极管、第三电容和第四电容；所述第二二极管的正极与所述升压模块的输出端相连，所述第二二极管的负极与所述第三电容的第一端相连；所述第三电容的第二端接地；所述第四电容与所述第三电容并联。
[0008]可选地，所述电压输出模块包括：第四三极管、第四电阻和第三稳压二极管；所述第四三极管的基极与所述第三稳压二极管的负极相连，所述第四三极管的发射极与所述NMOS 管的栅极相连；所述第四电阻的两端分别与所述第四三极管的集电极和基极相连；所述第三稳压二极管的正极与所述NMOS管的源极相连。
[0009]可选地，所述电压输出模块还包括第五电容，所述第五电容的两端分别与所述第四三极管的发射极和第三稳压二极管的正极相连，用于对所述第五电压滤波。
[0010]可选地，所述驱动电路还包括开关模块，所述开关模块的输入端分别与第二触发端、所述电压输出模块的第一输出端和第二输出端相连，所述开关模块的输出端分别与所述 NMOS管的栅极和源极相连，用于根据所述第二触发端输出的第二触发信号控制所述电压输出模块向所述NMOS管的栅极和源极分别输出第四电压和第五电压。
[0011]可选地，所述开关模块包括：第五电阻、第六电阻、第五三极管和第六三极管；所述第五电阻的第一端与所述电压输出模块的第一输出端相连，所述第五电阻的第二端与所述第五三极管的基极相连；所述第五三极管的集电极与所述第五电阻的第一端相连，所述第五三极管的发射极与所述NMOS管的栅极相连；所述第六电阻的第一端与所述第二触发端相连，所述第六电阻的第二端与所述第六三极管的基极相连；所述第六三极管的集电极分别与所述电压输出模块的第二输出端和所述NMOS管的源极相连；所述第六三极管的发射极与所述第五三极管的发射极相连。
[0012]一种汽车，所述汽车包括NMOS管高端驱动电路。
[0013]可选地，所述汽车包括第三电源端、第七电阻、第八电阻、NMOS管和负载；所述NMOS 管的漏极与所述第三电源端相连，所述NMOS管的栅极通过第七电阻与电压输出模块的第一输出端相连；所述NMOS管的源极通过负载接地；所述第八电阻的两端分别与所述NMOS 管的栅极和源极相连。
[0014]可选地，所述负载为电机。
[0015]相比于现有技术，本技术具有如下有益效果：
[0016]升压模块对输入的第一电压和第二电压进行整合升压得到第三电压，再通过滤波模块对第三电压进行滤波得到第四电压，电压输出模块接收第四电压并将通过稳压后向NMOS 管的栅极源极输出第五电压，第一电压也为负载的电源电压，即NMOS管的漏极的电压，由于第五电压大于第一电压，即NMOS管的栅极电压大于第一电压，NMOS管导通时源极电压为第一电压，所以NMOS的栅极电压大于源极电压，从而实现对接在NMOS管高边的负载的驱动，从而实现对接在NMOS管高边的负载的驱动，解决了现有技术中低边驱动导致负载容易误启动该负载的问题。
附图说明
[0017]图1为现有技术中的NMOS管的低边驱动电路图；
[0018]图2为本技术实施例提供的一种NMOS管高端驱动电路的结构图；
[0019]图3为本技术实施例提供的一种升压模块的电路图；
[0020]图4为本技术实施例提供的一种滤波模块的电路图；
[0021]图5为本技术实施例提供的一种电压输出模块的电路图；
[0022]图6为本技术实施例提供的一种开关模块的电路图；
[0023]图7为本技术实施例提供的一种NMOS管高端驱动电路的电路图；
[0024]图8为本技术实施例提供的一种汽车的部分电路图。
具体实施方式
[0025]下面结合附图及实施例对本技术中的技术方案进一步说明。
[0026]图2为本技术实施例提供的一种NMOS管高端驱动电路的结构图，如图2所示，所述驱动电路包括：升压模块100、滤波模块200和电压输出模块300；
[0027]所述升压模块100分别与第一触发端V0、第一电源端V1和第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种NMOS管高端驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括：升压模块、滤波模块和电压输出模块；所述升压模块分别与第一触发端、第一电源端和第二电源端相连，用于根据所述第一触发端输出的第一触发信号进行启动，还用于将所述第一电源端输出的第一电压和第二电源端输出的第二电压进行整合升压得到第三电压；所述滤波模块与所述升压模块的输出端相连，用于将所述升压模块输出的第三电压滤波得到第四电压；所述电压输出模块的输入端与所述滤波模块的输出端相连，所述电压输出模块的第一输出端与所述NMOS管的栅极相连，所述电压输出模块的第二输出端与所述NMOS管的源极相连，用于接收所述滤波模块输出的所述第四电压，还用于将所述第四电压降压得到第五电压，并通过所述电压输出模块的第一输出端和第二输出端向所述NMOS管的栅极和源极输出第五电压。2.如权利要求1所述的一种NMOS管高端驱动电路，其特征在于，所述升压模块包括：第一电阻、第二电阻、第一三极管、第三电阻、第二三极管、第三三极管、第一电容、第二电容和第一二极管；所述第一电阻的两端分别与所述第一触发端和所述第一三极管的基极相连；所述第二电阻的两端分别与所述第一三极管的基极和发射极相连；所述第一三极管的集电极与所述第二三极管的基极相连；所述第二三极管的集电极与所述第二电源端相连，所述第二三极管的发射极与所述第一电容的第一端相连；所述第三电阻的两端分别与所述第一三极管的集电极与所述第二三极管的集电极相连；所述第三三极管的基极与所述第一三极管的集电极相连，所述第三三极管的集电极接地，所述第三三极管的发射极与所述第二三极管的发射极相连；所述第一二极管的正极与所述第一电源端相连，所述第一二极管的负极分别与所述第一电容的第二端和所述滤波模块的输入端相连；所述第二电容与所述第一电容并联。3.如权利要求1所述的一种NMOS管高端驱动电路，其特征在于，所述滤波模块包括：第二二极管、第三电容和第四电容；所述第二二极管的正极与所述升压模块的输出端相连，所述第二二极管的负极与所述第三电容的第一端相连；所述第三电容的第二端接地；所述第四电容与所述第三电容并联。4.如权利要求1所述的一种NMOS管高端驱动电路，其特征在于，所述电压输出...

【专利技术属性】
技术研发人员：白立，兰启洪，刘超，伍艳丽，王科发，袁宇，
申请(专利权)人：成都肯保捷电子有限公司，
类型：新型
国别省市：