一种自锁保护电路制造技术

本发明专利技术提供一种自锁保护电路，其特征在于，所述电路包括：迟滞比较单元、自锁单元、MCU和保护单元；所述迟滞比较单元用于采集所述外部负载的过流信号；所述自锁单元用于接收所述迟滞比较单元发出的所述过流信号，还用于根据所述过流信号和所述MCU发出的第一控制信号发出自锁信号；所述自锁单元还用于根据所述MCU发出的第二控制信号发出复位信号；所述保护单元用于根据接收到所述自锁单元发出的自锁信号控制所述外部负载断开；还用于根据接收到的所述保护单元发出的所述复位信号和所述MCU发出的第三控制信号对所述外部负载复位。其解决了现有技术中存在的自锁保护电路方式存在复位方式不便的问题，无需对自锁保护电路进行断电，控制方式简单可靠。控制方式简单可靠。控制方式简单可靠。

【技术实现步骤摘要】
一种自锁保护电路


[0001]本专利技术涉及电子
，尤其涉及一种自锁保护电路。

技术介绍

[0002]现有技术中，电子器件在使用过程中需要对其设置各种保护电路，以提高电子器件的使用寿命。过流保护电路是对电子器件常用的保护电路，通过设置过流保护电路防止电子器件内部因故障等其他原因产生大电流而发热导致电子器件故障或老化。现有的过流保护中，通常采用晶闸管或者运放组成自锁保护电路对电子器件进行自锁保护，但是这种方式成本较高，没有复位端，自锁保护电路需要断电复位。
[0003]可见，现有技术中的自锁保护电路方式存在复位方式不便的问题。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中所存在的不足，本专利技术提供了一种自锁保护电路，其解决了现有技术中存在的自锁保护电路方式存在复位方式不便的问题，无需对自锁保护电路进行断电，控制方式简单可靠。
[0005]一种自锁保护电路，所述电路包括：迟滞比较单元、自锁单元、MCU和保护单元；所述迟滞比较单元与外部负载相连，用于采集所述外部负载的过流信号；所述自锁单元分别与所述MCU和所述迟滞比较单元相连，用于接收所述迟滞比较单元发出的所述过流信号，还用于根据所述过流信号和所述MCU发出的第一控制信号发出自锁信号；所述自锁单元还用于根据所述MCU发出的第二控制信号发出复位信号；所述保护单元分别与所述自锁单元、 MCU和所述外部负载相连，用于根据接收到所述自锁单元发出的自锁信号控制所述外部负载断开；还用于根据接收到的所述保护单元发出的所述复位信号和所述MCU发出的第三控制信号对所述外部负载复位。
[0006]可选地，所述自锁单元包括：第一电阻、第二电阻、第一三极管、第三电阻、第二三极管、第四电阻和第五电阻；所述第一电阻的第一端与第一电源端相连，所述第一电阻的第二端与所述迟滞比较单元的输出端相连；所述第二电阻的第一端与所述迟滞比较单元的输出端相连，所述第二电阻的第二端与所述第一三极管的基极相连；所述第一三极管的集电极通过第三电阻与所述第二三极管的基极相连，所述第一三极管的发射极接地；所述第二三极管的发射极与所述MCU相连，所述第二三极管的集电极通过第四电阻接地，所述第二三极管的集电极还与所述保护单元的输入端相连；所述第五电阻的两端分别与所述第二三极管的集电极和所述第一三极管的基极相连。
[0007]可选地，所述保护单元包括：驱动模块和保护触动模块；所述驱动模块分别与所述MCU 和所述保护触动模块相连，用于根据所述MCU发出的第三控制信号向所述保护触动模块发出驱动信号；所述保护触动模块与所述自锁单元相连，用于根据接收到的所述自锁信号控制所述外部负载断开，还用于根据接收到的所述复位信号和所述驱动信号对所述外部负载复位。
[0008]可选地，所述保护触发模块包括：第六电阻、第七电阻、第三三极管、第八电阻和NMOS 管；所述第三三极管的基极通过第六电阻与所述自锁单元相连，所述第三三极管的集电极与所述NMOS管的栅极相连，所述第三三极管的发射极接地；所述第七电阻的两端分别与所述第三三极管的基极和发射极相连；所述第八电阻的两端分别与所述第三三极管的集电极和发射极极相连；所述NOMS管的源极和漏极串接与所述外部负载的供电线路。
[0009]可选地，所述驱动模块包括：第九电阻、第十电阻、第四三极管、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻和第五三极管；所述第四三极管的基极通过第九电阻与所述MCU相连，所述第四三极管的集电极通过第十电阻与所述第五三极管的基极相连，所述第四三极管的发射极接地；所述第十一电阻的两端分别与所述第四三极管的基极和发射极相连；所述第五三极管的发射极通过第十二电阻与第三电源端相连，所述第五三极管的集电极与所述保护触发模块相连；所述第十三电阻的两端分别与所述第五三极管的基极和发射极相连。
[0010]可选地，所述驱动模块还包括第一电容；所述第一电容与所述第十一电阻并联。
[0011]可选地，所述迟滞比较单元包括：第十四电阻、迟滞比较器和第十五电阻；所述迟滞比较器的同向输入端通过第十四电阻与所述外部负载相连，所述迟滞比较器的反相输入端与第二电源端相连，所述迟滞比较器的输出端与所述自锁单元的输入端相连；所述第十五电阻的两端分别与所述迟滞比较器的同相输入端和输出端相连。
[0012]可选地，所述迟滞保护单元还包括：第二电容；所述第二电容的第一端与所述迟滞比较器的同相输入端相连，所述第二电容的第二端接地。
[0013]可选地，所述保护触发模块还包括：第一TVS管；所述第一TVS管的两端分别与所述 NMOS管的栅极和源极相连。
[0014]可选地，所述保护触发模块还包括：第二TVS管；所述第二TVS管的负极与所述NMOS 管的漏极相连，所述第二TVS管的正极与所述NMOS管的源极相连。
[0015]相比于现有技术，本专利技术具有如下有益效果：
[0016]通过迟滞比较单元采集外部负载的过流信号，并将过流信号发送给自锁保护单元，自锁保护单元将接收到过流信号和MCU发出的第一控制信号发出自锁信号发出触发信号，从而控制外部负载断电，实现自锁保护；当外部负载断电后，自锁保护单元根据MCU发出的第二控制信号发出复位信号，自锁保护单元根据复位信号对外部负载进行复位，从而实现对外部负载的重新供电，无需对自锁保护电路进行断电，控制方式简单可靠。
附图说明
[0017]图1为本专利技术实施例提供的一种自锁保护电路的结构图；
[0018]图2为本专利技术实施例提供的一种保护单元的电路图；
[0019]图3为本专利技术实施例提供的一种保护触动模块的电路图；
[0020]图4为本专利技术实施例提供的一种驱动模块的电路图；
[0021]图5为本专利技术实施例提供的一种迟滞比较单元的电路图；
[0022]图6为本专利技术实施例提供的一种自锁保护电路的电路图。
具体实施方式
[0023]下面结合附图及实施例对本专利技术中的技术方案进一步说明。
[0024]图1为本专利技术实施例提供的一种自锁保护电路的结构图，如图1所示，所述电路包括：迟滞比较单元100、自锁单元200、MCU300和保护单元400；
[0025]所述迟滞比较单元100与外部负载相连，用于采集所述外部负载的过流信号；
[0026]所述自锁单元200分别与所述MCU300和所述迟滞比较单元100相连，用于接收所述迟滞比较单元100发出的所述过流信号，还用于根据所述过流信号和所述MCU300发出的第一控制信号发出自锁信号；所述自锁单元200还用于根据所述MCU300发出的第二控制信号发出复位信号；
[0027]所述保护单元400分别与所述自锁单元200、MCU300和所述外部负载相连，用于根据接收到所述自锁单元200发出的自锁信号控制所述外部负载断开；还用于根据接收到的所述保护单元400发出的所述复位信号和所述MCU300发出的第三控制信号对所述外部负载复位。
[0028]在本实施例中，外部负载可以为车窗控制器，通过迟滞比较单元1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自锁保护电路，其特征在于，所述电路包括：迟滞比较单元、自锁单元、MCU和保护单元；所述迟滞比较单元与外部负载相连，用于采集所述外部负载的过流信号；所述自锁单元分别与所述MCU和所述迟滞比较单元相连，用于接收所述迟滞比较单元发出的所述过流信号，还用于根据所述过流信号和所述MCU发出的第一控制信号发出自锁信号；所述自锁单元还用于根据所述MCU发出的第二控制信号发出复位信号；所述保护单元分别与所述自锁单元、MCU和所述外部负载相连，用于根据接收到所述自锁单元发出的自锁信号控制所述外部负载断开；还用于根据接收到的所述保护单元发出的所述复位信号和所述MCU发出的第三控制信号对所述外部负载复位。2.如权利要求1所述的一种自锁保护电路，其特征在于，所述自锁单元包括：第一电阻、第二电阻、第一三极管、第三电阻、第二三极管、第四电阻和第五电阻；所述第一电阻的第一端与第一电源端相连，所述第一电阻的第二端与所述迟滞比较单元的输出端相连；所述第二电阻的第一端与所述迟滞比较单元的输出端相连，所述第二电阻的第二端与所述第一三极管的基极相连；所述第一三极管的集电极通过第三电阻与所述第二三极管的基极相连，所述第一三极管的发射极接地；所述第二三极管的发射极与所述MCU相连，所述第二三极管的集电极通过第四电阻接地，所述第二三极管的集电极还与所述保护单元的输入端相连；所述第五电阻的两端分别与所述第二三极管的集电极和所述第一三极管的基极相连。3.如权利要求1所述的一种自锁保护电路，其特征在于，所述保护单元包括：驱动模块和保护触动模块；所述驱动模块分别与所述MCU和所述保护触动模块相连，用于根据所述MCU发出的第三控制信号向所述保护触动模块发出驱动信号；所述保护触动模块与所述自锁单元相连，用于根据接收到的所述自锁信号控制所述外部负载断开，还用于根据接收到的所述复位信号和所述驱动信号对所述外部负载复位。4.如权利要求3所述的一种自锁保护电路，其特征在于，所述保护触发模块包括：第六电阻、第七电阻、第三三极管、第八电阻和NMOS管；所述第三三极管的基极通过第六电阻与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰启洪，王科发，刘超，伍艳丽，白立，袁宇，
申请(专利权)人：成都肯保捷电子有限公司，
类型：发明
国别省市：