一种部分脉冲电位能调的栅极驱动电路及装置，所述栅极驱动电路适用于接收第一驱动信号及第二驱动信号，并输出相应的栅极驱动信号，包含低电位端、第一驱动模块、第二驱动模块、驱动输出端及单向模块。所述第一驱动模块与所述第二驱动模块各自包括输入端、并联于所述输入端与所述驱动输出端间的输入电容与输入电阻，及串联于所述驱动输出端与所述低电位端间的第一二极管与可调电源。所述单向模块用于供所述第二驱动模块输出的正向信号单向通过至所述驱动输出端。借此，可以仅动态调整所述栅极驱动信号中的部分信号，而能适用于第三代半导体材料的元件测试。代半导体材料的元件测试。代半导体材料的元件测试。
【技术实现步骤摘要】
部分脉冲电位能调的栅极驱动电路及装置
[0001]本专利技术涉及一种驱动电路及装置，特别是涉及一种应用于元件特性测试的部分脉冲电位能调的栅极驱动电路及装置。
技术介绍
[0002]第三代半导体材料是基于宽带隙复合材料(Wide Bandgap compound material)，以碳化硅(SiC)以及氮化镓(GaN)为代表，由于其卓越的材料性能、高载子迁移率(carrier mobility)和高带隙(band
‑
gap)，例如，GaN元件的FOM比Si元件高5到10倍，这使它们具有在高电压和高功率应用中替代Si元件的巨大潜力，而能应用在更高阶的高压功率元件以及高频通讯元件领域。
[0003]尽管GaN元件已经通过了基于Si元件的JEDEC可靠性标准，但仍需要花费时间来建立系统现场测试的信心，并证明GaN元件在应用中的稳固性。由于第三代半导体材料的元件从静态(Static condition)到动态(Dynamic conditions)的表现不同，目前，关于GaN元件的系统级可靠性(system
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level reliability)的各种测试设备及方法，仍是业界主要发展目标。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种能供第三代半导体材料的元件作为通用测试装置的部分脉冲电位能调的栅极驱动电路。
[0005]本专利技术的部分脉冲电位能调的栅极驱动电路，适用于接收第一驱动信号及第二驱动信号，并输出相应的栅极驱动信号，包含低电位端、第一驱动模块、第二驱动模块、第一驱动输入端、第二驱动输入端、驱动输出端，及单向模块。
[0006]所述第一驱动模块与所述第二驱动模块，各自包括输入端、输出端、输入电容、输入电阻、第一二极管，及可调电源。所述输入电容与所述输入电阻两者并联，且其中一端电连接所述输入端，另一端电连接所述输出端。所述第一二极管及所述可调电源两者串联于所述输出端及所述低电位端间。
[0007]所述第一驱动输入端及所述第二驱动输入端，分别用于接收所述第一驱动信号与所述第二驱动信号，且分别电连接所述第一驱动模块的所述输入端与所述第二驱动模块的所述输入端。
[0008]所述驱动输出端电连接所述第一驱动模块的所述输出端与所述第二驱动模块的所述输出端，并用于输出所述栅极驱动信号。
[0009]所述单向模块电连接于所述第二驱动模块的所述输出端与所述驱动输出端间，用于供所述第二驱动模块输出的正向信号单向通过。
[0010]本专利技术的部分脉冲电位能调的栅极驱动电路，所述第一驱动模块还包括第二二极管，所述第二二极管的阳极端电连接所述低电位端，其阴极端电连接所述输出端。
[0011]本专利技术的部分脉冲电位能调的栅极驱动电路，所述单向模块包括单向二极管，所
述单向二极管的阳极端电连接所述第二驱动模块的所述输出端，所述单向二极管的阴极端电连接所述驱动输出端。
[0012]本专利技术的部分脉冲电位能调的栅极驱动电路，所述单向模块还包括并联所述单向二极管的单向电容、串联所述单向二极管的调整电阻，及两端分别电连接所述单向二极管的阳极端与所述调整电阻远离所述单向二极管的一端的单向电阻。
[0013]本专利技术的部分脉冲电位能调的栅极驱动电路，于所述第一驱动模块与所述第二驱动模块中，所述第一二极管的阳极端电连接所述输出端，所述第一二极管的阴极端电连接所述可调电源的正端，所述可调电源的负端电连接所述低电位端。
[0014]本专利技术的部分脉冲电位能调的栅极驱动电路，所述第一驱动模块与所述第二驱动模块各自还包括两端分别电连接于所述可调电源的正端与所述低电位端的限流电阻。
[0015]本专利技术的部分脉冲电位能调的栅极驱动电路，所述第一驱动模块与所述第二驱动模块各自还包括两端分别电连接于所述可调电源的正端与所述低电位端的稳压电容。
[0016]本专利技术的目的在于提供一种能供第三代半导体材料的元件作为通用测试装置的部分脉冲电位能调的栅极驱动装置。
[0017]本专利技术的部分脉冲电位能调的栅极驱动装置，适用于接收第一控制信号及第二控制信号，并对应所述第一控制信号与所述第二控制信号驱动待测件的栅极，包含高电位端、低电位端、第一控制输入端、第二控制输入端、栅极驱动端、第一驱动器、第二驱动器，及如上述的栅极驱动电路。
[0018]所述第一控制输入端及所述第二控制输入端分别用于接收所述第一控制信号与所述第二控制信号。
[0019]所述栅极驱动端适用于输出对应所述第一控制信号与所述第二控制信号的栅极驱动信号至所述待测件的栅极。
[0020]所述第一驱动器电连接所述高电位端、所述低电位端与所述第一控制输入端，由所述第一控制输入端接收所述第一控制信号并输出相应的第一驱动信号。
[0021]所述第二驱动器电连接所述高电位端、所述低电位端与所述第二控制输入端，由所述第二控制输入端接收所述第二控制信号并输出相应的第二驱动信号。
[0022]所述栅极驱动电路的所述第一驱动输入端与所述第二驱动输入端分别电连接所述第一驱动器与所述第二驱动器，所述栅极驱动电路的所述驱动输出端与所述低电位端分别电连接所述栅极驱动端与上述的所述低电位端。
[0023]本专利技术的部分脉冲电位能调的栅极驱动装置，还包含两端分别电连接于所述栅极驱动端与所述待测件的栅极的调速电阻。
[0024]本专利技术的有益效果在于：通过上述电路设置，可以仅动态调整所述栅极驱动信号中的部分信号(例如，仅动态调整所述第一控制信号的对应部分，或仅动态调整所述第二控制信号的对应部分)，如此，能适用于供第三代半导体材料的元件作为通用测试装置。
附图说明
[0025]图1是本专利技术部分脉冲电位能调的栅极驱动装置的实施例的电路图；及
[0026]图2是所述实施例中，第一控制信号、第二控制信号、第一驱动信号、第二驱动信号及栅极驱动信号的波形示意图。
具体实施方式
[0027]参阅图1与图2，本专利技术部分脉冲电位能调的栅极驱动装置的实施例，适用于接收由一个控制电路(图未示)输出的一个第一控制信号Vin1及一个第二控制信号Vin2，并输出一个对应所述第一控制信号Vin1与所述第二控制信号Vin2的栅极驱动信号Vgs至一个待测件91的栅极以控制驱动所述待测件91。所述待测件91是电连接于一个待测电源端92与一个低电位端22间，所述待测电源端92提供一个待测电压Vds。其中，本专利技术适用于应用于测试第三代半导体材料的功率元件，或应用于其他需要动态调整部分脉冲电位的测试作业。
[0028]其中，所述第一控制信号Vin1为部分脉波经屏蔽的主要脉波(pulse)信号，所述第二控制信号Vin2则是将所述第一控制信号Vin1的脉波屏蔽的部分脉波信号，即，所述第一控制信号Vin1与所述第二控制信号Vin2能组合为完整连续的脉波信号。例如，当应用于正常开关操作(normal switching operation)下提取动态阈值电压(dynamic thre本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种部分脉冲电位能调的栅极驱动电路，适用于接收第一驱动信号及第二驱动信号，并输出相应的栅极驱动信号，其特征在于：所述栅极驱动电路包含：低电位端；第一驱动模块及第二驱动模块，各自包括：输入端及输出端，输入电容与输入电阻，两者并联，且其中一端电连接所述输入端，另一端电连接所述输出端，及第一二极管及可调电源，两者串联于所述输出端及所述低电位端间；第一驱动输入端及第二驱动输入端，分别用于接收所述第一驱动信号与所述第二驱动信号，且分别电连接所述第一驱动模块的所述输入端与所述第二驱动模块的所述输入端；驱动输出端，电连接所述第一驱动模块的所述输出端与所述第二驱动模块的所述输出端，并用于输出所述栅极驱动信号；及单向模块，电连接于所述第二驱动模块的所述输出端与所述驱动输出端间，用于供所述第二驱动模块输出的正向信号单向通过。2.根据权利要求1所述的部分脉冲电位能调的栅极驱动电路，其特征在于：所述第一驱动模块还包括第二二极管，所述第二二极管的阳极端电连接所述低电位端，其阴极端电连接所述输出端。3.根据权利要求2所述的部分脉冲电位能调的栅极驱动电路，其特征在于：所述单向模块包括单向二极管，所述单向二极管的阳极端电连接所述第二驱动模块的所述输出端，所述单向二极管的阴极端电连接所述驱动输出端。4.根据权利要求3所述的部分脉冲电位能调的栅极驱动电路，其特征在于：所述单向模块还包括并联所述单向二极管的单向电容、串联所述单向二极管的调整电阻，及两端分别电连接所述单向二极管的阳极端与所述调整电阻远离所述单向二极管的一端的单向电阻。5.根据权利要求2所述的部分脉冲电位能调的栅极驱动电路，其特征在于：于所述第一驱动模块与所述第二驱动模块中，所述第一二极管的阳极端电连接所述输出端，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：林明正，
申请(专利权)人：宏汭精测科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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