无磁芯闭环电流检测封装结构及电流检测方法技术

本发明专利技术提供一种无磁芯闭环电流检测封装结构及电流检测方法。所述无磁芯闭环电流检测封装结构，包括：原边框架、载板、反馈线圈以及检测芯片，用于动态检测所述原边框架中的电流；主霍尔传感器，所述主霍尔传感器设置在所述原边框架U型结构内侧，用于动态监测所述原边框架与反馈线圈之间的磁场；副霍尔传感器，所述副霍尔传感器设置在所述原边框架U型结构外侧，与所述主霍尔传感器水平方向一定距离处，用于动态监测所述原边框架与反馈线圈之间的磁场并消除误差。本发明专利技术所要解决的技术问题是如何缩小电流检测模块的体积和提高霍尔传感器的稳定性和抗外磁干扰能力，提供一种无磁芯闭环电流检测封装结构及电流检测方法。芯闭环电流检测封装结构及电流检测方法。芯闭环电流检测封装结构及电流检测方法。

【技术实现步骤摘要】
无磁芯闭环电流检测封装结构及电流检测方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种无磁芯闭环电流检测封装结构及电流检测方法。

技术介绍

[0002]现有技术中，闭环电量检测器通常包括原边电路、聚磁环(磁芯)、霍尔传感器、反馈线圈、放大器等组成；采用的闭环电流检测模块具有体积大，稳定性差，抗外磁干扰能力弱等缺点。如何缩小霍尔传感器的体积，提高霍尔传感器的稳定性同时降低成本，成为了电流检测领域亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题是如何缩小电流检测模块的体积和提高霍尔传感器的稳定性和抗外磁干扰能力，提供一种无磁芯闭环电流检测封装结构及电流检测方法。
[0004]本专利技术提供一种无磁芯闭环电流检测封装结构，包括：原边框架，所述原边框架包括一U型结构，电流经过所述原边框架产生磁场；载板，设置在所述原边框架表面，用于隔离原边框架和反馈线圈；反馈线圈，所述反馈线圈为无磁芯线圈，设置在所述载板上方，用于产生与所述原边框架相反的磁场；检测芯片，所述检测芯片设置在所述原边框架与反馈线圈之间，通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无磁芯闭环电流检测封装结构，其特征在于，包括：原边框架，所述原边框架包括一U型结构，电流经过所述原边框架产生磁场；载板，设置在所述原边框架表面，用于隔离原边框架和反馈线圈；反馈线圈，所述反馈线圈为无磁芯线圈，设置在所述载板上方，用于产生与所述原边框架相反的磁场；检测芯片，所述检测芯片设置在所述原边框架与反馈线圈之间，通过调控所述反馈线圈的电流产生平衡原边框架的磁场的感应磁场，动态检测所述原边框架中的电流；主霍尔传感器，所述主霍尔传感器设置在所述原边框架U型结构内侧，用于动态监测所述原边框架与反馈线圈之间的磁场；副霍尔传感器，所述副霍尔传感器设置在所述原边框架U型结构外侧，与所述主霍尔传感器水平方向一定距离处，用于动态监测所述原边框架与反馈线圈之间的磁场并消除误差。2.根据权利要求1所述的无磁芯闭环电流检测封装结构，其特征在于，所述主霍尔传感器和副霍尔传感器均采用包括锑化姻霍尔传感器、砷化镓霍尔传感器其中的一种。3.根据权利要求1所述的无磁芯闭环电流检测封装结构，其特征在于，所述主霍尔传感器设置在反馈线圈中心的位置处；所述副霍尔传感器设置在反馈线圈覆盖的位置处。4.根据权利要求1所述的无磁芯闭环电流检测封装结构，其特征在于，所述主霍尔传感器设置在反馈线圈中心的位置处；所述副霍尔传感器设置在反馈线圈外侧距离反馈线圈中心一定位置处。5.根据权利要求1所述的无磁芯闭环电流检测封装结构，其特征在于，所述主霍尔传感器和副霍尔传感器设置并固定在所述载板的上方或下方。6.根据权利要求1所述的无磁芯闭环电流检测封装结构，其特征在于，所述主霍尔传感器中心到原边框架U型结构内边缘距离为0
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘春森，钟小军，
申请(专利权)人：上海兴感半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：