化学放大型感光性组合物、感光性干膜及其制造方法、抗蚀剂膜的制造方法及酸扩散抑制剂技术

本发明专利技术提供一种容易形成分辨率以及尺寸控制性高且截面形状的矩形性良好的抗蚀剂图案的化学放大型正型感光性组合物、具备由该化学放大型正型感光性组合物构成的感光性层的感光性干膜、该感光性干膜的制造方法、使用所述化学放大型正型感光性组合物的图案化的抗蚀剂膜的制造方法、掺混在化学放大型正型感光性组合物中的酸扩散抑制剂。在包含通过活性光线或放射线的照射而产生酸的产酸剂(A)与对碱的溶解性因酸的作用而增大的树脂(B)的化学放大型正型感光性组合物中掺混特定结构的酸扩撒抑制剂(C)。撒抑制剂(C)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】化学放大型感光性组合物、感光性干膜及其制造方法、抗蚀剂膜的制造方法及酸扩散抑制剂


[0001]本专利技术涉及化学放大型正型感光性组合物、具备由该化学放大型正型感光性组合物构成的感光性层的感光性干膜、该感光性干膜的制造方法、使用所述化学放大型正型感光性组合物的图案化的抗蚀剂膜的制造方法、与酸扩散抑制剂。

技术介绍

[0002]目前，光电加工(photofabrication)已经成为精密微细加工技术的主流。光电加工是指，将光致抗蚀剂组合物涂布在被加工物表面从而形成光致抗蚀剂层，利用光刻技术使光致抗蚀剂层图案化，并将图案化后的光致抗蚀剂层(光致抗蚀剂图案)作为掩模进行化学蚀刻、电解蚀刻，或者进行以电镀为主体的电铸等，来制造半导体封装等各种精密部件的技术的总称。
[0003]此外，近年来，随着电子设备的小型化，半导体封装的高密度安装技术不断推进，正在谋求基于封装的多引脚薄膜安装化、封装尺寸的小型化、倒装芯片方式的2维安装技术、3维安装技术的安装密度的提高。在这样的高密度安装技术中，例如封装上突出的凸块等突起电极(安装端子)、或将从晶圆上的外围本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种化学放大型正型感光性组合物，其特征在于，含有：产酸剂(A)，通过活性光线或放射线的照射而产生酸；树脂(B)，对碱的溶解性因酸的作用而增大；酸扩散抑制剂(C)，所述酸扩散抑制剂(C)包含以下述式(C1)表示的化合物，[化1]式(C1)中，R
1c
为烷基或芳烷基，R
2c
为烷基或芳烷基，R
3c
为氢原子或烷基，R
4c
为单键或亚烷基，n1为0以上5以下的整数，n2为0以上5以下的整数，n3为0或1，其中，在n3为1的情况下，n1以及n2不同时为0。2.如权利要求1所述的化学放大型正型感光性组合物，其特征在于，所述n3为1，所述R
4c
为单键。3.如权利要求2所述的化学放大型正型感光性组合物，其特征在于，作为所述R
1c
的所述烷基或所述芳烷基的碳原子数为6以上10以下，作为所述R
2c
的所述烷基或所述芳烷基的碳原子数为6以上10以下。4.如权利要求1所述的化学放大型正型感光性组合物，其特征在于，所述n3为0，所述R
4c
为亚烷基。5.如权利要求1～4的任一项所述的化学放大型正型感光性组合物，其特征在于，所述酸扩散抑制剂(C)的含量相对于树脂(B)100质量份为0.01质量份以上20质量份以下。6.如权利要求1～5的任一项所述的化学放大型正型感光性组合物，其特征在于，还含有碱可溶性树脂(D)...

【专利技术属性】
技术研发人员：增田靖男，川上晃也，海老泽和明，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：