耐高温聚酰亚胺光刻胶及其制备方法、应用技术

本发明专利技术涉及一种耐高温聚酰亚胺光刻胶及其制备方法、应用，聚酰亚胺光刻胶按质量百分数计，包括以下原料组分：光引发剂0～5％，带有光敏基团的聚酰胺酸30％～60％，流平剂0～1％，交联剂5～10％，增粘剂0～1％，溶剂50％～90％，其中，所述带有光敏基团的聚酰胺酸中的光敏基团为光二聚型感光基团、重氮或叠氮感光基团、丙烯酸酯基团中至少一种。本发明专利技术的耐高温聚酰亚胺光刻胶不需要借助其他光刻胶就能实现图形的形成，不仅节约了材料成本，而且显著缩短了工艺流程，提高了成品率，可以同时实现较高分辨率图形的制作以及对衬底材料的保护。护。护。

【技术实现步骤摘要】
耐高温聚酰亚胺光刻胶及其制备方法、应用


[0001]本专利技术属于光刻胶
，具体涉及一种耐高温聚酰亚胺光刻胶及其制备方法、应用。

技术介绍

[0002]在液晶显示器和半导体制造领域，光刻胶是实现图形从掩膜板到基片转移的关键功能材料。其应用工艺如下：首先将光刻胶涂布到基片上（一般采用旋转涂布），然后进行预烧烤除去光刻胶中的溶剂，接着用特定波长的光源透过掩膜板照射到光刻胶上，被曝光的区域发生化学反应，改变其在显影液中的溶解速率，然后通过显影得到相应的图形，接着通过刻蚀、离子注入或金属沉积等工艺步骤将图形转移到没有光刻胶保护基片上，最后通过去胶液将光刻胶去除，完成图形的转移过程。
[0003]一般来讲，根据化学作用机理不同，光刻胶可以分为正性光刻胶和负性光刻胶两大类。正性光刻胶是指未曝光的光刻胶不溶于显影液，可以保护被覆盖在下面的基底材料不受下一步工艺的影响，而曝光部分的光刻胶薄膜可以溶于显影液从而暴露出覆盖于其下的基底材料，便于进行处理。而负性光刻胶形成薄膜后，未曝光部分可以溶于显影液被洗去，被曝光部分变得不溶于显影液留在基底上。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耐高温聚酰亚胺光刻胶，其特征在于：按质量百分数计，包括以下原料组分：光引发剂
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0～5％带有光敏基团的聚酰胺酸
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30％～60％流平剂
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0～1％交联剂
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5～10％增粘剂
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0～1％溶剂
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50％～90％其中，所述带有光敏基团的聚酰胺酸中的光敏基团为光二聚型感光基团、重氮或叠氮感光基团、丙烯酸酯基团中至少一种。2.根据权利要求1所述的耐高温聚酰亚胺光刻胶，其特征在于：所述光引发剂为2,2
‑
二乙氧基苯乙酮、安息香二甲醚DMPA、二苯基(2,4,6
‑
三甲基苯甲酰基)氧化膦、双(2,4,6
‑
三甲基苯甲酰基)苯基氧化膦、4,4
’‑
二羟基二苯甲酮、三(4
‑
叔丁基苯基)锍三氟甲磺酸盐中至少一种。3.根据权利要求1所述的耐高温聚酰亚胺光刻胶，其特征在于：所述流平剂为甲基三烷基(C8
‑
C10)氯化铵、2,5
‑
二甲基
‑3‑
己炔
‑
2,5
‑
二醇、聚醚改性硅油、环氧改性硅油、氨基改性硅油中至少一种。4.根据权利要求1所述的耐高温聚酰亚胺光刻胶，其特征在于：所述交联剂为1,2,4
‑
苯三酸酐(TMA)、6
‑
马来酰亚胺丁酸、三(异...

【专利技术属性】
技术研发人员：王凯，严翔，薛钰铸，
申请(专利权)人：江苏长进微电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：