一种双面蚀刻的超密LED支架制造技术

本实用新型专利技术涉及LED支架领域，公开了一种双面蚀刻的超密LED支架，包括框架本体，框架本体的上下表面通过蚀刻均形成凸出的台阶状结构，上表面的台阶状结构用于固晶，下表面的台阶状结构作为焊脚；上下台阶状结构的上表面均设置有焊接层；上下台阶状结构的侧面为粗糙蚀刻面；本实用新型专利技术通过双面蚀刻形成的双面台阶状，塑封体可以很好的对上表面功能区形成包裹，保证良好的气密性，解决了蚀刻工艺制作Mini LED支架气密性差的问题，同时有利于增加产品可靠性。产品可靠性。产品可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种双面蚀刻的超密LED支架


[0001]本技术涉及一种LED支架，具体为一种双面蚀刻的超密LED支架。

技术介绍

[0002]目前传统的TOP LED支架金属结构采用冲压成型工艺，而在微缩化封装尺寸发展到1mm以下时，冲压制程的加工精度已经无法适应大批量生产的工艺要求。采用刻蚀工艺实现了将TOP LED封装延伸至Mini LED的范围，即实现1mm以下的RGB器件封装结构，将显示LED扩展至P1.0mm的显示范围。但对于目前刻蚀工艺制作的LED支架气密性不能达到要求，在封装之后会出现缝隙使潮气进入，影响到内部功能部件的使用寿命。

技术实现思路

[0003]本技术克服了现有技术的不足，提出一种双面蚀刻的超密LED支架。解决单面蚀刻工艺制作Mini LED支架气密性差的问题。
[0004]一种双面蚀刻的超密LED支架，包括框架本体，框架本体的上下表面通过蚀刻均形成凸出的台阶状结构，上表面的台阶状结构用于固晶，下表面的台阶状结构作为焊脚；上下台阶状结构的上表面均设置有焊接层；上下台阶状结构的侧面为粗糙蚀刻面。
[0005]进一步的，框架本体的上下表面通过蚀刻在框架本体边缘处形成外连接杆，所述外连接杆与下表面台阶状结构的水平表面距离为0.02
‑
0.08cm。
[0006]更进一步，框架本体为长方形金属框架，外连接杆位于框架本体的四个顶角处。
[0007]进一步的，所述外连接杆与上表面台阶状结构的水平面距离为0.03
‑
0.08cm。
[0008]进一步的，所述的焊接层是采用电镀方法形成的镀银焊接层。
[0009]进一步的，所述LED支架在固晶和焊线之后采用深透光材料一体封装。
[0010]更进一步，所述深透光材料为黑色或棕色的透光塑料。
[0011]进一步的，上表面的台阶状结构包括第一功能区和第二功能区，红色晶片布置在第一功能区，蓝色和绿色晶片布置在第二功能区。
[0012]为了达到上述目的，本技术是通过如下技术方案实现的。
[0013]本技术相对于现有技术所产生的有益效果为：
[0014]1、本技术通过双面蚀刻形成的双面台阶状，塑封体可以很好的对上表面功能区形成包裹，保证良好的气密性。
[0015]2、本技术通过选择特定的上下两个表面电镀焊接层，上下两平面之间的垂直表面保留粗糙蚀刻面，可以保证与塑封材料紧密结合，保证良好的气密性。
[0016]3、本技术直接采用深色透光材质一体封装，省去了基板制作与碗杯制作，大大节省了成本，正面芯片发出的光通过底部电镀银层反射与芯片表面光线直接射出封装体。
[0017]4、外连接杆与背面4个SMT贴装焊脚表面形成0.02~0.08台阶，即使切割产生轻微毛边也不会引起与焊脚相连；同时4个外连接杆与内部功能区上表面形成0.03~0.08的台
阶，即使外连接杆与塑封体之间有缝隙潮气进入，也不至于影响到内部功能部件。
[0018]5、本技术功能区设计为特殊的两段式，将红色晶片与蓝绿晶片分开布置，减少热量聚集，有利于增加产品可靠性。
附图说明
[0019]图1为本技术支架的正面经过刻蚀的俯视图。
[0020]图2为图1的侧视图。
[0021]图3为本技术支架的反面经过刻蚀的俯视图。
[0022]图4为图3的侧视图。
[0023]图5为双面刻蚀的支架镀焊接层的侧视图。
[0024]图6为双面刻蚀的支架固晶焊线后的俯视图。
[0025]图7为图6的侧视图。
[0026]图8为塑封后的支架的侧视图。
[0027]图9为切割后的支架示意图。
[0028]图中，1为金属片材，2为上台阶面，3为下台阶面，4为外连接杆，5为第一功能区，6为第二功能区，7为红色晶片，8为蓝色晶片，9为绿色晶片，10为深色透光塑料，11为正面蚀刻区，12为焊接层，13为焊线。
具体实施方式
[0029]为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，结合实施例和附图，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。下面结合实施例及附图详细说明本技术的技术方案，但保护范围不被此限制。
[0030]本实施例提出一种双面蚀刻的超密LED支架，双面蚀刻工艺为现有常规蚀刻工艺，具体工艺步骤是蚀刻框架
→
电镀
→
固晶
→
焊线
→
塑封
→
切割；对于框架的蚀刻采用长方形的金属片材1制作，先在金属片材1的上表面进行蚀刻形成正面蚀刻区11，正面蚀刻区11包括有凸出于上表面的上台阶面2（参照图1和图2），再在金属片材1的下表面进行蚀刻，形成凸出于下表面的下台阶面3（参照图3和图4），同时经过双面蚀刻，在金属片材1位于四个角处形成四个外连接杆4；其中，上表面的上台阶面2用于固晶，下表面的下台阶面3作为焊脚；外连接杆4与下台阶3的水平表面的垂直距离为0.02
‑
0.08cm，即使切割产生轻微毛边也不会引起与焊脚相连；同时四个外连接杆4与作为内部功能区的上台阶面2的上表面形成0.03~0.08的台阶，即使外连接杆4与塑封体之间有缝隙潮气进入，也不至于影响到内部功能部件。而双面蚀刻形成台阶状，塑封体很好的对上表面功能区形成包裹，保证良好的气密性。
[0031]之后，采用电镀的方法在上台阶面2和下台阶面3的水平表面均镀一层银质的焊接层12（参照图5）；而上台阶面2和下台阶面3的的垂直表面不进行电镀，保留粗糙蚀刻面，侧面为粗糙的蚀刻表面，与塑封材料可以紧密结合，保证良好的气密性。通过蚀刻工艺形成的上台阶面2包括第一功能区5和第二功能区6，红色晶片7布置在第一功能区5，蓝色晶片8和绿色晶片9布置在第二功能区6，这种布置的方法可以减少热量聚集，有利于增加产品可靠性。
[0032]固晶和焊线结束后（参照图6和图7）直接采用深色透光塑料10一体封装（参照图8），之后进行切割（参照图9）。深色透光塑料可以采用黑色或棕色的透光塑料，省去了基板制作与碗杯制作，大大节省了成本。正面芯片发出的光通过底部电镀银层反射与芯片表面光线直接射出封装体，下台阶面3电镀金属层后形成4个SMT贴装焊脚。本实施例解决了蚀刻工艺制作Mini LED支架气密性差的问题，适用于微型LED的生产。
[0033]以上内容是结合具体的优选实施方式对本技术所做的进一步详细说明，不能认定本技术的具体实施方式仅限于此，对于本技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本技术的前提下，还可以做出若干简单的推演或替换，都应当视为属于本技术由所提交的权利要求书确定专利保护范围。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双面蚀刻的超密LED支架，包括框架本体，其特征在于，框架本体的上下表面通过蚀刻均形成凸出的台阶状结构，上表面的台阶状结构用于固晶、焊线，下表面的台阶状结构作为SMT贴装焊脚；上下台阶状结构的上表面均设置有焊接层；上下台阶状结构的侧面为粗糙蚀刻面。2.根据权利要求1所述的一种双面蚀刻的超密LED支架，其特征在于，框架本体的上下表面通过蚀刻在框架本体边缘处形成外连接杆，所述外连接杆与下表面台阶状结构的水平表面距离为0.02
‑
0.08cm。3.根据权利要求2所述的一种双面蚀刻的超密LED支架，其特征在于，框架本体为长方形金属框架，外连接杆位于框架本体的四个顶角处。4.根据权利要求2所述的一种双面蚀刻的超...

【专利技术属性】
技术研发人员：付桂花，马洪毅，
申请(专利权)人：山西高科华兴电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：