【技术实现步骤摘要】
掩模版缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质
[0001]本专利技术涉及掩模版
,尤其涉及一种掩模版缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
[0002]在显示面板
,掩模版是一种位于基体材料上以便用于选择性曝光的结构。
[0003]掩模版上的缺陷是在曝光和传递过程中引入的微颗粒污染,针对掩模版缺陷的检测,通常是用自动光学设备进行缺陷检测,记录掩模版上颗粒污染位置后再光学复检,存在工艺繁琐效率低,易引入新增污染,并且存在掩模版被错用的风险,不利于生产效率的提高。
技术实现思路
[0004]本专利技术提供了一种掩模版缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质,能够通过结合不同照明条件和镜头的检测图片信息,增加了缺陷分类与筛选的信息量,提高了缺陷分类与筛选的准确性。
[0005]根据本专利技术的一方面,提供了一种掩模版缺陷检测方法,所述方法包括:
[0006]确定待测掩模版的初检图像与从所述初检图像检出的初检缺陷;
[0007]确定待测掩模版的复检图像;其中,所述 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种掩模版缺陷检测方法,其特征在于,所述方法包括:确定待测掩模版的初检图像与从所述初检图像检出的初检缺陷;确定待测掩模版的复检图像;其中,所述初检图像与所述复检图像通过采用不同照明条件和镜头进行图像拍摄得到,且所述初检图像的拍摄倍率小于所述复检图像的拍摄倍率;依据所述初检图像、所述复检图像以及所述初检缺陷,对待测掩模版的缺陷进行分类与筛选。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述初检图像采用的照明条件用于对所述待测掩模版中压印纹缺陷的成像进行抑制,所述复检图像采用的照明条件用于对所述待测掩模版中颗粒类凸起缺陷的阴影进行抑制。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,确定待测掩模版的复检图像,包括:确定所述初检缺陷在所述待测掩模版上的初检缺陷位置;控制复检设备朝向所述初检缺陷位置对应的局部进行图像拍摄得到包括所述初检缺陷的复检图像。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,依据所述初检图像、所述复检图像以及所述初检缺陷,对所述待测掩模版的缺陷进行分类与筛选,包括:确定从所述初检图像变换到所述复检图像时,在所述复检图像中与所述初检缺陷匹配的复检缺陷;依据所述复检缺陷对应的复检图像特征,对所述待测掩模版的缺陷进行分类与筛选。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,确定从所述初检图像变换到所述复检图像时,在所述复检图像中与所述初检缺陷匹配的复检缺陷,包括:将所述初检图像与所述复检图像进行图像配准,得到从所述初检图像向所述复检图像进行变化所用的图像变换矩阵;依据所述图像变换矩阵将所述初检图像的初检缺陷匹配到所述复检图像上,得到在所述复检图像中与所述初检缺陷匹配的复检缺陷。6.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,依据所述复检缺陷对应的复检图像特征,对所述待测掩模版的缺陷进行分类与筛选,...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨朝兴,
申请(专利权)人:合肥御微半导体技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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