一种SAW和BAW的混合层叠滤波器芯片及其制造工艺制造技术

本发明专利技术适用于MEMS芯片制造工艺领域，提供了一种SAW和BAW的混合层叠滤波器芯片及其制造工艺。SAW和BAW的混合层叠滤波器芯片包括衬底、BAW模块和SAW模块；所述衬底、所述BAW模块和所述SAW模块依次层叠设置；所述BAW模块包括第一电极层、第二电极层和介质层，所述第一电极层、所述介质层和所述第二电极层依次层叠设置，形成“三明治”结构膜层；所述SAW模块包括电声转换器，所述电声转换器通过第一导线分别与所述第一电极层和所述第二电极层连接；所述第一电极层和所述衬底之间设置有第一空腔，所述第二电极层和所述SAW模块之间设置有第二空腔。本发明专利技术可满足不同频段声波滤波需求，拥有相对较高的Q值设计，且与终端产品的高集成小尺寸的要求有更高适配度。尺寸的要求有更高适配度。尺寸的要求有更高适配度。

【技术实现步骤摘要】
一种SAW和BAW的混合层叠滤波器芯片及其制造工艺


[0001]本专利技术属于MEMS芯片制造工艺领域，尤其涉及一种SAW和BAW的混合层叠滤波器芯片及其制造工艺。

技术介绍

[0002]随着当今集成电路的迅速发展，大规模集成电路已逐渐的出现在人们的视野当中，同时随着科技时代的进步，手机和自动汽车等电子技术设备也逐一亮相，5G信号也相应的被设计出来。其5G信号相对原有的4G信号的优势在于它的频段会更大更宽且信号传输运行的速度更快，带宽外频段的抑制能力更强。
[0003]目前滤波器芯片的分类可分为SAW类型和BAW类型。SAW，即表面声谐振器(Surface Acoustic Wave)，利用声表面波来处理和传播信号的无源器件；BAW，即薄膜体声谐振器(Bulk Acoustic Wave)，以纵波或横波在固体内部传递的形式来处理声波信号。
[0004]SAW和BAW两种滤波器芯片分别适配不同低中高频段，只在相应的频段中有优势。现有的SAW滤波器芯片和BAW滤波器芯片只能分别适配相应的低中高频段，无法同时处理不同频段的声波。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SAW和BAW的混合层叠滤波器芯片，其特征在于，所述SAW和BAW的混合层叠滤波器芯片包括衬底、BAW模块和SAW模块；所述衬底、所述BAW模块和所述SAW模块依次层叠设置；所述BAW模块包括第一电极层、第二电极层和介质层，所述第一电极层、所述介质层和所述第二电极层依次层叠设置，形成“三明治”结构膜层；所述SAW模块包括电声转换器，所述电声转换器通过第一导线分别与所述第一电极层和所述第二电极层连接；所述衬底和所述SAW模块之间设置有支撑柱，所述第一电极层和所述衬底之间设置有第一空腔，所述第二电极层和所述SAW模块之间设置有第二空腔。2.根据权利要求1所述的SAW和BAW的混合层叠滤波器芯片，其特征在于，所述电声转换器呈音叉形状。3.根据权利要求1所述的SAW和BAW的混合层叠滤波器芯片，其特征在于，所述SAW模块还包括高阻片和钝化层，所述钝化层、所述电声转换器和所述高阻片依次层叠设置；所述第二空腔设置在所述第二电极层和所述高阻片之间。4.根据权利要求1所述的SAW和BAW的混合层叠滤波器芯片，其特征在于，所述SAW模块上设置有锡银球体和铜柱；所述锡银球体与所述铜柱连接，所述铜柱通过第二导线与所述第一导线连接。5.一种SAW和BAW的混合层叠滤波器芯片制造工艺，其特征在于，所述SAW和BAW的混合层叠滤波器芯片制造工艺包括：在衬底与第一电极层之间设置第一空腔，在第二电极层与SAW模块的高阻片之间设置第二空腔；在所述高阻片上设置电声转换器；通过第一导线将所述电声转换器的两端分别与所述第一电极层和所述第二电极层连接；在所述电声转换器上做钝化层，并在所述钝化层开设通孔；利用PVD工艺和高温回流工艺在所述钝化层上形成锡银球体和铜柱；对所述衬底进行减薄抛光，得到成型芯片；对所述成型芯片进行晶圆分片切割，得到SAW和BAW的混合层叠滤波器芯片。6.根据权利要求5所述的SAW和BAW的混合层叠滤波器芯片制造工艺，其特征在于，所述在衬底与第一电极层之间设置第一空腔，在第二电极层与SAW模块的高阻片之间设置第二空腔，包括如下步骤：用牺牲层工艺在所述衬底上开设凹...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡孝伟，代文亮，张竞颢，崔云辉，黄志远，
申请(专利权)人：上海芯波电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：