晶圆表面缺陷的检测方法、系统、计算机设备和存储介质技术方案

本申请涉及一种晶圆表面缺陷的检测方法、系统、计算机设备和存储介质。晶圆表面缺陷的检测方法，包括：获取目标生产工艺前晶圆表面缺陷的第一缺陷分布图和目标生产工艺后晶圆表面缺陷的第二缺陷分布图；以第一缺陷分布图中缺陷的中心为中心的建立第一几何图形；以第二缺陷分布图中缺陷的中心为中心建立第二几何图形，第二几何图形由闭合轮廓线围设形成；对第一缺陷分布图和第二缺陷分布图进行叠图，根据第二几何图形和第一几何图形之间的重叠状态，判断第二缺陷分布图中缺陷的新增状态，以检测晶圆表面的缺陷情况。本申请实施例能够有效提高缺陷检测准确度。有效提高缺陷检测准确度。有效提高缺陷检测准确度。

【技术实现步骤摘要】
晶圆表面缺陷的检测方法、系统、计算机设备和存储介质


[0001]本申请涉及缺陷分析
，特别是涉及一种晶圆表面缺陷的检测方法、系统、计算机设备和存储介质。

技术介绍

[0002]在半导体的生产过程中，常会在晶圆表面引入缺陷。而缺陷的引入影响最终产品的性能。因此，需要对各相关工艺过程中的晶圆表面进行缺陷检测，以监控相应的工艺机台的生产状况。当工艺机台进行生产工艺而产生的缺陷数量大于超过规定规格，则系统会让机台宕机。
[0003]缺陷叠图可以应用在生产工艺过程中产生的缺陷的分析上。具体地，在生产工艺前与生产工艺后均对晶圆表面的缺陷进行扫描检测。传统的叠图方法，以生产工艺前各个缺陷的中心点作为圆心制作具有一定半径的圆，以作为叠图范围。然后，检测生产工艺后各个缺陷的中心点是否位于叠图范围内，从而判断生产工艺后的各个缺陷是否为新增缺陷，从而获取该生产工艺过程中新增的缺陷数量。
[0004]然而，传统方法在一些情况下可能会出现缺陷误判。如生产工艺前扫描获取的缺陷包括聚集缺陷，聚集缺陷尺寸超过叠图范围。而生产工艺后扫描时，由于受到工艺或扫本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，包括：获取目标生产工艺前晶圆表面缺陷的第一缺陷分布图和目标生产工艺后晶圆表面缺陷的第二缺陷分布图；以所述第一缺陷分布图中缺陷的中心为中心的建立第一几何图形；以所述第二缺陷分布图中缺陷的中心为中心建立第二几何图形，所述第二几何图形由闭合轮廓线围设形成；对所述第一缺陷分布图和所述第二缺陷分布图进行叠图，根据所述第二几何图形和第一几何图形之间的重叠状态，判断所述第二缺陷分布图中缺陷的新增状态，以检测所述晶圆表面的缺陷情况。2.根据权利要求1所述的种晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，所述第二几何图形是规则几何图形。3.根据权利要求2所述的晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，所述规则几何图形为矩形或圆形。4.根据权利要求1所述的晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，所述第二几何图形的尺寸由相应缺陷在第一方向上的尺寸和第二方向上的尺寸确定，其中，所述第一方向和所述第二方向垂直。5.根据权利要求4所述的晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，所述第二几何图形的边缘轮廓基于对应的所述第二缺陷分布图中缺陷的边缘轮廓向外周延伸第二预设距离，以使所述第二几何图形的边缘轮廓大于对应的所述第二缺陷分布图中缺陷的边缘轮廓。6.根据权利要求1所述的晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，所述第二几何图形为具有预设边长的正方形或具有第二预设半径的圆形，且所述第二几何图形的中心为对应的第二缺陷分布图中缺陷的中心。7.根据权利要求1所述的晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，判断所述第二缺陷分布图中缺陷的新增状态的过程包括：当所述第二几何图形在所述第一几何图形内或与所述第一几何图形相交时，所述缺陷为重复性缺陷；当所述第二几何图形的边缘轮廓在所述第一几何图形外时，所述缺陷为新增缺陷。8.根据权利要求1
‑
7任一项所述的晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，所述第一几何图形边缘轮廓至少包围对应的所述第一缺陷...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，孙玲，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：