晶圆表面缺陷的检测方法、系统、计算机设备和存储介质技术方案

本申请涉及一种晶圆表面缺陷的检测方法、系统、计算机设备和存储介质。晶圆表面缺陷的检测方法，包括：获取目标生产工艺前晶圆表面缺陷的第一缺陷分布图和目标生产工艺后晶圆表面缺陷的第二缺陷分布图；以第一缺陷分布图中缺陷的中心为中心的建立第一几何图形；以第二缺陷分布图中缺陷的中心为中心建立第二几何图形，第二几何图形由闭合轮廓线围设形成；对第一缺陷分布图和第二缺陷分布图进行叠图，根据第二几何图形和第一几何图形之间的重叠状态，判断第二缺陷分布图中缺陷的新增状态，以检测晶圆表面的缺陷情况。本申请实施例能够有效提高缺陷检测准确度。有效提高缺陷检测准确度。有效提高缺陷检测准确度。

【技术实现步骤摘要】
晶圆表面缺陷的检测方法、系统、计算机设备和存储介质


[0001]本申请涉及缺陷分析
，特别是涉及一种晶圆表面缺陷的检测方法、系统、计算机设备和存储介质。

技术介绍

[0002]在半导体的生产过程中，常会在晶圆表面引入缺陷。而缺陷的引入影响最终产品的性能。因此，需要对各相关工艺过程中的晶圆表面进行缺陷检测，以监控相应的工艺机台的生产状况。当工艺机台进行生产工艺而产生的缺陷数量大于超过规定规格，则系统会让机台宕机。
[0003]缺陷叠图可以应用在生产工艺过程中产生的缺陷的分析上。具体地，在生产工艺前与生产工艺后均对晶圆表面的缺陷进行扫描检测。传统的叠图方法，以生产工艺前各个缺陷的中心点作为圆心制作具有一定半径的圆，以作为叠图范围。然后，检测生产工艺后各个缺陷的中心点是否位于叠图范围内，从而判断生产工艺后的各个缺陷是否为新增缺陷，从而获取该生产工艺过程中新增的缺陷数量。
[0004]然而，传统方法在一些情况下可能会出现缺陷误判。如生产工艺前扫描获取的缺陷包括聚集缺陷，聚集缺陷尺寸超过叠图范围。而生产工艺后扫描时，由于受到工艺或扫描程式影响，原有的聚集缺陷不再是聚集缺陷。此时，传统的缺陷叠图就会出现叠图错误，使得重复性缺陷被误认为是新增缺陷，进而可能会导致机台错误宕机而影响产能。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要针对上述技术问题，本申请实施例提供一种能够提高缺陷检测准确度的晶圆表面缺陷的检测方法、系统、计算机设备和存储介质。
[0006]一种晶圆表面缺陷的检测方法，包括：
[0007]获取目标生产工艺前晶圆表面缺陷的第一缺陷分布图和目标生产工艺后晶圆表面缺陷的第二缺陷分布图；
[0008]以所述第一缺陷分布图中缺陷的中心为中心的建立第一几何图形；
[0009]以所述第二缺陷分布图中缺陷的中心为中心建立第二几何图形，所述第二几何图形由闭合轮廓线围设形成；
[0010]对所述第一缺陷分布图和所述第二缺陷分布图进行叠图，根据所述第二几何图形和第一几何图形之间的重叠状态，判断所述第二缺陷分布图中缺陷的新增状态，以检测所述晶圆表面的缺陷情况。
[0011]在其中一个实施例，所述第二几何图形是规则几何图形。
[0012]在其中一个实施例，所述规则几何图形为矩形或圆形。
[0013]在其中一个实施例，所述第二几何图形的尺寸由相应缺陷在第一方向上的尺寸和第二方向上的尺寸确定，其中，所述第一方向和所述第二方向垂直。
[0014]在其中一个实施例，所述第二几何图形的边缘轮廓基于对应的所述第二缺陷分布
图中缺陷的边缘轮廓向外周延伸第二预设距离，以使所述第二几何图形的边缘轮廓大于对应的所述第二缺陷分布图中缺陷的边缘轮廓。
[0015]在其中一个实施例，所述第二几何图形为具有预设边长的正方形或具有第二预设半径的圆形，且所述第二几何图形的中心为对应的第二缺陷分布图中缺陷的中心。
[0016]在其中一个实施例，判断所述第二缺陷分布图中缺陷的新增状态的过程包括：
[0017]当所述第二几何图形在所述第一几何图形内或与所述第一几何图形相交时，所述缺陷为重复性缺陷；
[0018]当所述第二几何图形的边缘轮廓在所述第一几何图形外时，所述缺陷为新增缺陷。
[0019]在其中一个实施例，所述第一几何图形边缘轮廓至少包围对应的所述第一缺陷分布图中缺陷的边缘轮廓。
[0020]在其中一个实施例，所述第一几何图形的边缘轮廓基于对应的所述第一缺陷分布图中缺陷的边缘轮廓向外周延伸第一预设距离，以使所述第一几何图形的边缘轮廓大于对应的所述第一缺陷分布图中缺陷的边缘轮廓。
[0021]在其中一个实施例，所述第一几何图形是矩形或圆形。
[0022]在其中一个实施例，所述第一缺陷分布图中的缺陷包括离散缺陷和聚集缺陷。
[0023]在其中一个实施例，当第一缺陷分布图中的缺陷为聚集缺陷时，所述第一几何图形边缘轮廓至少包围对应的所述第一缺陷分布图中缺陷的边缘轮廓；
[0024]当第一缺陷分布图中的缺陷为离散缺陷时，所述第一几何图形为以对应的所述缺陷的中心为圆心而建立的具有第一预设半径的圆。
[0025]一种晶圆表面缺陷的检测系统，包括：
[0026]获取模块，用于获取目标生产工艺前晶圆表面缺陷的第一缺陷分布图和目标生产工艺后晶圆表面缺陷的第二缺陷分布图；
[0027]建立模块，用于以所述第一缺陷分布图中缺陷的中心为中心的建立第一几何图形，所述第一几何图形边缘轮廓至少覆盖所述第一缺陷分布图中缺陷的边缘轮廓，且以所述第二缺陷分布图中缺陷的中心为中心建立第二几何图形，所述第二几何图形由闭合轮廓线围设形成；
[0028]叠图模块，用于对所述第一缺陷分布图和所述第二缺陷分布图进行叠图，获取所述第一几何图形和第二几何图形之间的重叠状态，判断所述第二缺陷分布图中缺陷的新增状态，以检测所述晶圆表面的缺陷情况。
[0029]一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任一项所述的方法的步骤。
[0030]一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一项所述的方法的步骤。
[0031]上述晶圆表面缺陷的检测方法、系统、计算机设备和存储介质，通过具有一定面积的第二几何图形是否与第一几何图形重叠，反映第二几何图形对应的缺陷是否落入叠图范围(第一几何图形)内。其相对于传统方式直接判断第二几何图形对应的缺陷中心点是否位于叠图范围内，可以使得第二几何图形对应的缺陷更容易被记作落入叠图范围内。此时，可以有效减少被误判成新增缺陷的数量。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0033]图1为一个实施例中晶圆表面缺陷的检测方法的流程示意图；
[0034]图2至图7为不同实施例中叠图过程示意图；
[0035]图8为一个实施例中第一几何图形与第二几何图形均为矩形时，二者相对位置关系的多种示意图；
[0036]图9为一个实施例中第一几何图形与第二几何图形均为圆形时，二者相对位置关系的多种示意图；
[0037]图10为一个实施例中晶圆表面缺陷的检测系统的结构框图；
[0038]图11为一个实施例中的计算机设备的内部结构图。
[0039]附图标记说明：100
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获取模块，200
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建立模块，300
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叠图模块。
具体实施方式
[0040]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，包括：获取目标生产工艺前晶圆表面缺陷的第一缺陷分布图和目标生产工艺后晶圆表面缺陷的第二缺陷分布图；以所述第一缺陷分布图中缺陷的中心为中心的建立第一几何图形；以所述第二缺陷分布图中缺陷的中心为中心建立第二几何图形，所述第二几何图形由闭合轮廓线围设形成；对所述第一缺陷分布图和所述第二缺陷分布图进行叠图，根据所述第二几何图形和第一几何图形之间的重叠状态，判断所述第二缺陷分布图中缺陷的新增状态，以检测所述晶圆表面的缺陷情况。2.根据权利要求1所述的种晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，所述第二几何图形是规则几何图形。3.根据权利要求2所述的晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，所述规则几何图形为矩形或圆形。4.根据权利要求1所述的晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，所述第二几何图形的尺寸由相应缺陷在第一方向上的尺寸和第二方向上的尺寸确定，其中，所述第一方向和所述第二方向垂直。5.根据权利要求4所述的晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，所述第二几何图形的边缘轮廓基于对应的所述第二缺陷分布图中缺陷的边缘轮廓向外周延伸第二预设距离，以使所述第二几何图形的边缘轮廓大于对应的所述第二缺陷分布图中缺陷的边缘轮廓。6.根据权利要求1所述的晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，所述第二几何图形为具有预设边长的正方形或具有第二预设半径的圆形，且所述第二几何图形的中心为对应的第二缺陷分布图中缺陷的中心。7.根据权利要求1所述的晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，判断所述第二缺陷分布图中缺陷的新增状态的过程包括：当所述第二几何图形在所述第一几何图形内或与所述第一几何图形相交时，所述缺陷为重复性缺陷；当所述第二几何图形的边缘轮廓在所述第一几何图形外时，所述缺陷为新增缺陷。8.根据权利要求1
‑
7任一项所述的晶圆表面缺陷的检测方法，其特征在于，所述第一几何图形边缘轮廓至少包围对应的所述第一缺陷...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，孙玲，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：