弹坑检测方法技术

本申请提供一种弹坑检测方法，所述弹坑检测方法包括：制备饱和碱溶液，将完成键合后的芯片浸泡在饱和碱溶液中预设时间，取出浸泡在所述饱和碱溶液中的芯片，对芯片进行清洗，并在显微镜下进行观察；观察清洗后的芯片，并确认清洗后的芯片是否存在弹坑。采用本申请的实施例，可以检测芯片键合中的弹坑，检测步骤简单，检测效果好。检测效果好。检测效果好。

【技术实现步骤摘要】
弹坑检测方法


[0001]本申请涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种弹坑检测方法。

技术介绍

[0002]半导体封装领域在不断寻求良好的工艺性能，以低廉的金属取代金丝，降低包装成本，提高可靠性。例如，铜线具有良好的电气和机械性能，因此受到大多数制造商的青睐，并开始大量生产铜线和镀钯铜线。
[0003]与金丝键合技术相比，纯铜球的硬度可以是金球的两倍，而镀钯铜丝的硬度则更高，可以降低铜球的键合特性。为了克服铜线硬度和屈服强度高的问题，在键合过程中需要非常大的超声功率和键合压力，然而这样会容易损坏硅片，形成凹坑，进而严重影响产品质量和可靠性。因此，弹坑的检测至关重要，成为了集成电路封装键合过程中关键的质量控制点。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请提供一种弹坑检测方法，能够检测芯片键合中的弹坑，检测步骤简单，检测效果好。
[0005]本申请的实施例提供一种弹坑检测方法，所述弹坑检测方法包括：制备饱和碱溶液；将完成键合后的芯片浸泡在所述饱和碱溶液中预设时间；取出浸泡在所述饱和碱溶液中的所述芯片，对所述芯片进行清洗本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种弹坑检测方法，其特征在于，所述弹坑检测方法包括：制备饱和碱溶液；将完成键合后的芯片浸泡在所述饱和碱溶液中预设时间；取出浸泡在所述饱和碱溶液中的所述芯片，对所述芯片进行清洗，并在显微镜下进行观察；观察清洗后的所述芯片，并确认清洗后的所述芯片是否存在弹坑。2.根据权利要求1所述的弹坑检测方法，其特征在于，所述弹坑检测方法还包括：使用探针或者小刀具轻刮所述芯片表面；若所述芯片表面有刮痕，所述芯片的铝层没有被完全去除，将所述芯片重新浸泡在所述饱和碱溶液，直到所述铝层被完全去除。3.根据权利要求2所述的弹坑检测方法，其特征在于，所述弹坑检测方法还包括：当所述铝层被完全去除后，使用探针或者小刀具轻划所述芯片的硅层；若所述硅层上有弹坑，则确认所述芯片的键合工艺不合格，调整所述芯片的键合工艺参数。4.根据权利要求3所述的弹坑检测方法，其特征在于，若所述硅层的表面光滑且无坑印，则确认所述芯片的键合工艺合格。5.根据权利要求4所述的弹...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐宏浩，郑泽东，陈霏，周福鸣，和巍巍，汪之涵，
申请(专利权)人：深圳基本半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：