半导体器件制造技术

一个实施例公开一种半导体器件，包括：半导体结构，该半导体结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间布置的有源层并且包括多个第一凹部和第二凹部，多个第一凹部被布置为通过穿透第二导电半导体层和有源层直到第一导电半导体层的部分区域，第二凹部被布置在多个第一凹部之间；多个第一电极，其被布置在多个第一凹部内，并且与第一导电半导体层电连接；多个第二电极，其被电连接到第二导电半导体层；以及反射层，其被布置在第二凹部内，其中多个第一凹部的面积和第二凹部的面积之和为半导体结构的第一方向中的最大面积的60％或更小，多个第一凹部的面积和第二凹部的面积是在半导体结构的下表面上形成的面积，并且第一方向垂直于半导体结构的厚度方向。方向垂直于半导体结构的厚度方向。方向垂直于半导体结构的厚度方向。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件


[0001]实施例涉及半导体器件。

技术介绍

[0002]包括诸如GaN、AlGaN等化合物的半导体器件具有许多优点，诸如宽且易于调节的带隙能量等，并且能够被不同地用作发光器件、光接收器件、各种二极管等等。
[0003]具体地，使用III
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V族或II
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VI族化合物半导体材料的诸如发光二极管或激光二极管的发光器件可以使用荧光体或通过组合颜色来实现由薄膜生长技术和器件材料的发展产生的各种颜色，诸如红光、绿光、蓝光、紫外光等等，以及具有高效率的白光，并且当与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比具有低功耗、半永久寿命、快速响应时间、安全和环境友好的优点。
[0004]此外，当使用III
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V族或II
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VI族化合物半导体材料制造诸如光电探测器或太阳能电池的光接收器件时，由于元件材料的发展，光接收器件吸收各种波长区域的光以产生光电流，使得可以使用从伽马射线到无线电波长区域的各种波长区域的光。此外，利用快速响应速度、安全性、环境友好性和易于控制器件材料的优点本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体结构，所述半导体结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间布置的有源层、多个第一凹部、以及第二凹部，所述多个第一凹部被布置为通过穿过所述第二导电半导体层和所述有源层直到所述第一导电半导体层的某个区域，所述第二凹部被布置在所述多个第一凹部之间；多个第一电极，所述多个第一电极被布置在所述多个第一凹部内并且被电连接到所述第一导电半导体层；多个第二电极，所述多个第二电极被电连接到所述第二导电半导体层；以及反射层，所述反射层被布置在所述第二凹部内，所述半导体结构包括在半导体结构的侧表面和第二凹部之间布置的第二区域。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体结构的侧表面与所述第二凹部之间的分离距离在1.0μm至10μm的范围内。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多个第二电极包括边缘电极，所述边缘电极被布置在所述第二区域中。4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体器件，其特征在于，第一方向是与所述半导体结构的厚度方向垂直的方向；相对于所述第一方向中的所述半导体结构的最大面积，所述多个第二凹部的面积处于4％至10％的范围内。5.根据权利要求1至3任一项所述的半导体器...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴修益，
申请(专利权)人：苏州乐琻半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：