【技术实现步骤摘要】
半导体器件及包括其的半导体器件封装
[0001]本申请是申请日为2017年9月1日、申请号为201710780660.X,专利技术名称为“半导体器件及包括其的半导体器件封装”的专利技术专利申请的分案申请。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请要求享有于2016年9月1日在韩国递交的韩国专利申请第10
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2016
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0112809号和于2016年12月2日在韩国递交的韩国专利申请第10
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2016
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0163830号的优先权,该申请的全部内容通过参考合并于此。
[0004]实施例涉及一种半导体器件及包括其的半导体器件封装。
技术介绍
[0005]包括如GaN、AlGaN等的化合物的半导体器件具有许多优点,例如,具有宽且易于调节的带隙能量,因此,可多样地用作发光器件、受光元件及各种二极管等。
[0006]尤其,使用第3
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5族或2
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6族化合物半导体材料的发光二极管和激光二极管 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:半导体结构,包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层及布置在所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层;其中,所述有源层包括多个阻挡层和阱层,所述阻挡层、所述阱层、所述第一导电型半导体层及所述第二导电型半导体层包括铝,所述第二导电型半导体层包括铝组成随远离所述有源层而以一斜率渐小的半导体层。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,所述第二导电型半导体层包括第2
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2导电型半导体层、和布置在所述第2
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2导电型半导体层上的第2
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1导电型半导体层,所述第2
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1导电型半导体层的铝组成越远离所述有源层,以一斜率越减少。3.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,所述第2
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1导电型半导体层的铝组成越远离所述有源层,以第一斜率越减少;所述第2
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2导电型半导体层的铝组成越远离所述有源层,以第二斜率越减少;所述第一斜率大于所述第二斜率。4.根据权利要求3所述的半导体器件,其特征在于,所述第2
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2导电型半导体层的铝组成高于所述阱层的铝组成,所述第2
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1导电型半导体层的铝组成低于所述阱层的铝组成。5.根据权利要求2至4中任意一项所述的半导体器件,其特征在于,所述第2
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1导电型半导体层的铝减少幅度大于所述第2
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2导电型半导体层的铝减少幅度。6.根据权利要求2至4中任意一项所述的半导体器件,其特征在于,所述第2
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1导电型半导体层的铝组成大于1%且小于50%,所述第2
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1导电型半导体层的厚度大于1nm且小于30nm。7.根据权利要求2至4中任意一项所述的半导体器件,其特征在于,所述第2
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1导电型半导体层的厚度小于所述第2
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2导电型半导体层的厚度。8.根据权利要求2至4中任意一项所述的半导体器件,其特征在于,所述第2
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2导电型半导体层的铝组成大于40%且小于80%,所述第2
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2导电型半导体层的厚度大于10nm且小于200nm。9.根据权利要求1所述的半导体器件,...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴炫智,崔洛俊,金炳祚,
申请(专利权)人:苏州乐琻半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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