一种半导体外延结构及LED芯片制造技术

本实用新型专利技术提供了一种半导体外延结构及LED芯片，通过在所述衬底表面依次堆叠缺陷阻隔层、第一N型半导体层、电流阻挡层、第二N型半导体层、有源层、P型半导体层。通过所述缺陷阻隔层阻挡所述衬底与半导体层之间因晶格失配所产生的缺陷的向上延伸；同时，通过所述电流阻挡层阻挡电流在所述第二N型半导体层表面的纵向传输，提高电流在界面的横向传递，增加电流扩展的效果。流扩展的效果。流扩展的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体外延结构及LED芯片


[0001]本技术涉及发光二极管领域，尤其涉及一种半导体外延结构及LED 芯片。

技术介绍

[0002]发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种能发光的半导体电子元件。LED具有效率高、寿命长、体积小、功耗低等优点，可以应用于室内外白光照明、屏幕显示、背光源等领域。在LED产业的发展中，氮化镓(GaN)基材料是V
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III族化合物半导体的典型代表，提高GaN基LED的光电性能已成为半导体照明产业的关键。
[0003]外延片是LED制备过程中的初级成品。现有的GaN基LED外延片包括衬底、N型半导体层、有源层和P型半导体层。衬底用于为外延材料提供生长表面，N型半导体层用于提供进行复合发光的电子，P型半导体层用于提供进行复合发光的空穴，有源层用于进行电子和空穴的辐射复合发光。
[0004]然而，由于衬底(碳化硅、蓝宝石、硅片等)与GaN之间存在晶格常数的差异，在衬底上生长GaN基外延层的过程中会积累应力和缺陷，在沉积过程中的应力释放导致位错的产本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体外延结构，其特征在于，包括：衬底；在所述衬底表面依次堆叠的缺陷阻隔层、第一N型半导体层、电流阻挡层、第二N型半导体层、有源层以及P型半导体层；其中，所述半导体外延结构作为GaN系发光二极管的外延结构，则所述第二N型半导体层包括n型掺杂的GaN层，所述P型半导体层包括p型掺杂的GaN层；所述缺陷阻隔层包括AlGaN膜层，用于阻挡所述衬底与半导体层之间因晶格失配所产生的缺陷的向上延伸；所述电流阻挡层包括AlGaN层，用于阻挡电流在所述第二N型半导体层表面的纵向传输。2.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，所述第一N型半导体层包括沿第一方向非均匀n型掺杂的半导体层，所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述P型半导体层。3.根据权利要求1所述的半导体外延结构，其特征在于，所述缺陷阻隔层的Al组分大于所述电流阻挡层的Al组分。...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志伟，蔡玉梅，崔恒平，陈凯轩，蔡建九，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：