LED芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及一种LED芯片，包括：衬底；外延结构，位于所述衬底的表面，所述外延结构包括发光层；氮化物限制层，位于所述外延结构背离所述衬底的表面，所述氮化物限制层中设置有开口，以暴露出部分所述外延结构背离所述衬底的表面；透明导电层，填满所述开口，并覆盖所述氮化物限制层背离所述衬底的表面。上述LED芯片，氮化物限制层中设置有开口，透明导电层填满该开口并覆盖于氮化物限制层的上表面，与氮化物限制层之间形成了高势垒接触，当通过开口附件的透明导电层形成载流子注入发光层时，载流子被有效限制在刻蚀开口下方，极大地降低侧壁缺陷对载流子的捕获，提高载流子注入效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
LED芯片


[0001]本技术涉及半导体器件领域，特别涉及一种LED芯片。

技术介绍

[0002]基于第三代半导体材料的GaN基Micro
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LED新型显示具备高发光效率、高亮度、响应时间短和可靠性好的优良特性，被誉为继LCD和OLED显示的下一代显示技术。
[0003]近几年来，Micro
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LED显示成为一个炙手可热的研究方向，得到国内外产业界和学术界的高度重视，另外，Micro
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LED的光电调制带宽达GHz，远高于照明LED，具有高速并行可见光通信的优势。
[0004]但是目前Micro
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LED应用于显示技术仍有一些问题需要解决，随着器件尺寸减小Micro
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LED的外量子效率急剧下降，因为器件尺寸减小，表面积体积比增加，由切割造成器件侧壁表面损伤严重，导致电流泄露和外量子效率衰减，尤其当器件尺寸减小到100μm以下时，侧壁缺陷占比急剧增加，产生的表面态复合更加严重，影响器件光电特性。

技术实现思路

>[0005]基于此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底；外延结构，位于所述衬底的表面，所述外延结构包括发光层；氮化物限制层，位于所述外延结构背离所述衬底的表面，所述氮化物限制层中设置有开口，以暴露出部分所述外延结构背离所述衬底的表面；透明导电层，填满所述开口，并覆盖所述氮化物限制层背离所述衬底的表面。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述氮化物限制层包括含铝氮化物层。3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述含铝氮化物层包括p型AlGaN层、非掺杂AlGaN层或非掺杂AlN层。4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述外延结构还包括第一导电类型的氮化物叠层；所述第一导电类型的氮化物叠层位于所述发光层和氮化物限制层之间，所述第一导电类型的氮化物叠层与所述开口中的透明导电层相接触。5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，第一导电类型的氮化物叠层材料层包括从下至上依次叠置的第一导电类型的第一氮化物层、电子阻挡层、第一导电类型的第二氮化物层及第一导电类型的第三氮化物层。6.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于，所述第一导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫其昂，王国斌，
申请(专利权)人：江苏第三代半导体研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：