表面发射激光器器件和包括其的发光器件制造技术

本申请实施例涉及表面发射激光器器件和包括其的发光器件，表面发射激光器器件包括：第一反射层、第二反射层和有源区，第一反射层包括：具有第一铝浓度的第一

【技术实现步骤摘要】
表面发射激光器器件和包括其的发光器件
[0001]本申请是2019年1月7日提交的申请号为201910011551.0，专利技术名称为“表面发射激光器器件和包括其的发光器件”的专利技术专利申请的分案申请。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]本申请要求享有于2018年1月9日在韩国递交的KR10
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2018
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0002976和于2018年2月2日在韩国递交的KR10
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2018
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0013486的优先权，该申请的全部内容通过参考合并于此。


[0004]实施例涉及一种半导体器件，并且更具体地，涉及一种表面发射激光器器件、表面发射激光器封装和包括该表面发射激光器器件的发光器件。

技术介绍

[0005]包括诸如GaN和AlGaN的化合物的半导体器件具有许多优点，诸如具有宽且易于调节的带隙能量，并且可以不同地用作发光器件、光接收器件和各种二极管。
[0006]特别地，使用半导体的III
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V族或II/>‑
VI本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种表面发射激光器器件，包括：第一反射层和第二反射层；以及有源区，所述有源区被布置在所述第一反射层和所述第二反射层之间，其中，所述第一反射层包括：第一
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第一层，所述第一
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第一层具有第一铝浓度；第一
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第二层，所述第一
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第二层具有高于所述第一铝浓度的第二铝浓度并且被布置在所述第一
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第一层上；以及第一
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第三层，所述第一
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第三层被布置在所述第一
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第一层和所述第一
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第二层之间并且具有在所述第一
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第三层内从所述第一铝浓度变化到所述第二铝浓度的第三铝浓度，其中，所述第一
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第一层比所述第一
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第二层更靠近所述有源区，其中，所述第一
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第一层、所述第一
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第二层和所述第一
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第三层掺杂有第一导电类型的掺杂剂，所述第一
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第三层的第一导电掺杂浓度低于所述第一
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第一层的第一导电掺杂浓度和/或所述第一
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第二层的第一导电掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的表面发射激光器器件，其中，所述第一导电类型的掺杂剂为n型掺杂剂。3.根据权利要求1或2所述的表面发射激光器器件，其中，所述第一反射层还包括：第一
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第四层，所述第一
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第四层具有从所述第二铝浓度变化到所述第一铝浓度的第四铝浓度并且被布置在所述第一
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第二层上；其中，所述第一
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第二层被布置在所述第一
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第一层和所述第一
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第四层之间，其中，所述第一
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第四层掺杂有第一导电类型的掺杂剂，其中，所述第一
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第四层的第一导电掺杂浓度高于所述第一
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第一层和/或所述第一
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第二层的第一导电掺杂浓度。4.根据权利要求1所述的表面发射激光器器件，其中，所述有源区包括包含第一导电掺杂层的第一腔体和有源层，其中，所述第一腔体包括与所述有源层接触的第一
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第二腔体和与所述有源层隔开的第一
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第一腔体，其中，所述第一
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第一腔体与所述第一
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第二腔体直接接触，以及其中，所述第一导电掺杂层仅被布置在所述第一
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第一腔体中。5.根据权利要求4所述的表面发射激光器器件，其中，所述第一腔体包括基于Al
x
GaAs的层，0<X<1，所述第一腔体中的Al浓度被控制以在所述有源层的方向上降低。6.根据权利要求1所述的表面发射激光器器件，其中，所述有源区包括第一腔体，所述第一腔体与所述第一反射层相邻并且包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜镐在，张正训，
申请(专利权)人：苏州乐琻半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：