一种高铝组分的AlGaAs层湿法氧化的方法技术

本发明专利技术涉及一种高铝组分的AlGaAs层湿法氧化的方法，属于半导体光电子技术领域。许多光电器件的制备中都涉及对高铝组分的AlGaAs层的湿法氧化，如垂直腔面发射激光器。由于湿法氧化工艺变量多、对台面侧壁完整性要求较高等原因，常导致氧化形状不规则。本发明专利技术通过在常规湿法氧化工艺中增加湿法钝化工艺的方式，改善台面侧壁完整性，从而解决由于台面侧壁完整性差导致的氧化形状不规则的问题。整性差导致的氧化形状不规则的问题。整性差导致的氧化形状不规则的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种高铝组分的AlGaAs层湿法氧化的方法


[0001]本专利技术涉及一种高铝组分的AlGaAs层湿法氧化的方法，属于半导体光电子


技术介绍

[0002]铝镓砷(AlGaAs)材料是
Ⅲ‑Ⅴ
族化合物半导体的典型代表，具有载流子迁移率高、组分可调、与GaAs晶格相近等优势。AlGaAs作为一种重要的光电材料被广泛应用于新型激光器的制备中，如垂直腔面发射半导体激光器(Vertical cavity surface emitting laser,VCSEL)。VCSEL具有阈值电流低、易二维集成等优点，是光互连、光通信和激光显示等领域的理想光源。在VCSEL有源层附近生长有一层高Al组分的AlGaAs层，该高Al组分层在较高温度下易与水汽发生反应，生成化学性质稳定、绝缘性良好的Al
x
O
y
。通过湿法氧化工艺对高Al组分层进行部分氧化形成Al
x
O
y
绝缘层，此绝缘层不但可实现横向的电流限制，且由于氧化部分折射率低于未氧化部分折射率，形成强的折射率波导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高铝组分的AlGaAs层湿法氧化的方法，所述高铝组分通式为AlxGa
(1
‑
x)
As，其中x>0.9，其特征在于，在制备暴露出高铝组分的AlGaAs层工艺后加入湿法钝化工艺；所述的湿法钝化工艺，使用含N溶液或含S溶液实现；含N溶液选用联氨溶液，含S溶液选自：Na2S
·
9H2O、(NH4)...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔碧峰，冯靖宇，陈芬，陈中标，郑祥瑞，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：