发光装置和制造发光装置的方法制造方法及图纸

根据本发明专利技术的实施例的发光装置设置有：半绝缘基板，具有彼此相对的第一表面和第二表面；导电半导体层，堆叠在半绝缘基板的第一表面上；半导体堆叠体，堆叠在半绝缘基板的第一表面上，半导体层在半导体堆叠体与半绝缘基板的第一表面之间，半导体堆叠体具有能够发射激光光束的发光区域，并且具有在半绝缘基板侧上的脊部；掩埋层，设置在半导体堆叠体的脊部周围；以及非连续晶格面，设置在半绝缘基板与半导体堆叠体之间。导体堆叠体之间。导体堆叠体之间。

Light emitting device and method of manufacturing light emitting device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光装置和制造发光装置的方法


[0001]本公开涉及例如具有脊结构的发光装置和制造发光装置的方法。

技术介绍

[0002]例如，专利文献1公开了一种光半导体装置，其中，第一半导体部和第二半导体部在第一半导体部和第二半导体部中的一个中形成的用于电流限制的微小区域中电接合。
[0003]引用列表
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本未经审查的专利申请公开No.H11
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266056

技术实现思路

[0006]顺便提及，要求脊部限制型表面发射激光器具有更高的可靠性。
[0007]期望提供一种能够提高可靠性的发光装置和制造发光装置的方法。
[0008]根据本公开的实施例的发光装置包括：半绝缘基板；半导体层；半导体堆叠体；掩埋层；以及非连续晶格面。半绝缘基板具有彼此相对的第一表面和第二表面。半导体层堆叠在半绝缘基板的第一表面上。半导体层具有导电性。所述半导体堆叠体隔着所述半导体层堆叠在所述半绝缘基板的所述第一表面上。该半导体堆叠体具有发光区域，并且包括在半绝缘基板侧的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光装置，包括：半绝缘基板，具有彼此相对的第一表面和第二表面；半导体层，堆叠在所述半绝缘基板的第一表面上，所述半导体层具有导电性；半导体堆叠体，堆叠在所述半绝缘基板的第一表面上方，所述半导体层介于所述半导体堆叠体与所述半绝缘基板的第一表面之间，所述半导体堆叠体具有发光区域并且包括在半绝缘基板侧上的脊部，所述发光区域被配置为发射激光；掩埋层，设置在所述半导体堆叠体的脊部周围；以及非连续晶格面，设置在所述半绝缘基板与所述半导体堆叠体之间。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述半导体堆叠体具有从所述半绝缘基板侧依次堆叠的第一光反射层、有源层和第二光反射层。3.根据权利要求2所述的发光装置，其中，所述半导体堆叠体的第一光反射层被包括在所述脊部中。4.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述掩埋层包括电介质材料、树脂材料或金属材料中的至少一种。5.根据权利要求1所述的发光装置，进一步包括：第一电极，设置在所述半导体层的前表面上；以及第二电极，设置在所述半导体堆叠体的与所述半绝缘基板相对的前表面上，所述第二电极被设置成被配置为与所述第一电极一起将预定电压施加至所述半导体堆叠体。6.根据权利要求5所述的发光装置，其中，所述第一电极和所述半导体堆叠体通过所述半导体层电耦合。7.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述半导体层在所述半导体堆叠体的堆叠区域与另一区域之间具有水平差。8.根据权利要求1所述的发光装置，进一步包括：在所述半绝缘基板与所述半导体层之间的电介质层。9.根据权利要求1所述的发光装置，进一步包括：在所述半绝缘基板与所述半导体层之间的导电层，所述导电层具有光透射率。10.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述半绝缘基板包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：荒木田孝博，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：