一种基于GaAs基高带隙隧道结的大功率激光器结构制造技术

本申请公开了一种基于GaAs基高带隙隧道结的大功率激光器结构，包括多层type

【技术实现步骤摘要】
一种基于GaAs基高带隙隧道结的大功率激光器结构


[0001]本申请属于表面发射激光
，具体涉及一种基于GaAs基高带隙隧道结的大功率激光器结构。

技术介绍

[0002]垂直腔表面发射激光(VCSEL)在数据通信系统中已成为重要部件。目前的商用激光器在850nm运行，通过在GaAs衬底上施加AlAsGaAs/GaAs半导体层制成。在这些激光器中，形成光学腔的镜子是用交替的AlAs和GaAs层制成的，其中AlAs/AlGaAs镜至少在活性区域的一侧。与活性区域相邻的一侧是n
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型垫料层，另一侧是在对激光器施加电压时向活性区域注入载流子的p
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型垫料层。实现VCSEL在重要的远程通信波长短波长产生激光的方法之一是由基于InP衬底材料制作激光器。
[0003]该方法的一个问题是激光器p掺杂层内较高的自由载流子吸收。自由载流子吸收是其中带内的电子或空穴通过从低能级向较空的高能级跃迁而吸收辐射的现象。更糟的是p
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型层的较差迁移率导致的非均匀电流注入。因此，需要较厚的p
‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于GaAs基高带隙隧道结的大功率激光器结构，其特征在于，包括多层type
‑Ⅱ
隧道结、垫料层、活性区域和干涉反射器；所述垫料层围绕所述多层type
‑Ⅱ
隧道结，所述活性区域位于所述垫料层内部；所述活性区域为载流子注入复合区，所述活性区域用于响应于从所述多层type
‑Ⅱ
隧道结注入的电荷而产生激射波长的光的有效带隙，产生短波长的光；所述干涉反射器用于提供光反馈，所述干涉反射器包括第一干涉反射器和第二干涉反射器，所述第一干涉反射器和所述第二干涉反射器分别位于所述垫料层的顶部和底部。2.根据权利要求1所述的基于GaAs基高带隙隧道结的大功率激光器结构，其特征在于，所述多层type
‑Ⅱ
隧道结中共有N个上下连接的type
‑Ⅱ
隧道结；所述多层type
‑Ⅱ
隧道结的底层为n型缓冲层，顶层为碳掺杂p型缓冲层。3.根据权利要求2所述的基于GaAs基高带隙隧道结的大功率激光器结构，其特征在于，每一个所述type
‑Ⅱ
隧道结均包括自上而下顺序连接的P型GaAs接触层、P型AlGaAs
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AlAs
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AlGaAs约束层、P型GaAsSb层、隧道结TJstructure层、N型GaAs层、N型AlGaAs
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AlAs
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AlGaAs约束层、N型GaAs层和N型GaAs接触层。4.根据权利要求3所述的基于GaAs基高带隙隧道结的大功率激...

【专利技术属性】
技术研发人员：李惠，赵世龙，陈钊，
申请(专利权)人：青岛科技大学，
类型：发明
国别省市：