温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种高铝组分的AlGaAs层湿法氧化的方法，属于半导体光电子技术领域。许多光电器件的制备中都涉及对高铝组分的AlGaAs层的湿法氧化，如垂直腔面发射激光器。由于湿法氧化工艺变量多、对台面侧壁完整性要求较高等原因，常导致氧化形状不规...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。