一种GaN基发光二极管结构制造技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，具体涉及一种GaN基发光二极管结构，该GaN基发光二极管结构，包括：衬底和依次设置于衬底上的n型半导体层、发光活性层和p型半导体层；n型半导体层上设置有凹槽，且凹槽向靠近衬底的方向凹陷；N电极，N电极为条状，N电极平铺于n型半导体层上，且至少部分N电极位于凹槽内。本申请中衬底包括接触件，本申请提供的GaN基发光二极管结构中，N电极平铺于n型半导体层上，且至少部分N电极位于凹槽内。由于设置了条状的N电极和凹槽，能够增加N电极的接触面积，无需减少大量的发光活性层的面积，能够保证亮度。能够保证亮度。能够保证亮度。

【技术实现步骤摘要】
一种GaN基发光二极管结构


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种GaN基发光二极管结构。

技术介绍

[0002]二极管结构包括：衬底及衬底上依次设置的n型半导体层、发光活性层和p型半导体层，在生产时需要刻蚀到n型半导体层，并在p型半导体层和n型半导体层上分别制作P电极和N电极。
[0003]N电极面积的大小影响器件的电压，常规GaN基发光二极管水平结构中，制作N电极需要蚀刻掉大面积的p型半导体层及发光活性层再在n型半导体层上设置N电极。为了降低电压需要增大N电极的面积，增大N电极的面积就要减少大量的发光活性层的面积，会影响亮度。在常规GaN蓝光水平结构二极管中，n电极刻蚀大小影响了发光的亮度。

技术实现思路

[0004](一)本专利技术所要解决的技术问题之一是：现有增大N电极的面积会影响GaN基发光二极管结构的亮度的问题。
[0005](二)技术方案
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种GaN基发光二极管结构，包括：衬底和依次设置于所述衬底上的n型半导体层、发光活性层和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GaN基发光二极管结构，其特征在于，包括：衬底和依次设置于所述衬底上的n型半导体层、发光活性层和p型半导体层；所述n型半导体层上设置有凹槽，且所述凹槽向靠近所述衬底的方向凹陷；N电极，所述N电极为条状，所述N电极平铺于所述n型半导体层上，且至少部分所述N电极位于所述凹槽内。2.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管结构，其特征在于：所述凹槽包括第一凹槽和与所述第一凹槽连通的第二凹槽，所述第一凹槽依次贯穿所述n型半导体层、发光活性层和所述n型半导体层，所述第二凹槽靠近所述衬底的方向凹陷。3.根据权利要求2所述的GaN基发光二极管结构，其特征在于：所述第二凹槽的纵截面...

【专利技术属性】
技术研发人员：阚钦，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：