一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构制造技术

本发明专利技术涉及ESD保护电路技术领域，且公开了一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，包括输入电路，所述输入电路电性连接有保护电阻，所述保护电阻远离输入电路的一侧电性连接有MOS集成电路管，所述MOS集成电路管的外壁均匀的固定连接有放电针。该硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，使用时散热风扇吹出的风进入到进风口中，将负离子发生装置产生的负离子均匀的吹到保护管的内部，此时这些负离子可以消除MOS集成电路管附近带正电的粒子，从而达到了避免MOS集成电路产生静电现象，当电路中出现静电现象影响到MOS集成电路管时，此时经过放电针可以及时的消除电路中静电，避免MOS集成电路受到静电影响。电路受到静电影响。电路受到静电影响。

【技术实现步骤摘要】
一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构


[0001]本专利技术涉及ESD保护电路
，具体为一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构。

技术介绍

[0002]MOS集成电路是以金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管为主要元件构成的集成电路，是一种常用的集成电路，其具有制造结构简单，隔离方便、电路尺寸小、功耗低适于高密度集成、MOS管为双向器件，设计灵活性高、具有动态工作独特的能力、温度特性好等优点。
[0003]传统的硅栅MOS集成电路的ESD保护，有很多结构简单的电路，其中以栅极直接接地或者栅极通过电阻接地的为典型代表，这种电路无法保证端口先经过NMOS管释放静电，再经过电阻释放静电，这容易烧毁电路，为解决上述问题，我们提出了一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，为解决上述的问题，本专利技术提供如下技术方案：一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，包括输入电路，所述输入电路电性连接有保护电阻，所述保护电阻远离输入电路的一侧电性连接有MOS集成电路管，所述MOS集成电路管的外壁均匀的固定连接有放电针，所述MOS集成电路管远离保护电阻的一侧电性连接有输出电路，所述MOS集成电路管的外部套接有保护管，所述保护管的外部固定连接有放电嘴，所述保护管的顶部设有进风口，所述进风口的内部安装有负离子发生装置，所述保护管远离进风口的一侧设有出风口。
[0005]进一步的，所述放电针远离MOS集成电路管的一端逐渐变细，便于放电。
[0006]进一步的，所述保护管的外壁接地，便于放电。
[0007]进一步的，所述放电嘴罩在放电针的外部，提高放电安全性。
[0008]进一步的，所述进风口正对电路散热风扇的风口，便于风进入到进风口中。
[0009]进一步的，所述负离子发生装置可均匀的产生负离子，便于抵消产生的正离子。
[0010]与现有技术相比，本专利技术提供了一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，具备以下有益效果：
[0011]该硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，使用时，散热风扇吹出的风进入到进风口中，将负离子发生装置产生的负离子均匀的吹到保护管的内部，此时这些负离子可以消除MOS集成电路管附近带正电的粒子，从而达到了避免MOS集成电路产生静电现象，当电路中出现静电现象影响到MOS集成电路管时，此时经过放电针可以及时的消除电路中静电，避免MOS集成电路受到静电影响。
附图说明
[0012]图1为本专利技术整体结构主视示意图；
[0013]图2为本专利技术保护管结构剖视示意图；
[0014]图3为本专利技术图2中A结构放大示意图。
[0015]图中：1、输入电路；2、保护电阻；3、MOS集成电路管；4、放电针；5、输出电路；6、保护管；7、放电嘴；8、进风口；9、负离子发生装置；10、出风口。
具体实施方式
[0016]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0017]该硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构的实施例如下：
[0018]请参阅图1
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图3，一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，包括输入电路1，输入电路1电性连接有保护电阻2，保护电阻2远离输入电路1的一侧电性连接有MOS集成电路管3，MOS集成电路管3的外壁均匀的固定连接有放电针4，放电针4远离MOS集成电路管3的一端逐渐变细，便于放电，MOS集成电路管3远离保护电阻2的一侧电性连接有输出电路5，MOS集成电路管3的外部套接有保护管6，保护管6的外壁接地，便于放电，保护管6的外部固定连接有放电嘴7，放电嘴7罩在放电针4的外部，提高放电安全性，保护管6的顶部设有进风口8，进风口8正对电路散热风扇的风口，便于风进入到进风口8中，进风口8的内部安装有负离子发生装置9，负离子发生装置9可均匀的产生负离子，便于抵消产生的正离子，保护管6远离进风口8的一侧设有出风口10。
[0019]工作原理:使用时，因为进风口8正对电路散热风扇的风口，所以散热风扇吹出的风可以进入到进风口8中，又因为进风口8的内部安装有负离子发生装置9，负离子发生装置9可均匀的产生负离子，所以此时散热风扇吹出的风可以将负离子发生装置9产生的负离子均匀的吹到保护管6的内部，又因为MOS集成电路管3的外部套接有保护管6，所以此时负离子可以消除MOS集成电路管3附近带正电的粒子，从而达到了避免MOS集成电路产生静电现象。
[0020]当电路中出现静电现象影响到MOS集成电路管3时，因为MOS集成电路管3的外壁均匀的固定连接有放电针4，放电针4远离MOS集成电路管3的一端逐渐变细，所以此时经过放电针4可以及时的消除电路中静电，避免MOS集成电路受到静电影响。
[0021]综上，该硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，使用时，散热风扇吹出的风进入到进风口8中，将负离子发生装置9产生的负离子均匀的吹到保护管6的内部，此时这些负离子可以消除MOS集成电路管3附近带正电的粒子，从而达到了避免MOS集成电路产生静电现象，当电路中出现静电现象影响到MOS集成电路管3时，此时经过放电针4可以及时的消除电路中静电，避免MOS集成电路受到静电影响。
[0022]尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构，包括输入电路(1)，其特征在于：所述输入电路(1)电性连接有保护电阻(2)，所述保护电阻(2)远离输入电路(1)的一侧电性连接有MOS集成电路管(3)，所述MOS集成电路管(3)的外壁均匀的固定连接有放电针(4)，所述MOS集成电路管(3)远离保护电阻(2)的一侧电性连接有输出电路(5)，所述MOS集成电路管(3)的外部套接有保护管(6)，所述保护管(6)的外部固定连接有放电嘴(7)，所述保护管(6)的顶部设有进风口(8)，所述进风口(8)的内部安装有负离子发生装置(9)，所述保护管(6)远离进风口(8)的一侧设有出风口(10)。2.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡小五，池敏，
申请(专利权)人：南京文采工业智能研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：