一种新型功率器件结构制造技术

本发明专利技术涉及功率器件技术领域，且并提出了一种新型功率器件结构，包括外壳，所述外壳的两侧开设有半圆柱型槽一，所述半圆柱型槽一的内部放置有冷却管，所述外壳的表面安装有封装盖，所述封装盖的表面开设有与半圆柱型槽一正对并对接的半圆柱型槽二。该新型功率器件结构，通过设置封装盖、半圆柱型槽一、半圆柱型槽二、冷却管，从而达到了冷却管能穿过功率器件的内部并保证封装密封性，且可以通过冷却管内流通的冷却气体或液体可以快速降低功率器件的温度，保证其工作效率，延长其寿命，并提高封装保护效果。装保护效果。装保护效果。

【技术实现步骤摘要】
一种新型功率器件结构


[0001]本专利技术涉及功率器件
，具体为一种新型功率器件结构。

技术介绍

[0002]IGBT功率器件，是一种绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
[0003]但是现有的功率器件因为载流密度较大、驱动电流大，导致其工作时发热升温明显，降低了功率器件的工作效率，且长时间发热还会降低其使用寿命，且一般功率器件采用树脂封装，容易在高温时熔化变形，保护效果较差。

技术实现思路

[0004]为解决上述现有的功率器件因为载流密度较大、驱动电流大，导致其工作时发热升温明显，降低了功率器件的工作效率本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型功率器件结构，包括外壳(1)，其特征在于：所述外壳(1)的两侧开设有半圆柱型槽一(6)，所述半圆柱型槽一(6)的内部放置有冷却管(7)，所述外壳(1)的表面安装有封装盖(8)，所述封装盖(8)的表面开设有与半圆柱型槽一(6)正对并对接的半圆柱型槽二(10)。2.根据权利要求1所述的一种新型功率器件结构，其特征在于：所述外壳(1)的内部设置有芯片(3)，所述外壳(1)的底部设置有引脚(4)。3.根据权利要求2所述的一种新型功率器件结构，其特征在于：所述芯片(3)的表面固定连接有导线(5)，且芯片(3)通过导线...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡小五，池敏，
申请(专利权)人：南京文采工业智能研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：