一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件制造技术

本发明专利技术涉及功率器件技术领域，且公开了一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件，包括硅片主体和基体层，所述基体层位于所述硅片主体的内部，所述硅片主体的内部开设有漂移层，所述漂移层位于所述基体层的底部，所述漂移层的内壁电镀有氧化硅，所述漂移层的底部开设有扩容槽，所述漂移层的底部固定安装有衬底，所述硅片主体的内部开设有沟槽，所述衬底的底部固定安装有漏极金属层，所述基体层的顶部固定安装有源极金属层。通过在漂移层内壁开设扩容槽，从而增大漂移层的面积，且硅片主体尺寸并不会增大，实现了功率器件具备超低比导通电阻特性的前提下，保证硅片主体尺寸不变大的效果。的效果。的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件


[0001]本专利技术涉及功率器件
，具体为一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件。

技术介绍

[0002]功率器件即输出功率比较大的电子元器件，是电子元件和电子器件的总称，是功率放大器。功率放大是利用三极管的电流控制作用或场效应管的电压控制作用将电源的功率转换为按照输入信号变化的电流。
[0003]功率器件在工作过程中，当漏极端电压过大时会造成功率器件击穿，为了对功率器件进行保护，需要功率器件具备超低比导通电阻特性。因而需要功率器件有较长的漂移层，而较长的漂移层又会导致高压功率器件整体尺寸较大，不便于功率器件安装使用的问题。
[0004]为了功率器件具备超低比导通电阻特性，且避免漂移层过长导致功率器件整体尺寸过大，不便于安装使用的问题，故而我们提出了一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件来解决以上的问题。

技术实现思路

[0005]为解决上述功率器件在工作过程中，当漏极端电压过大时会造成功率器件击穿，为了对功率器件进行保护，需要功率器件具备超低比导通电阻特性。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件，包括硅片主体(1)和基体层(2)，所述基体层(2)位于所述硅片主体(1)的内部；其特征在于：所述硅片主体(1)的内部开设有漂移层(3)，所述漂移层(3)位于所述基体层(2)的底部，所述漂移层(3)内部含有游离的电子，所述漂移层(3)的内壁电镀有氧化硅，所述漂移层(3)的底部开设有扩容槽(31)，所述漂移层(3)的底部固定安装有衬底(4)，所述硅片主体(1)的内部开设有沟槽(5)，所述沟槽(5)位于所述漂移层(3)的上方，所述衬底(4)的底部固定安装有漏极金属层(6)，所述基体层(2)的顶部固定安装有源极金属层(7)...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡小五，池敏，
申请(专利权)人：南京文采工业智能研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：