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本发明涉及功率器件技术领域，且公开了一种具有超低比导通电阻特性的高压功率器件，包括硅片主体和基体层，所述基体层位于所述硅片主体的内部，所述硅片主体的内部开设有漂移层，所述漂移层位于所述基体层的底部，所述漂移层的内壁电镀有氧化硅，所述漂移层的...
该专利属于南京文采工业智能研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京文采工业智能研究院有限公司授权不得商用。

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