半导体装置制造方法及图纸

提供一种半导体装置，能够防止由负电压噪声引起的栅极驱动电路的误动作。半导体装置具备：焊盘(2)；控制电路(5)；多个高电位侧电路区域(10u、10v、10w)，多个高电位侧电路区域到焊盘的距离互不相同，且分别具有栅极驱动电路(6u、6v、6w)、置位侧电平移位器(71、73、75)、复位侧电平移位器(72、74、76)及环状布线(8u、8v、8w)；置位侧布线(21)，其将焊盘与置位侧电平移位器电连接；以及复位侧布线(22)，其将焊盘与复位侧电平移位器电连接，其中，位于距焊盘近的一侧的环状布线(8v、8w)经由位于距焊盘远的一侧的环状布线(8u)来与置位侧布线及复位侧布线电连接。布线电连接。布线电连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术涉及一种高耐压集成电路装置(HVIC)等半导体装置。

技术介绍

[0002]以往，对于构成电力变换用桥电路的绝缘栅型双极晶体管(IGBT)等半导体功率开关元件的栅极驱动，使用变压器、光电耦合器以进行电绝缘。但是，近年，主要是在小容量的用途中使用不进行电绝缘的高耐压集成电路装置(下面称作“HVIC”)以实现低成本化(参照专利文献1和非专利文献1)。
[0003]HVIC具备驱动半导体功率开关元件的栅极的栅极驱动电路、控制栅极驱动电路的控制电路、以及在控制电路与栅极驱动电路之间进行信号传递的电平移位器。控制电路以接地电位(GND电位)为基准进行动作。栅极驱动电路以是浮动电位的VS电位为基准进行动作。栅极驱动电路和控制电路通过高耐压结终端区(HVJT)彼此隔离。高耐压结终端区由以栅极驱动电路侧(VS端子侧)为阴极、以控制电路侧(GND端子侧)为阳极的高耐压二极管构成。
[0004]电平移位器例如由高耐压n沟道MOSFET构成。内置有置位侧电平移位器和复位侧电平移位器这2个电平移位器，电平移位器被设置为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：焊盘；控制电路，其将施加于所述焊盘的第一电位作为基准电位；多个高电位侧电路区域，所述多个高电位侧电路区域到所述焊盘的距离互不相同，所述多个高电位侧电路区域分别具有栅极驱动电路、置位侧电平移位器以及复位侧电平移位器，所述栅极驱动电路将是浮动电位的第二电位作为基准电位，所述置位侧电平移位器将以所述第一电位为基准电位的置位信号变换为以所述第二电位为基准的置位信号，所述复位侧电平移位器将以所述第一电位为基准电位的复位信号变换为以所述第二电位为基准的复位信号；置位侧布线，其将所述焊盘与距所述焊盘最远的所述高电位侧电路区域的所述置位侧电平移位器电连接；以及复位侧布线，其将所述焊盘与距所述焊盘最远的所述高电位侧电路区域的所述复位侧电平移位器电连接，其中，位于相比于距所述焊盘最远的所述高电位侧电路区域而言距所述焊盘近的一侧的所述高电位侧电路区域的所述置位侧电平移位器经由所述置位侧布线来与所述焊盘电连接，位于相比于距所述焊盘最远的所述高电位侧电路区域而言距所述焊盘近的一侧的所述高电位侧电路区域的所述复位侧电平移位器经由所述复位侧布线来与所述焊盘电连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述置位侧布线的长度与所述复位侧布线的长度互不相同。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述多个高电位侧电路区域分别具备与所述置位侧电平移位器电连接的第一布线以及与所述复位侧电平移位器电连接的第二布线，位于距所述焊盘近的一侧的所述高电位侧电路区域的第一布线经由位于距所述焊盘远的一侧的所述高电位侧电路区域的所述第一布线来与所述置位侧布线电连接，位于距所述焊盘近的一侧的所述高电位侧电路区域的第二布线经由位于距所述焊盘远的一侧的所述高电位侧电路区域的所述第二布线来与所述复位侧布线电连接。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，还具备：第一连接布线，其将不同的所述高电位侧电路区域的所述第一布线彼此电连接；以及第二连接布线，其将不同的所述高电位侧电路区域的所述第二布线彼此电连接。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，还具备：第一连接布线，其将相邻的所述高电位侧电路区域的所述第一布线彼此电连接；以及第二连接布线，其将相邻的所述高电位侧电路区域的所述第二布线彼此电连接。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，将彼此相同的所述高电位侧电路区域的第一布线电连接的所述第一连接布线与将彼此相同的所述高电位侧电路区域的第二布线电连接的所述第二连接布线连接。7.根据权利要求3～6中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，同一所述高电位侧电路区域内的所述第一布线与所述第二布线连接。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
所述连接的所述第一布线与所述第二布线是以包围所述栅极驱动电路的方式配置的环状布线。9.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：上西显宽，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：