静电放电保护器件以及用于制造静电放电保护器件的方法技术

本发明专利技术涉及静电放电保护器件以及用于制造静电放电保护器件的方法。可以提供一种ESD保护器件，包括：衬底，其包括布置在其中的第一导电区和第二导电区。第一导电区可以包括彼此电耦接的第一端子区和第二端子区。第二导电区可以包括彼此电耦接的第三端子区和第四端子区。第二导电区还可以包括与第一端子区和第二端子区电耦接的第五端子区。第五端子区可以在横向方向上布置在第三端子区和第四端子区之间。第一导电区、第一端子区、第三端子区和第五端子区可以具有第一导电类型。第二导电区、第二端子区和第四端子区可以具有不同于第一导电类型的第二导电类型。电类型的第二导电类型。电类型的第二导电类型。

【技术实现步骤摘要】
静电放电保护器件以及用于制造静电放电保护器件的方法


[0001]本公开一般地涉及静电放电(ESD)保护器件以及用于制造ESD保护器件的方法。

技术介绍

[0002]ESD保护器件常用于保护电气设备免于受到ESD事件的损坏。一种类型的ESD保护器件是可控硅整流器(SCR)器件，其能够在ESD事件期间将电流传导出设备。然而，典型的SCR器件的触发电压往往很高。因此，存在在ESD事件期间过电流无法从设备传导出去，从而导致设备中的ESD故障的风险。尽管可以通过跨SCR器件的P阱和N阱之间的P
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N结添加高掺杂扩散节点来降低SCR器件的触发电压，但这往往会增大SCR器件的保持电压和导通电阻。

技术实现思路

[0003]根据各种非限制性实施例，可以提供一种静电放电(ESD)保护器件，包括：衬底，其包括布置在其中的第一导电区和第二导电区；其中所述第一导电区可以包括彼此电耦接的第一端子区(terminal region)和第二端子区；其中所述第二导电区可以包括彼此电耦接的第三端子区和第四端子区；其中所述第二导电区还可以包括在横本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电放电ESD保护器件，包括：衬底，其包括布置在其中的第一导电区和第二导电区；其中所述第一导电区包括彼此电耦接的第一端子区和第二端子区；其中所述第二导电区包括彼此电耦接的第三端子区和第四端子区；其中所述第二导电区还包括在横向方向上布置在所述第三端子区和所述第四端子区之间并与所述第一端子区和所述第二端子区电耦接的第五端子区；其中所述第一导电区、所述第一端子区、所述第三端子区和所述第五端子区具有第一导电类型；并且其中所述第二导电区、所述第二端子区和所述第四端子区具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型。2.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其中所述衬底具有所述第一导电类型。3.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其中所述衬底具有所述第二导电类型。4.根据权利要求1所述的ESD保护器件，还包括在横向方向上布置在所述第四端子区和所述第五端子区之间的隔离元件。5.根据权利要求4所述的ESD保护器件，其中所述隔离元件接合所述第四端子区且还接合所述第五端子区。6.根据权利要求4所述的ESD保护器件，其中所述隔离元件、所述第四端子区和所述第五端子区沿所述衬底的顶表面布置。7.根据权利要求4所述的ESD保护器件，其中所述隔离元件包括电绝缘材料。8.根据权利要求4所述的ESD保护器件，其中所述第二导电区的一部分布置在所述隔离元件下方且在横向方向上布置在所述第四端子区和所述第五端子区之间。9.根据权利要求4所述的ESD保护器件，其中所述隔离元件包括硅化物块。10.根据权利要求4所述的ESD保护器件，还包括在横向方向上布置在所述第三端子区和所述第五端子区之间的绝缘元件。11.根据权利要求10所述的ESD保护器件，其中所述隔离元件的深度小于所述绝缘元件的...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：