基于P型金刚石斜终端的氧化稼PIN二极管及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种基于P型金刚石斜终端的氧化稼PIN二极管及其制备方法，该氧化稼PIN二极管包括：n

【技术实现步骤摘要】
基于P型金刚石斜终端的氧化稼PIN二极管及其制备方法


[0001]本专利技术属于微电子
，具体涉及一种基于P型金刚石斜终端的氧化稼PIN二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]Ga2O3具有超宽的禁带宽度(4.9eV)、大的Baliga优值，并且其单晶生长可以使用熔融生长技术，因此已经成为一种有良好发展前景的半导体。这些优越的物理特性，使得Ga2O3基器件取得了巨大的进步。尤其是垂直型Ga2O
3 PIN二极管反向泄漏电流小，击穿电压高，具有优异的功率特性。但由于Ga2O
3 PIN的击穿主要发生在器件的边缘，故需要有效的台面终端技术，调节器件的电场分布，减小泄漏电流，进而实现提升器件击穿电压的目的。
[0003]对于台阶终端，深刻蚀台阶可以使电场均匀的分布在整个器件中，显著降低器件的反向泄露电流，提升击穿电压。但想要获得90
°
的台阶需要多层金属(Ni)作为掩膜，这增加了器件制备的难度。同时，浅刻蚀台面表现出非常大的反向漏电流、低的击穿电压，以及破坏性的器件失效，严重影响了器件的可靠性。除此本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于P型金刚石斜终端的氧化稼PIN二极管，其特征在于，包括：n
+
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Ga2O3衬底层；n
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Ga2O3漂移层，设置在所述n
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Ga2O3衬底层的上表面，所述n
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Ga2O3漂移层的两侧面为倾斜台面，所述倾斜台面上设置有若干矩形凹槽；P型金刚石层，覆盖在所述n
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Ga2O3漂移层的上表面、部分倾斜台面以及填充在所述矩形凹槽的内部；阴极，设置在所述n
+
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Ga2O3层的下表面；阳极，设置在所述P型金刚石层的上表面。2.根据权利要求1所述的基于P型金刚石斜终端的氧化稼PIN二极管，其特征在于，所述n
+
‑
Ga2O3衬底层的厚度为300～650μm，掺杂离子为Si离子或Sn离子，掺杂浓度范围为1
×
10
18
～1
×
10
20
cm
‑3。3.根据权利要求1所述的基于P型金刚石斜终端的氧化稼PIN二极管，其特征在于，所述n
‑
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Ga2O3漂移层的生长厚度为3～15μm，掺杂离子为Si离子或Sn离子，掺杂浓度范围为1
×
10
16
～1
×
10
18
cm
‑3。4.根据权利要求1所述的基于P型金刚石斜终端的氧化稼PIN二极管，其特征在于，所述P型金刚石层的生长厚度为0.2～3μm，掺杂离子为硼离子，掺杂浓度范围为1
×
10
17
～1
×
10
20
cm
‑3。5.根据权利要求1所述的基于P型金刚石斜终端的氧化稼PIN二极管，其特征在于，所述阴极为Ti/Au或Ti/Al/Ni/Au叠层金属。6.根据权利要求1所述的基于P型金刚石斜终端的氧化稼PIN二极管，其特征在于，所述阳极为Ti/Pt/Au叠层金属。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：马晓华，杨凌，贾富春，武玫，侯斌，张濛，朱青，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：