靠近传导沟道的台阶式场板和相关的制造方法技术

晶体管包括半导体层结构(24)、半导体层结构上的源极电极(30)和漏极电极(30)、在源极电极与漏极电极之间在半导体层结构的表面上的栅极(32)、以及场板(33)。场板包括邻近栅极的第一部分(33a)和邻近源极电极或漏极电极的第二部分(33b)。场板的第二部分比场板的第一部分更远离半导体层结构的表面，并且比栅极的延伸部分(32a)更接近半导体层结构的表面。还讨论了相关的装置和制造方法。论了相关的装置和制造方法。论了相关的装置和制造方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】靠近传导沟道的台阶式场板和相关的制造方法
[0001]要求优先权
[0002]本申请要求于2019年10月14日在美国专利和商标局提交的美国专利申请No.16/600,825的优先权的利益，该美国专利申请的公开内容通过引用整体地并入本文。


[0003]本专利技术涉及半导体装置，并且更具体地，涉及包括场板的晶体管和相关的制造方法。

技术介绍

[0004]诸如硅(Si)和砷化镓(GaAs)之类的材料在低功率的半导体装置中发现了广泛的应用，并且在Si的情况下发现了低频应用。然而，例如，由于它们的相对小的带隙(在室温下对于Si为1.12eV并且对于GaAs为1.42)和相对小的击穿电压，这些材料可能不太适合高功率和/或高频应用。
[0005]对于高功率、高温和/或高频应用和装置，可以使用宽带隙半导体材料，诸如碳化硅(SiC)(例如，在室温下对于αSiC约为2.996eV的带隙)和III族氮化物(例如，在室温下对于氮化镓(GaN)约为3.36eV的带隙)。通常，与GaAs和Si相比，这些材料可以具有更高的电场击穿强度和更高的电子饱本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种晶体管，包括：半导体层结构；所述半导体层结构上的源极电极和漏极电极；在所述源极电极与所述漏极电极之间在所述半导体层结构的表面上的栅极；和场板，包括邻近所述栅极的第一部分和邻近所述源极电极或漏极电极的第二部分，其中所述第二部分比所述第一部分更远离所述半导体层结构的表面并且比所述栅极的延伸部分更接近所述半导体层结构的表面。2.根据权利要求1所述的晶体管，进一步包括：间隔物绝缘体层，包括堆叠在所述半导体层的表面上的多个间隔物层，以限定分别将所述场板的第一部分、所述场板的第二部分和所述栅极的延伸部分与所述半导体层结构的表面分开的第一厚度、第二厚度和第三厚度。3.根据权利要求2所述的晶体管，其中所述多个间隔物层在所述栅极的相对侧限定基本上共面的表面，其中所述栅极的延伸部分朝向所述场板的第一部分沿着所述基本上共面的表面之一横向地延伸。4.根据权利要求3所述的晶体管，其中所述多个间隔物层包括：第一间隔物层，包括在其表面中的凹槽；第二间隔物层，包括在所述凹槽中的第一部分和在所述凹槽的外部的所述第一间隔物层的表面上的第二部分，其中所述第二间隔物层的第一部分和第二部分分别位于所述场板的第一部分和第二部分与所述半导体层结构的表面之间；和第三间隔物层，在所述第二间隔物层上包括基本上共面的表面，其中所述场板在所述第三间隔物层与所述第二间隔物层之间。5.根据权利要求3或4所述的晶体管，其中，所述栅极的延伸部分包括旁瓣部分，所述旁瓣部分在所述栅极的相对侧沿着所述基本上共面的表面横向地延伸。6.根据权利要求5所述的晶体管，进一步包括：侧壁间隔物，将所述栅极在其相对侧与所述多个间隔物层中的一个或多个间隔物层分开，其中所述场板的第一部分朝向所述栅极横向地延伸并且由所述侧壁间隔物之一与所述栅极分开。7.根据权利要求2至4中的任一项所述的晶体管，其中，所述场板是第一场板，并且进一步包括：第二场板，在所述间隔物绝缘体层的表面上并且延伸穿过其一部分以接触所述第一场板。8.根据权利要求1至4中的任一项所述的晶体管，其中，所述场板的第一部分和所述栅极的延伸部分朝向彼此横向地延伸并且在垂直于所述半导体层结构的表面的方向上是非重叠的。9.一种晶体管，包括：半导体层结构；所述半导体层结构上的源极电极和漏极电极；在所述源极电极与所述漏极电极之间在所述半导体层结构的表面上的栅极；和在所述栅极与所述源极电极或漏极电极之间的场板，其中所述场板比所述栅极的横向
延伸部分更接近所述半导体层结构的表面，并且其中所述栅极的横向延伸部分与所述场板不重叠。10.根据权利要求9所述的晶体管，其中，所述场板包括邻近所述栅极的第一部分和邻近所述源极电极或漏极电极的第二部分，其中所述第二部分比所述第一部分更远离所述半导体层结构的表面。11.根据权利要求10所述的晶体管，进一步包括：间隔物绝缘体层，包括堆叠在所述半导体层的表面上的多个间隔物层，以限定分别将所述场板的第一部分、所述场板的第二部分和所述栅极的横向延伸部分与所述半导体层结构的表面分开的第一厚度、第二厚度和第三厚度。12.根据权利要求11所述的晶体管，其中，所述多个间隔物层在所述栅极的相对侧限定基本上共面的表面，并且其中所述栅极的横向延伸部分包括旁瓣部分，所述旁瓣部分在所述栅极的相对侧沿着所述基本上共面的表面横向地延伸。13.根据权利要求12所述的晶体管，其中所述多个间隔物层包括：第一间隔物层，包括在其表面中的凹槽；第二间隔物层，包括在所述凹槽中的第一部分和在所述凹槽的外部的所述第一间隔物层的表面上的第二部分，其中所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：E，
申请(专利权)人：沃尔夫斯皮德股份有限公司，
类型：发明
国别省市：