P型混合欧姆接触的氮化镓晶体管制造技术

本发明专利技术公开了一种P型混合欧姆接触的氮化镓晶体管，包括自下而上依次为衬底层、缓冲层，以及设置在缓冲层上含有一个或者多个二维电子气沟道的异质结结构层，异质结结构层上设置有相互分离的源极金属结构层、栅极金属结构层、N型欧姆接触层；源电极、栅电极分别制备在源极金属结构层、栅极金属结构层，N型欧姆接触层与异质结结构层之间设置有若干相互独立分离的P型半导体层，漏电极制备在P型半导体层与N型欧姆接触层的接触面。本申请通过漏电极的图案化P型半导体区域与N型欧姆接触层之间形成P型混合欧姆接触，在漏点极加入P型半导体区域注入空穴，降低氮化镓晶体管的动态导通电阻。阻。阻。

Gallium nitride transistor with p-type mixed ohmic contact

【技术实现步骤摘要】
P型混合欧姆接触的氮化镓晶体管


[0001]本专利技术涉及半导体功率器件
，特别涉及一种P型混合欧姆接触的氮化镓晶体管。

技术介绍

[0002]目前，功率转换器件主要是基于第一代半导体硅(Si)材料器件。然而，随着社会对电能转换器件的要求不断提高，硅器件性能因越来越接近其材料本身决定的理论极限而无法满足需求。以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料，凭借其出色的材料特性(如高临界击穿场强、高电子饱和漂移速率等)，正在迅速成为高频大功率电子产品的首选材料。氮化镓(GaN)晶体管由于铝镓氮/氮化镓异质结处形成高浓度、高迁移率的二维电子气，同时异质结对二维电子气具有良好的调节作用，使其在大功率和高速电子设备等方面有广泛的应用。
[0003]但是，氮化镓(GaN)晶体管通常是一种横向器件，存在严重的电流崩塌效应。具体的，当GaN晶体管器件处于关态高电场的情况下，表面陷阱态会吸附注入的电子；当GaN晶体管器件返回开态时，表面陷阱态中的电子无法及时脱离，形成表面虚拟栅极并耗尽了沟道中的部分二维电子气，使得GaN晶体管器件的动态电阻增大，即电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种P型混合欧姆接触的氮化镓晶体管，其特征在于，包括自下而上依次为衬底层、缓冲层、以及设置在所述缓冲层上含有一个或者多个二维电子气沟道的异质结结构层，所述异质结结构层上设置有相互分离的源极金属结构层、栅极金属结构层、N型欧姆接触层；源电极、栅电极分别制备在所述源极金属结构层、栅极金属结构层，所述N型欧姆接触层与所述异质结结构层之间设置有若干相互独立分离的P型半导体层，漏电极制备在所述P型半导体层与所述N型欧姆接触层的接触面。2.根据权利要求1所述的P型混合欧姆接触的氮化镓晶体管，其特征在于，所述源极金属结构层与所述异质结结构层之间N型欧姆接触，所述栅极金属结构层与所述异质结结构层之间是欧姆接触或肖特基接触。3.根据权利要求1所述的P型混合欧姆接触的氮化镓晶体管，其特征在于，所述栅极金属结构层和所述异质结结构层之间还设置有栅极P型层，所述栅极P型层是全P型结构层、N
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P型结构层、P
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N型结构层、P
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N
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P
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N结构、N
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P
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N
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P结构、超晶格结构、或绝缘层结构。4.根据权利要求1所述的P型混合欧姆接触的氮化镓晶体管，其特征在于，所述P型半导体层与所述N型欧姆接触层之间还设置有P型欧姆接触层。5.根据权利要求1所述的P型混合欧姆接触的氮化镓晶体管，其特征在于，所述P型半导体层是全P型结构层、N
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P型结构层、P
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N
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P型结构层、P
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N
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P
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘丹，
申请(专利权)人：晶通半导体深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：