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本发明公开了一种P型混合欧姆接触的氮化镓晶体管，包括自下而上依次为衬底层、缓冲层，以及设置在缓冲层上含有一个或者多个二维电子气沟道的异质结结构层，异质结结构层上设置有相互分离的源极金属结构层、栅极金属结构层、N型欧姆接触层；源电极、栅电极分...
该专利属于晶通半导体（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶通半导体（深圳）有限公司授权不得商用。

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