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靠近传导沟道的台阶式场板和相关的制造方法技术
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文档序号:34423998
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晶体管包括半导体层结构(24)、半导体层结构上的源极电极(30)和漏极电极(30)、在源极电极与漏极电极之间在半导体层结构的表面上的栅极(32)、以及场板(33)。场板包括邻近栅极的第一部分(33a)和邻近源极电极或漏极电极的第二部分(33...
该专利属于沃尔夫斯皮德股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过沃尔夫斯皮德股份有限公司授权不得商用。
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