NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，公开了一种NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片。所述NLDMOS器件包括：衬底；设于所述衬底上的P型体区与N型漂移区；设于所述N型漂移区上的场氧化层与N型掺杂区；以及设于所述场氧化层与所述N型掺杂区上的栅极，其中，所述N型掺杂区包括所述场氧化层、所述栅极与所述N型漂移区的交界区。本发明专利技术中的N型掺杂区可在保证一定的关断状态下的击穿电压（BVoff）下减小NLDMOS器件的导通电阻，同时有效地将电力线密度重新分布以降低交界区的电场峰值，在器件大注入时为漂移区提供额外的净电荷，从而能够使Kirk效应得到有效的抑制，进而提高导通状态下的击穿电压（BVon），即，提高NLDMOS器件的安全工作区和可靠性。可靠性。可靠性。

【技术实现步骤摘要】
NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体地涉一种NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片。

技术介绍

[0002]在能源效率和较长的电池寿命需求的驱动下，电源管理应用程序占据了庞大且不断增长的市场份额。这些需求需要一种能够集成处理大电流（高达20A）和高电压（通常高达24或60V）的开关的技术。目前，由于LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，横向扩散金属氧化物半导体）器件具有耐高压、大电流驱动能力和低功耗等特点，故其已作为开关器件被广泛应用于工业领域。
[0003]衡量LDMOS器件性能有两个重要的参数，即关断状态下的击穿电压（BVoff）与导通电阻，然而关断状态下的击穿电压（BVoff）与导通电阻是相关矛盾的关系，因此不可能同时将两个参数性能调到最佳。现有的大多数提高LDMOS器件性能的技术方案仅是在保障导通电阻不变的情况下，针对如何提高关断状态下的击穿电压（BVoff）进行设计。r/>
技术实现思路
<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种NLDMOS器件，其特征在于，所述NLDMOS器件包括：衬底；设于所述衬底上的P型体区与N型漂移区；设于所述N型漂移区上的场氧化层与N型掺杂区；以及设于所述场氧化层与所述N型掺杂区上的栅极，其中，所述N型掺杂区包括所述场氧化层、所述栅极与所述N型漂移区的交界区。2.根据权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于，所述N型掺杂区沿所述场氧化层与所述N型漂移区的交界区延伸。3.根据权利要求2所述的NLDMOS器件，其特征在于，所述N型掺杂区的一侧延伸超过所述栅极同侧的外沿。4.根据权利要求3所述的NLDMOS器件，其特征在于，所述N型掺杂区为N型
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颈形掺杂区。5.根据权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于，所述NLDMOS器件还包括：设于所述衬底上的P型降低电场区，所述P型降低电场区连接所述P型体区与所述N型漂移区。6.根据权利要求1所述的NLDMOS器件，其特征在于，所述NLDMOS器...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵东艳，王于波，陈燕宁，吴波，刘芳，邓永锋，王凯，余山，付振，郁文，刘倩倩，王帅鹏，彭鹏，邵宇鹰，
申请(专利权)人：北京智芯微电子科技有限公司国网上海市电力公司国家电网有限公司，
类型：发明
国别省市：