一种欠压保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种欠压保护电路，包括分压电路、稳压管、三极管和MOS管，分压电路包括电阻R1、R2、R3、R5、R6、R7，电阻R1的一端连接输入电压源且连接三极管的发射极，另一端串接电阻R7后接地且连接稳压管的参考极，稳压管的参考极和阳极并接在电阻R7的两端；稳压管的阴极电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接三极管的基极且串接电阻R2后连接三极管的发射极；三极管的集电极依序串接电阻R5、电阻R6后分别连接MOS管的源极及稳压管的阳极；MOS管的栅极串接电阻R5后连接三极管的集电极，漏极作为欠压保护电路的负输出端，三极管的发射极作为欠压保护电路的正输出端。本实用新型专利技术结构简单，有利于降低欠压保护电路的应用成本。于降低欠压保护电路的应用成本。于降低欠压保护电路的应用成本。

【技术实现步骤摘要】
一种欠压保护电路


[0001]本技术涉及电池保护
，具体涉及一种欠压保护电路。

技术介绍

[0002]在电池保护
，欠压，即电池电压已经低到不能满足车子正常行驶及使用的临界值。如果此时继续使用，会给电池带来极大损害，严重影响电池使用寿命。因此，当电池电压降低到临界电压时，需要执行保护电池的动作，我们称为对电池的欠压保护。现有的电池欠压保护电路的电路结构通常较为复杂，例如，标题为“欠压保护电路及授权装置”的授权专利(公开号为CN104052027A)需要在电压控制芯片中烧录一套控制程序去实现电压检测及欠压保护功能，电路结构比较复杂，应用成本较高。

技术实现思路

[0003]本技术以简化欠压保护电路的结构为目的，提供了一种欠压保护电路。
[0004]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0005]提供一种欠压保护电路，包括分压电路、稳压管、三极管Q1和MOS管Q2，所述分压电路包括电阻R1、R2、R3、R5、R6、R7，所述电阻R1的一端连接输入电压源且连接所述三极管Q1的发射极，另一端串接所述电阻R7后接地且连接所述稳压管的参考极，所述稳压管的参考极和阳极并接在所述电阻R7的两端；所述稳压管的阴极电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接所述三极管Q1的基极且串接所述电阻R2后连接所述三极管Q1的发射极；所述三极管 Q1的集电极依序串接所述电阻R5、所述电阻R6后分别连接所述MOS管Q2的源极及所述稳压管的阳极；所述MOS管Q2的栅极串接所述电阻R5后连接所述三极管Q1的集电极，漏极作为所述欠压保护电路的负输出端，所述三极管Q1的发射极作为所述欠压保护电路的正输出端。
[0006]作为本技术的一种优选方案，所述稳压管的型号为TL431。
[0007]作为本技术的一种优选方案，所述三极管Q1为型号为SS8550的PNP三极管。
[0008]作为本技术的一种优选方案，所述MOS管Q2为型号为12N60C的NMOS管。
[0009]作为本技术的一种优选方案，所述欠压保护电路还包括抗反接的二极管DV1，所述二极管DV1的正极连接所述输入电压源，负极连接所述三极管Q1的发射极。
[0010]作为本技术的一种优选方案，所述二极管DV1的型号为SS210。
[0011]作为本技术的一种优选方案，所述欠压保护电路还包括二极管VD1，所述稳压管的阴极串接所述电阻R3后连接所述二极管VD1的负极，所述二极管VD1的正极连接所述三极管 Q1的基极且串接所述电阻R2后连接所述三极管Q1的发射极。
[0012]作为本技术的一种优选方案，所述欠压保护电路还包括二极管VD2，所述三极管Q1 的集电极串接所述电阻R5后连接所述二极管VD2的正极，所述二极管VD2的负极连接所述电阻R6的一端，所述电阻R6的另一端连接所述稳压管的阳极且连接所述MOS管Q3的源极。
[0013]作为本技术的一种优选方案，所述欠压保护电路还包括电阻R4，所述电阻R4
的一端串接所述电阻R5后连接所述三极管Q1的集电极，另一端连接所述MOS管Q2的栅极。
[0014]作为本技术的一种优选方案，所述二极管VD1和所述二极管VD2的型号为1N4007；
[0015]所述输入电压源输入到所述欠压保护电路的电压为48V；
[0016]所述电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7的阻值分别为15千欧、10千欧、4.7千欧、1 千欧、15千欧、2.2千欧和1千欧。
[0017]本技术通过分压电路、稳压管、三极管、MOS管构成的欠压保护电路即实现了欠压保护功能，提供的欠压保护电路结构简单，有利于降低欠压保护电路的应用成本。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对本技术实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面所描述的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1是本技术实施例提供的欠压保护电路的电路结构图。
具体实施方式
[0020]下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本技术的技术方案。
[0021]其中，附图仅用于示例性说明，表示的仅是示意图，而非实物图，不能理解为对本专利的限制；为了更好地说明本技术的实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
[0022]本技术实施例的附图中相同或相似的标号对应相同或相似的部件；在本技术的描述中，需要理解的是，若出现术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
[0023]在本技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，若出现术语“连接”等指示部件之间的连接关系，该术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个部件内部的连通或两个部件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0024]本技术实施例提供的欠压保护电路，如图1所示，包括分压电路、稳压管1、三极管Q1、MOS管Q2、抗反接的二极管DV1、电阻R4、二极管VD1、VD2，分压电路包括电阻R1、 R2、R3、R5、R6、R7，电阻R1的一端连接二极管DV1的负极，且连接三极管Q1的发射极，另一端串接电阻R7后接地且连接稳压管的参考极，二极管DV1的正极连接输入电压源；稳压管的参考极和阳极并接在电阻R7的两端；稳压管的阴极连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接二极管VD1的负极，二极管VD1的正极连接三极管Q1的基极且串接电阻R2后连接三极管Q1的发射
极；三极管Q1的集电极串接依序串接电阻R5、正接的二极管VD2、电阻R6后分别连接MOS管Q2的源极及稳压管的阳极；MOS管Q2的栅极依序串接电阻R4、R4后连接三极管Q1的集电极，漏极作为欠压保护电路的负输出端，三极管Q1的发射极作为欠压保护电路的正输出端。
[0025]优选地，本实施例中采用型号为TL431的稳压管。TL431是可控精密稳压源，它的输出电压用两个电阻就可以设置从Vref(2.5V)到36V范围内的任何值，该器件的典型动态阻抗为0.2Ω，在本实施例中，用它代替稳压二极管。TL431型稳压管具有性能好、价格低的使用优势。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种欠压保护电路，其特征在于，包括分压电路、稳压管、三极管Q1和MOS管Q2，所述分压电路包括电阻R1、R2、R3、R5、R6、R7，所述电阻R1的一端连接输入电压源且连接所述三极管Q1的发射极，另一端串接所述电阻R7后接地且连接所述稳压管的参考极，所述稳压管的参考极和阳极并接在所述电阻R7的两端；所述稳压管的阴极电阻R3的一端，电阻R3的另一端连接所述三极管Q1的基极且串接所述电阻R2后连接所述三极管Q1的发射极；所述三极管Q1的集电极依序串接所述电阻R5、所述电阻R6后分别连接所述MOS管Q2的源极及所述稳压管的阳极；所述MOS管Q2的栅极串接所述电阻R5后连接所述三极管Q1的集电极，漏极作为所述欠压保护电路的负输出端，所述三极管Q1的发射极作为所述欠压保护电路的正输出端。2.根据权利要求1所述的欠压保护电路，其特征在于，所述稳压管的型号为TL431。3.根据权利要求1所述的欠压保护电路，其特征在于，所述三极管Q1为型号为SS8550的PNP三极管。4.根据权利要求1所述的欠压保护电路，其特征在于，所述MOS管Q2为型号为12N60C的NMOS管。5.根据权利要求1所述的欠压保护电路，其特征在于，所述欠压保护电路还包括抗反接的二极管DV1，所述二极管DV1的正极连接所述输入电压源，负极...

【专利技术属性】
技术研发人员：马振波，祖学安，王书仓，
申请(专利权)人：浙江嘀视科技有限公司，
类型：新型
国别省市：