【技术实现步骤摘要】
基于新型碳化硅MOSFET结构的智能测热芯片及其版图结构
[0001]本专利技术属于半导体
，具体涉及一种基于新型碳化硅MOSFET结构的智能测热芯片及其版图结构。
技术介绍
[0002]近年来，碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体材料的代表，具有高击穿场强、高饱和电子漂移率、高热导率等优点，成为实现高压、高频、高温应用的功率半导体器件理想选择。基于其优异的物理特性及电特性，碳化硅材料受到了产业界的广泛关注，其中SiC MOSFET是一种代表性功率器件。
[0003]但是SiC MOSFET工作在大电流条件下，发热显著，会影响其可靠性，现有技术中的碳化硅MOSFET器件，仍无法克服温度变化带来的不利影响。
技术实现思路
[0004]为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种基于新型碳化硅MOSFET结构的智能测热芯片及其版图结构。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：
[0005]一种基于新型碳化硅MOSFET结构的智能测热芯片，所述芯片包括：源极(1)、栅极(2)、阴极(3)、栅氧化层(4)、第一N+注入区(5)、第一P+注入区(6)、第二P+注入区(7)、第二P
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阱区(8)、第一P
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阱区(9)、第二N+注入区(10)、N
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外延区(11)、N+衬底区(12)、漏极(13)、钝化层(14)、源极接触(15)、N+源区(16)和漏极接触(17)；其中，所述漏极接触(17)位于所述漏极(13)的上方；所...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于新型碳化硅MOSFET结构的智能测热芯片，其特征在于，所述芯片包括：源极(1)、栅极(2)、阴极(3)、栅氧化层(4)、第一N+注入区(5)、第一P+注入区(6)、第二P+注入区(7)、第二P
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阱区(8)、第一P
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阱区(9)、第二N+注入区(10)、N
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外延区(11)、N+衬底区(12)、漏极(13)、钝化层(14)、源极接触(15)、N+源区(16)和漏极接触(17)；其中，所述漏极接触(17)位于所述漏极(13)的上方；所述N+衬底区(12)位于所述漏极接触(17)的上方；所述N
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外延区(11)位于所述N+衬底区(12)的上方；所述第一P
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阱区(9)包括左侧第一P
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阱区和右侧第一P
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阱区；所述左侧第一P
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阱区嵌于所述N
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外延区(11)的左侧上方；所述右侧第一P
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阱区嵌于所述N
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外延区(11)的右侧上方；所述左侧第一P
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阱区的上方从左到右依次嵌有第一P+注入区(6)和第一N+注入区(5)；所述右侧第一P
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阱区的上方从左到右依次嵌有N+源区(16)和第一P+注入区(6)；所述第二P
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阱区(8)和所述第二N+注入区(10)位于所述左侧第一P
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阱区和右侧第一P
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阱区的中间，且从左到右依次嵌于所述N
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外延区(11)的上方；所述第二P+注入区(7)嵌于所述第二P
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阱区(8)的上方；所述栅氧化层(4)位于所述第二P
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阱区(8)、所述第一P
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阱区(9)、所述第二N+注入区(10)的上方；所述源极接触(15)位于所述栅氧化层(4)的两侧；所述钝化层(14)位于所述栅氧化层(4)的上方；所述源极(1)包括第一源级、第二源级和第三源级；所述源级(1)结构包括竖直部分和水平部分，其中，水平部分的宽度大于竖直部分的宽度；所述第一源级和第二源级的竖直部分分别嵌于所述钝化层(14)的两侧，其水平部分位于所述钝化层(14)的上方；且所述第一源级和第二源级的竖直部分分别位于源极接触(15)的上方；所述阴极(3)和所述第三源级的竖直部分从左到右依次嵌于所述栅氧化层(4)和钝化层(14)中；所述阴极(3)位于所述第二P
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阱区(8)的上方，所述第三源级位于所述第二N+注入区(10)的上方；且所述阴极(3)和所述第三源级位于所述第一源级和所述第二源级之间；所述栅极(2)包括第一栅极和第二栅极；所述第一栅极位于所述栅氧化层(4)的上方，嵌于所述钝化层(14)的下方，且位于所述第一源级和阴极(3)之间；所述第二栅极位于所述栅氧化层(4)的上方，嵌于所述钝化层(14)的下方，且位于所述第二源级和第三源级之间；所述源极(1)、所述阴极(3)、所述第二P+注入区(7)、所述第二P
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阱区(8)、所述第二N+注入区(10)和所述N
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外延区(11)构成PIN二极管的元胞；所述源极(1)、所述栅极(2)、所述栅氧化层(4)、所述第一N+注入区(5)、所述第一P+注入区(6)、所述第一P
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阱区(9)、所述N
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外延区(11)、所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：何艳静，詹欣斌，江希，袁嵩，弓小武，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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