半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种具备栅极沟槽部、以及与栅极沟槽部相邻的虚设沟槽部的半导体装置。半导体装置可以具备：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第二导电型的基区，其设置在漂移区的上方；第一导电型的发射区，其设置在基区的上方，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高；以及第二导电型的接触区，其设置在基区的上方，并且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高。在栅极沟槽部与虚设沟槽部之间的台面部，接触区可以设置在发射区的靠虚设沟槽部侧的下端的下方。方。方。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置


[0001]本专利技术涉及一种半导体装置。

技术介绍

[0002]在专利文献1中记载了“在半导体装置中提高饱和电流等特性”。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2018
‑
195798号公报
[0006]专利文献2：国际公开第2018/052098号手册

技术实现思路

[0007]技术问题
[0008]提供一种提高开关时的闩锁耐量的半导体装置。
[0009]技术方案
[0010]在本专利技术的第一方式中，提供具备栅极沟槽部、以及与栅极沟槽部相邻的第一沟槽部的半导体装置。半导体装置可以具备：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第二导电型的基区，其设置在漂移区的上方；第一导电型的发射区，其设置在基区的上方，并且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高；以及第二导电型的接触区，其设置在基区的上方，并且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高。在栅极沟槽部与第一沟槽部之间的台面部，接触区可以设置在发射区的下端的下方。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具备栅极沟槽部、以及与所述栅极沟槽部相邻的第一沟槽部，所述半导体装置具备：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第二导电型的基区，其设置在所述漂移区的上方；第一导电型的发射区，其设置在所述基区的上方，并且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；以及第二导电型的接触区，其设置在所述基区的上方，并且掺杂浓度比所述基区的掺杂浓度高，在所述栅极沟槽部与所述第一沟槽部之间的台面部，所述接触区设置在所述发射区的下端的下方。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述接触区与所述第一沟槽部接触。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，在所述台面部，所述接触区与所述栅极沟槽部分离。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述接触区在沟槽排列方向上与所述栅极沟槽部分离0.6μm以上。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述接触区在所述第一沟槽部的侧壁设置于所述半导体基板的正面。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具备设置于所述半导体基板的上方的层间绝缘膜，所述发射区经由接触孔而与发射极电连接，该接触孔贯通所述层间绝缘膜地设置。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述发射区在沟槽排列方向上从所述栅极沟槽部越过所述接触孔而向所述第一沟槽部侧延伸。8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在所述漂移区与所述基区之间具备掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高的第一导电型的蓄积区。9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具备多个所述栅极沟槽部、以及多个所述第一沟槽部，多个所述栅极沟槽部的数量与多个所述第一沟槽部的数量之比为1：1。10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具备多个所述栅极沟槽部、以及多个所述第一沟槽部，多个所述栅极沟槽部的数量与多个所述第一沟槽部的数量之比为1：2。11.根据权利要求1至1...

【专利技术属性】
技术研发人员：三塚要，唐本祐树，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：