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本发明提供一种具备栅极沟槽部、以及与栅极沟槽部相邻的虚设沟槽部的半导体装置。半导体装置可以具备：第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第二导电型的基区，其设置在漂移区的上方；第一导电型的发射区，其设置在基区的上方，并且掺杂浓度比漂移区的掺...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

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