【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于高频应用的电流容量改进型接触探针
[0001]本专利技术涉及具有改进的电流容量的用于高频应用的接触探针。
[0002]本专利技术尤其但不排他地涉及一种接触探针,该接触探针适于容纳在用于测试集成在晶圆上的电子器件的竖直探针头中,并且参考该应用领域进行以下描述,其唯一目的是简化其描述。
技术介绍
[0003]众所周知,探针头是适于将微结构(例如集成电路)的多个焊盘或接触焊盘与测试装置的对应通道电连接的装置。
[0004]在集成器件上执行的测试对于早在生产阶段检测和隔离有缺陷的器件尤其有用。因此,探针头通常用于对集成在晶圆上的器件进行电气测试,然后再将它们切割并组装到芯片封装件内。众所周知,将经过这种测试操作的集成电路称为DUT(“Device Under Test”的英文缩写)。
[0005]探针头可以基本上包括多个可移动接触元件或接触探针,其由基本上为板状且彼此平行的至少一对支撑件或模具保持。所述板状支撑件设有合适的孔并且彼此相隔一定距离放置,以便为接触探针在测试操作期间的移动和可能的变形留出自由空 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种接触探针(20),包括探针主体(20C),所述探针主体在第一端部(20A)和第二端部(20B)之间延伸并设置有由槽(21)隔开的至少一对臂(22a、22b),所述槽根据所述接触探针(20)的纵向延展方向形成在所述探针主体(20C)中,其特征在于,所述接触探针包括至少一个导电插入件(25),所述导电插入件在所述接触探针(20)内部沿所述纵向延展方向延伸设置在所述接触探针(20)的弯曲平面(α)中,所述导电插入件(25)由第一材料制成,所述第一材料的电阻率低于制成所述接触探针(20)的第二材料的电阻率,在所述探针主体(20C)变形期间,所述导电插入件(25)是输电元件并且所述臂(22a、22b)是所述接触探针(20)的结构支撑元件。2.根据权利要求1所述的接触探针(20),其特征在于,所述第一材料的电阻率低于30μΩ*cm。3.根据权利要求1所述的接触探针(20),其特征在于,所述第一材料是选自以下材料的低电阻率导电或半导体材料:金(Au)、铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)及其合金,并且所述第二材料是选自以下材料的结构稳定导电材料:镍、钨、钴、钯或其合金,诸如镍
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锰、镍
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钴、镍
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钯或镍
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钨、钯
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钴合金、钯基三元和四元合金。4.根据权利要求1所述的接触探针(20),其特征在于,所述第一材料是银,所述第二材料是钯
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钴。5.根据权利要求1所述的接触探针(20),其特征在于,所述导电插入件(25)的横向尺寸(D)与所述纵向延展方向正交并且小于所述臂(22a、22b)的对应横向尺寸(D2a、D2b)。6.根据权利要求5所述的接触探针(20),其特征在于,所述导电插入件(25)的横向尺寸(D)小于20μm。7.根据权利要求5所述的接触探针(20),其特征在于,所述导电插入件(25)的横向尺寸(D)等于所述臂(22a、22b)的横向尺寸(D2a、D2b)的最小值的20%
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60%。8.根据权利要求1所述的接触探针(20),其特征在于,所述导电插入件(25)在所述弯曲平面(α)中沿所述接触探针(20)的中性轴线布置在最小应力位置处。9.根据权利要求1所述的接触探针(20),其特征在于,所述导电插入件(25)放置在所述槽(21)内。10.根据权利要求9所述的接触探针(20),其特征在于,所述导电插入件(25)包括放置在所述槽(21)内的多个平行箔。11.根据权利要求1所述的接触探针(20),其特征在于,所述导电插入件(25、25a、25b)形成在所述臂(22a、22b)之一的内部。12.根据权利要求1所述的接触探针(20),其特征在于,包括由所述第一低电阻率材料制成的至少一个臂,以形成所述导电插入件(25)。13.根据权利要求1所述的接触探针(20),其特征在于,所述导电插入件(25)的长度(L1)等于所述槽(21)的长度。14.根据权利要求1所述的接触探针(20),其特征在于,所述探针主体(20C)包括交替的...
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