改变闸级截断设计的反相器版图制造技术

本发明专利技术提供一种改变闸级截断设计的反相器版图，包括平行的pMOS图形和nMOS图形；分别均位于pMOS图形和nMOS图形两侧的第一、二伪栅图形；位于pMOS图形和nMOS图形上，且位于第一、二伪栅图形间的主栅极图形；分别一端位于pMOS图形和nMOS图形上，且位于第一伪栅图形与主栅极图形间的第一、二焊垫图形；两端分别位于pMOS图形和nMOS图形上，且位于主栅极图形和nMOS图形间的第三焊垫图形；分别位于第一、二伪栅图形和主栅极图形上的剪切图形。本发明专利技术由于在FinFET器件上的层间介质层应力对器件的栅极切割产生影响，通过在NMOS剪切主栅，在PMOS上剪切伪栅，改善了器件速度和稳态电流测试。试。试。

Inverter layout changing gate level cut-off design

【技术实现步骤摘要】
改变闸级截断设计的反相器版图


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种改变闸级截断设计的反相器版图。

技术介绍

[0002]反相器是可以将输入信号的相位反转180度，这种电路应用在模拟电路，比如说音频放大，时钟振荡器等。在电子线路设计中，经常要用到反相器。CMOS(互补金属氧化物半导体)反相器电路由两个增强型MOS场效应管组成。典型TTL(晶体管
‑
晶体管逻辑电平)与非门电路电路由输入级、中间级、输出级组成。
[0003]现有技术CMOS反相器结构如图1所示，其版图结构如图2所示,FinFET(鳍式场效应管)由于由化学气相沉积生成的氧化物具有强应力，会对器件的速度(speed)和稳态电流测试(IDDQ)产生影响。
[0004]为此，需要一种FinFET逆变器上的新型切割栅极布局设计，以改善器件速度和稳态电流测试。

技术实现思路

[0005]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种改变闸级截断设计的反相器版图，用于解决现有技术中FinFET由于由化学气相沉积生成的氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改变闸级截断设计的反相器版图，其特征在于，包括：平行的pMOS图形和nMOS图形；分别均位于所述pMOS图形和所述nMOS图形两侧的第一、二伪栅图形；位于所述pMOS图形和所述nMOS图形上，且位于所述第一、二伪栅图形间的主栅极图形；分别一端位于所述pMOS图形和所述nMOS图形上，且位于所述第一伪栅图形与所述主栅极图形间的第一、二焊垫图形；两端分别位于所述pMOS图形和所述nMOS图形上，且位于所述主栅极图形和所述nMOS图形间的第三焊垫图形；分别位于所述第一、二伪栅图形和所述主栅极图形上的剪切图形。2.根据权利要求1所述的改变闸级截断设计的反相器版图，其特征在于：所述pMOS图形、所述nMOS图形、所述主栅极图形的图形形状均相同。3.根据权利要求1所述的改变闸级截断设计的反相器版图，其特征在于：所述pMOS图形、所述主栅极图形和所述nMOS图形等距依次分布。4.根据权利要求1所述的改变闸级截断设计的反相器版图，其特征在于：所述第一焊...

【专利技术属性】
技术研发人员：翁文寅，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：