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本发明提供一种改变闸级截断设计的反相器版图，包括平行的pMOS图形和nMOS图形；分别均位于pMOS图形和nMOS图形两侧的第一、二伪栅图形；位于pMOS图形和nMOS图形上，且位于第一、二伪栅图形间的主栅极图形；分别一端位于pMOS图形和...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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