【技术实现步骤摘要】
具有去除了部分材料的电极的电容器以及相关半导体装置、系统和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请根据35U.S.C.
§
119(e)要求2021年1月20日提交的第63/139,619号美国临时专利申请和2022年1月13日提交的第17/647,902号美国临时专利申请的权益，每一申请的全部公开内容由此以引用方式并入本文中。
[0003]本文中所公开的实施例涉及包含动态随机存取存储器(DRAM)制造的半导体制造。更确切地说，本公开的实施例涉及用于DRAM电容器的去除了部分材料的电极、形成DRAM电容器的方法以及相关半导体装置和系统。
技术介绍
[0004]集成电路制造的持续目标是增大集成密度。动态随机存取存储器(DRAM)利用DRAM电容器来存储表示所存储位的逻辑值的电荷量。为了增大集成密度，已通过增大高宽比(即，高度与宽度或直径的比率)且降低邻近DRAM电容器的彼此接近度而减小DRAM电容器的横向覆盖面积。另外，为了增大DRAM单元的电容，可增大DRAM单元的高度以增大电...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种DRAM电容器，其包括：第一电容器电极，其包括下部部分、上部部分，和在所述下部部分与所述上部部分之间的第一阶状过渡区，所述第一电容器电极的所述上部部分在所述第一阶状过渡区处的宽度小于所述第一电容器电极的所述下部部分在所述第一阶状过渡区处的宽度；电容器电介质，其邻近于所述第一电容器电极；以及第二电容器电极，其邻近于所述电容器电介质。2.根据权利要求1所述的DRAM电容器，其中在所述第一阶状过渡区处的所述第一电容器电极的所述上部部分与所述第一电容器电极的所述下部部分之间的宽度差介于约与约之间。3.根据权利要求2所述的DRAM电容器，其中在所述第一阶状过渡区处的所述第一电容器电极的所述上部部分与所述第一电容器电极的所述下部部分之间的宽度差介于约与约之间。4.根据权利要求2所述的DRAM电容器，其中在所述第一阶状过渡区处的所述第一电容器电极的所述上部部分与所述第一电容器电极的所述下部部分之间的宽度差介于约与约之间。5.根据权利要求2所述的DRAM电容器，其中在所述第一阶状过渡区处的所述第一电容器电极的所述上部部分与所述第一电容器电极的所述下部部分之间的宽度差介于约与约之间。6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的DRAM电容器，其中所述第一电容器电极包括氮化钛。7.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的DRAM电容器，其中所述第一电容器电极包括掺杂的氮化钛。8.根据权利要求7所述的DRAM电容器，其中所述掺杂的氮化钛包括掺杂有硅、硼、铝、锆、铪、磷、碳、镓、锗、锑、碲、砷或钨中的一或多种的氮化钛。9.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的DRAM电容器，其进一步包括横向邻近于所述第一电容器电极的至少一个晶格材料。10.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的DRAM电容器，其进一步包括在所述第一电容器电极的所述下部部分与所述上部部分之间的第二阶状过渡区。11.根据权利要求10所述的DRAM电容器，其中所述第一电容器电极的邻近所述第一阶状过渡区的所述上部部分与所述第一电容器电极的邻近所述第二阶状过渡区的所述下部部分之间的宽度差介于约与约之间。12.一种形成DRAM电容器的方法，所述方法包括：形成第一电容器电极；暴露所述第一电容器电极的上部部分；去除所述第一电容器电极的所述上部部分的一部分；以及在去除所述第一电容器电极的所述上部部分的所述部分之后暴露所述第一电容器电极的下部部分。
13.根据权利要求12所述的方法，其中去除所述第一电容器电极的所述上部部分的所述部分包括在约与约之间薄化所述第一电容器电极的所述上部部分。14.根据权利要求12所述的方法，其中暴露所述第一电容器电极的所述上部部分包括去除横向邻近于所述第一电容器电极的所述上部部分的硅酸盐材料的一部分。15.根...
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