【技术实现步骤摘要】
版图修正方法及系统、掩模版、设备和存储介质
[0001]本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种版图修正方法及系统、掩模版、设备和存储介质。
技术介绍
[0002]标准单元库是超大规模集成电路(Very Large Scale Integration，VLSI)自动化设计的基础，其采用全定制方法设计好各种标准单元(Standard Cell)电路的版图，然后把这些经过优化设计并验证通过的标准单元的版图存入数据库。设计时将所需标准单元从单元库中调出，将其排列成若干行，行间留有布线通道。然后根据电路要求将各标准单元用连线联接起来，同时把相应的输入/输出单元和压焊块连接起来，得到所要求的芯片版图。
[0003]标准单元库中通常具有多种类型的标准单元，例如高密度(High Density)标准单元或高性能(High Performance)标准单元。不同类型的标准单元具有不同的高度，每个标准单元具有固定的高度(即track高度)，标准单元中的电源、地线及输入输出端口位置都有特殊的规定，使得标准单元之间可以简单且有条理...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种版图修正方法，其特征在于，包括：获取芯片设计版图，所述芯片设计版图包括多层具有目标图形的版图层，所述芯片设计版图包括标准单元区，所述标准单元区包括用于形成第一标准单元的第一标准单元区、以及用于形成第二标准单元且在第一方向上与所述第一标准单元相邻接的第二标准单元区，在第二方向上，所述第一标准单元的高度为所述第二标准单元的高度的整数倍，所述第一标准单元区内部具有若干第一有源区，所述第二标准单元区内部具有若干第二有源区，所述第二标准单元区在所述第二方向的边界处具有边界区域，所述边界区域还沿所述第一方向延伸至所述第一标准单元区和第二标准单元区的交界处，且在所述第一标准单元区和第二标准单元区的内部，所述第一有源区和相邻的第二有源区在第二方向上的边界相齐平，所述第一方向和第二方向相垂直；确定所述第一标准单元区和第二标准单元区的交界位置；在所述交界位置处，对所述版图层中的目标图形进行光学邻近修正，用于去除位于所述交界位置处的边界区域中的目标图形。2.如权利要求1所述的版图修正方法，其特征在于，所述获取芯片设计版图的步骤中，所述版图层包括标记层，所述标记层中的目标图形为沿所述第二方向延伸的边界标记图形，所述边界标记图形位于所述第一标准单元区和第二标准单元区的交界处，用于标记所述第一标准单元区和第二标准单元区的交界位置；通过所述标记层中的边界标记图形，确定所述第一标准单元区和第二标准单元区的位置。3.如权利要求1所述的版图修正方法，其特征在于，所述获取芯片设计版图的步骤中，所述版图层包括：第一版图层，所述第一版图层中的目标图形为栅极图形，所述第一标准单元区和第二标准单元区中的栅极图形均沿所述第二方向延伸，并沿所述第一方向平行排列；第二版图层，位于所述第一版图层的上方，所述第二版图层中的目标图形包括位于所述边界区域中的栅极切段图形，所述栅极切段图形沿所述第一方向延伸，用于在所述第二方向上对所述第二标准单元区中的栅极图形进行切割；对各个所述版图层中的目标图形进行光学邻近修正的步骤包括：对所述栅极切段图形进行第一光学邻近修正，用于去除位于所述交界位置处的边界区域中的所述栅极切段图形。4.如权利要求3所述的版图修正方法，其特征在于，所述获取芯片设计版图的步骤中，所述版图层还包括：第三版图层，位于所述第二版图层的上方，所述第三版图层中的目标图形为沿所述第一方向延伸的电源轨道埋层图形，所述电源轨道埋层图形位于所述栅极切段图形内；对各个所述版图层中的目标图形进行光学邻近修正的步骤包括：对所述电源轨道埋层图形进行第二光学邻近修正，用于去除位于所述交界位置处的边界区域中的所述电源轨道埋层图形。5.如权利要求4所述的版图修正方法，其特征在于，所述获取芯片设计版图的步骤中，所述版图层还包括：第四版图层，位于所述第三版图层的上方，所述第四版图层中的目标图形包括多个相隔离的接触孔插塞图形，所述接触孔插塞图形位于所述电源轨道埋层图形内
并沿所述第一方向平行排列；对各个所述版图层中的目标图形进行光学邻近修正的步骤包括：对所述接触孔插塞图形进行第三光学邻近修正，用于去除位于所述交界位置处的边界区域中的所述接触孔插塞图形。6.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：何超，苏柏青，苏柏松，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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