使用非均匀照射强度分布进行优化制造技术

描述了一种用于将图案成像到衬底上的源掩模优化或仅掩模优化方法。该方法包括：针对来自照射源的照射，确定非均匀照射强度分布；以及基于非均匀照射强度分布，确定对图案的一个或多个调节，直到确定图案化到衬底上的特征与目标设计基本匹配。可以基于照射源和光刻设备的投影光学器件来确定非均匀照射强度分布。在一些实施例中，投影光学器件包括狭缝，并且非均匀照射分布是贯通狭缝非均匀照射强度分布。例如，确定对图案的一个或多个调节可以包括执行光学邻近校正。括执行光学邻近校正。括执行光学邻近校正。

Optimization using non-uniform irradiation intensity distribution

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用非均匀照射强度分布进行优化
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年11月19日提交的美国临时专利申请第62/937,478号的优先权，该申请的全部内容通过引用并入本文。


[0003]本说明书涉及将使用非均匀照射强度分布对与将图案成像到衬底上相关联的源掩模或仅掩模进行优化的方法。

技术介绍

[0004]光刻投影设备可以用于例如集成电路(IC)的制造中。图案化装置(例如，掩模)可以包含或提供与IC的个体层相对应的图案(“设计布局”)，并且通过诸如利用图案化装置上的图案来照射目标部分等方法，该图案可以转印到已经涂有一层辐射敏感材料(“抗蚀剂”)的衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或多个管芯)上。通常，单个衬底包括多个相邻的目标部分，图案通过光刻投影设备被连续地转印到这些目标部分，一次一个目标部分。在一种类型的光刻投影设备中，整个图案化装置上的图案在一个操作中被转印到一个目标部分上。这种设备通常被称为步进器。在通常称为步进扫描设备的替代设备中，投影光束在给定参考方向(“扫描”方向)上在图案化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种与对图案进行成像相关联的优化方法，所述方法包括：针对来自照射源的照射，确定非均匀照射强度分布；以及基于所述非均匀照射强度分布，调节所述图案，直到满足终止条件。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述确定和所述调节作为源掩模优化或仅掩模优化的一部分来执行。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述非均匀照射强度分布是基于大量经验数据和/或对应电子模型来确定的。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述方法用于光刻设备，所述光刻设备包括所述照射源、和被配置为将所述图案成像到衬底上的投影光学器件；其中所述非均匀照射强度分布是基于所述照射源和所述投影光学器件来确定的；以及其中所述方法还包括：基于所述非均匀照射强度分布，来确定对所述图案、所述投影光学器件或所述照射源中的一项或多项的一个或多个调节，直到满足所述终止条件。5.根据权利要求4所述的方法，其中投影光学器件包括狭缝，并且其中所述非均匀照射强度分布是贯通狭缝非均匀照射强度分布。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述投影光学器件包括光瞳，并且其中确定对所述图案、所述投影光学器件或所述照射源中的一项或多项的所述一个或多个调节包括确定对贯通狭缝光瞳的调节。7.根据权利要求4至6中任一项所述的方法，其中确定对所述图案、所述投影光学器件或所述照射源中的一项或多项的所述一个或多个调节包括确定贯通狭缝变迹。8.根据权利要求4至7中任一项所述的方法，其中确定对所述图案、所述投影光学器件或所述照射源中的一项或多项的所述一个或多个调节包括执行光学邻近校正。9.根据权利要求8所述的方法，其中执行光学邻近校正包括应用一个或多个基于规则或模型的辅助特征，并且对用于将所述图案成像到所述衬底上的过程进行建模。10.根据权利要求9所述的方法，其中模型包括贯通狭缝光学邻近校正模型，所述贯通狭缝光学邻近校正模型被配置为：对用于使用所述非均匀照射强度分布将所述图案成像到所述衬底上的所述过程，进行建模。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述贯通狭缝光学邻近校正模型被配置为：对用于使用所述非均匀照射强度分布和来自所述照射源的...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：