超结MOS器件OPC掩模版制作方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于掩模版制作领域，尤其涉及一种超结MOS器件OPC掩模版制作方法及装置，其中，超结MOS器件OPC掩模版制作方法包括以下步骤：对掩模图形进行光学临近效应修正分析获得辅助图形；获得光刻机可识别的主图曝光数据，获得所述光刻机可识别的辅图曝光数据；将所述主图曝光数据和所述辅图曝光数据导入所述光刻机；所述光刻机先根据所述主图曝光数据对掩模版坯料进行曝光，再根据所述辅图曝光数据对所述掩模版坯料进行曝光；对完成曝光之后的所述掩模版坯料依次进行显影、刻蚀、去胶，获得OPC掩模版。减少图形转换时间，缩短了OPC掩模版制作所需时间，提高了OPC掩模版制作效率。提高了OPC掩模版制作效率。提高了OPC掩模版制作效率。

【技术实现步骤摘要】
超结MOS器件OPC掩模版制作方法及装置


[0001]本专利技术属于掩模版制作领域，尤其涉及一种超结MOS器件OPC掩模版制作方法及装置。

技术介绍

[0002]OPC(optical proximity correction，即光学临近效应修正)掩模版是指掩模图形做过临近效应修正的掩模版，而超结MOS(MOSFET)器件OPC掩模版是指用于制造超结MOS器件的OPC掩模版。
[0003]在将掩模图形通过光刻机的曝光系统投影至光刻胶的过程中，由于曝光系统的不完善性和衍射效应，投影图形和掩模图形不完一致，因此，需要对掩模图形进行光学临近效应修正，即在掩模图形叠加辅助图形获得修正图形，以提高投影图形与预设图形的一致性。
[0004]在实际曝光时，由于掩模图形需要转换成光刻机可识别的曝光数据才能通过曝光系统传递至光刻胶，而修正图形相对于掩模图形增加了辅助图形，修正图形比掩模图形更复杂，因此，修正图形所转换出的曝光数据会比掩模图形所转换出的曝光数据大，且修正图形所转换出的曝光数据通常是掩模图形所转换出的曝光数据的几倍或几十倍，那么，获得修正图形的曝光数据所需的时间也是获得掩模图形的曝光数据所需的时间几倍或几十倍，也即是图形转换时间较长，导致超结MOS器件OPC掩模版制作所需时间较长，使得超结MOS器件OPC掩模版制作效率低。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于克服上述现有技术的不足，提供了一种超结MOS器件OPC掩模版制作方法及装置，其旨在解决超结MOS器件OPC掩模版制作效率低的问题。
[0006]本专利技术是这样实现的：
[0007]一种超结MOS器件OPC掩模版制作方法，包括以下步骤：
[0008]对掩模图形进行光学临近效应修正分析获得辅助图形，其中，所述掩模图形能够与所述辅助图形叠加形成修正图形，所述辅助图形包括多个子辅图形，各所述子辅图形均具有用于与所述掩模图形重叠的局部；
[0009]对所述掩模图形进行转换运算，并获得光刻机可识别的主图曝光数据，对所述辅助图形进行转换运算，并获得所述光刻机可识别的辅图曝光数据；
[0010]将所述主图曝光数据和所述辅图曝光数据导入所述光刻机；
[0011]所述光刻机先根据所述主图曝光数据对掩模版坯料进行曝光，再根据所述辅图曝光数据对所述掩模版坯料进行曝光；
[0012]对完成曝光之后的所述掩模版坯料依次进行显影、刻蚀、去胶，获得OPC掩模版。
[0013]可选地，所述子辅图形设有N个；
[0014]将各所述子辅图形中形状相同或相似的分为一组，且划分M组，其中，在同组内，各所述子辅图形的曝光数据相同；
[0015]N和M为整数，N≥3，N＞M，M≥1。
[0016]可选地，所述辅助曝光数据包括至少两个子辅曝光数据；
[0017]根据各所述子辅曝光数据依次对所述掩模版坯料进行曝光。
[0018]本专利技术还提供一种超结MOS器件OPC掩模版制作装置，用于实现如上所述的超结MOS器件OPC掩模版制作方法制造OPC掩模版，其特征在于，包括光刻机、显影装置、刻蚀装置以及去胶装置，所述光刻机、所述显影装置、所述刻蚀装置和所述去胶装置分别用于对所述掩模版坯料进行曝光、显影、刻蚀和去胶；其中，所述光刻机包括曝光激光器、切换器、第一光路系统、第二光路系统、偏振镜片以及曝光镜头，所述曝光激光器用于产生曝光光线，并将所述曝光光线射至所述切换器，所述切换器能够将所述曝光光线选择性引导至所述第一光路系统和所述第二光路系统其中之一，所述第一光路系统包括主图转换站以及主图图形发生系统，所述主图转换站能够将掩模图形进行转换运算以转换运算出所述主图曝光数据，并将所述主图曝光数据传递至所述主图图形发生系统，所述主图图形发生系统能够根据所述主图曝光数据将所述曝光光线引导至所述偏振镜片，以使所述曝光光线通过所述曝光镜头照射到掩模版坯料，所述第二光路系统包括辅图装换站、第一反射镜、辅图图形发生系统以及第二反射镜，所述第一反射镜能够将所述切换器引导过来的所述曝光光线反射至所述辅图图形发生系统，所述辅图图形发生系统能够根据所述辅图曝光数据将所述曝光光线引导至所述第二反射镜，并由所述第二反射镜将所述曝光光线反射至所述偏振镜片，以由所述偏振镜片将所述曝光光线反射至所述偏振镜片，以使所述曝光光线通过所述曝光镜头照射到掩模版坯料。
[0019]可选地，所述辅图图形发生系统包括辅图控制器、子辅图形形成结构、子辅图形缩放结构以及子辅图形位置调整结构，所述辅图控制器能够从所述辅图转换站获取所述辅图曝光数据，所述辅图控制器用于控制所述子辅图形形成结构、所述子辅图形缩放结构以及所述子辅图形位置调整结构，其中，所述曝光光线在所述辅图图形发生系统内依次经过所述子辅图形形成结构、所述子辅图形缩放结构和所述子辅图形位置调整结构；
[0020]所述子辅图形形成结构具有多个透光小孔，并根据所述辅图曝光数据控制所述子辅图形形成结构上供所述曝光光线穿过的所述透光小孔的数量和类型，以使所述曝光光线经过所述子辅图形形成结构后会形成多个光斑，以使各所述光斑的形状与各所述子辅图形的形状具有一一对应关系；
[0021]所述子辅图形缩放结构用于缩放各所述光斑，以使各所述光斑的大小与各所述子辅图形的形状大小具有一一对应关系；
[0022]所述子辅图形位置调整结构用于调整各所述光斑的之间的相对位置，以使各所述光斑之间的相位位置关系与各所述子辅图形之间的相对位置对应。
[0023]本专利技术通过减少图形转换时间，缩短了超结MOS器件OPC掩模版制作所需时间，提高了超结MOS器件OPC掩模版制作效率。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附
图。
[0025]图1是本专利技术实施例提供的超结MOS器件OPC掩模版制作方法的流程图；
[0026]图2是本专利技术实施例提供的超结MOS器件OPC掩模版制作装置的光刻机的结构示意图；
[0027]附图标号说明：
[0028]标号名称标号名称100光刻机
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110曝光激光器
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120切换器
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130第一光路系统
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131主图转换站132主图图形发生系统140第二光路系统
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141辅图转换站142第一反射镜143辅图图形发生系统
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1431辅图控制器1432子辅图形形成结构1433子辅图形缩放结构1434子辅图形位置调整结构144第二反射镜
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150偏振镜片
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160曝光镜头
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具体实施方式
[0029]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超结MOS器件OPC掩模版制作方法，其特征在于，包括以下步骤：对掩模图形进行光学临近效应修正分析获得辅助图形，其中，所述掩模图形能够与所述辅助图形叠加形成修正图形，所述辅助图形包括多个子辅图形，各所述子辅图形均具有用于与所述掩模图形重叠的局部；对所述掩模图形进行转换运算，并获得光刻机可识别的主图曝光数据，对所述辅助图形进行转换运算，并获得所述光刻机可识别的辅图曝光数据；将所述主图曝光数据和所述辅图曝光数据导入所述光刻机；所述光刻机先根据所述主图曝光数据对掩模版坯料进行曝光，再根据所述辅图曝光数据对所述掩模版坯料进行曝光；对完成曝光之后的所述掩模版坯料依次进行显影、刻蚀、去胶，获得OPC掩模版。2.如权利要求1所述的超结MOS器件OPC掩模版制作方法，其特征在于，所述子辅图形设有N个；将各所述子辅图形中形状相同或相似的分为一组，且划分M组，其中，在同组内，各所述子辅图形的曝光数据相同；N和M为整数，N≥3，N＞M，M≥1。3.如权利要求2所述的超结MOS器件OPC掩模版制作方法，其特征在于，所述辅助曝光数据包括至少两个子辅曝光数据；根据各所述子辅曝光数据依次对所述掩模版坯料进行曝光。4.一种超结MOS器件OPC掩模版制作装置，用于实现如权利要求1至3中任一项所述的超结MOS器件OPC掩模版制作方法制造超结MOS器件OPC掩模版，其特征在于，包括光刻机、显影装置、刻蚀装置以及去胶装置，所述光刻机、所述显影装置、所述刻蚀装置和所述去胶装置分别用于对所述掩模版坯料进行曝光、显影、刻蚀和去胶；其中，所述光刻机包括曝光激光器、切换器、第一光路系统、第二光路系统、偏振镜片以及曝光镜头，所述曝光激光器用于产生曝光光线，并将所述曝光光线射至所述切换器，所述切换器能够将所述曝光光线选择性引导至所述第一光路系统和所述第二光路系统其中之一，所述第一光路系统包括主图转换站以及主图图...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄执祥，王栋，侯广杰，
申请(专利权)人：深圳市龙图光电有限公司，
类型：发明
国别省市：