掩模版清洗用超纯水系统及检测方法技术方案

本申请公开了一种掩模版清洗用超纯水系统及检测方法，该系统包括通过连接管依次连接的一级EDI后的蓄水箱、二级EDI泵、前置过滤器、二级EDI、紫外线杀菌灯、变频恒压供水泵、抛光混床、后置过滤器以及供水点。本申请提供的上述技术方案，整个系统流程都在连接管中完成，从而避免了空气接触，同时原有纯水经过二级EDI再次深度除盐，紫外线杀菌灯的照射可以有效破坏纯水中的微生物DNA分子，使之无法繁殖，而且抛光混床可以深度去除RO纯水中尚存的微量离子，从而有效提高了超纯水的质量。从而有效提高了超纯水的质量。从而有效提高了超纯水的质量。

【技术实现步骤摘要】
掩模版清洗用超纯水系统及检测方法


[0001]本专利技术涉及水处理
，具体涉及一种掩模版清洗用超纯水系统及检测方法。

技术介绍

[0002]超纯水，又称UP水，即将水中的电解质几乎完全去除，又将水中不离解的胶体物质、气体及有机物均去除至很低程度的水，其电阻率达到18MMΩ.cm或接近18.3MΩ.cm极限值(25℃)的水，常用于集成电路工业中用于半导体原材料和所用器皿的清洗、光刻掩模版的制备和硅片氧化用的水汽源等。此外，其他固态电子器件、厚膜和薄膜电路、印刷电路、真空管等的制作也都要使用超纯水，应用范围广泛，且对超纯水的质量也要求较高。
[0003]传统的EDI(Electrodeionization
‑
连续电解除盐技术)系统处理后的超纯水供水箱不能完全密闭，容易进入空气，而空气中含有二氧化碳、细菌、尘埃等杂质，且EDI产出的超纯水为纯的溶剂，对这些杂质的溶解能力极强，供水箱的水也避免不了造成污染，从而导致电阻率急剧下降，由出水端的15MΩ/cm降至供水端的2MΩ/cm，满足不了高品质掩模版清洗用水的要求；同时，传统的水处理系统虽然能够对水进行冷却降温，但是水的温度波动大，造成掩模版的精度偏差，降低了良品率。

技术实现思路

[0004]鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种掩模版清洗用超纯水系统及检测方法。
[0005]本专利技术提供了一种掩模版清洗用超纯水系统，包括通过连接管依次连接的一级EDI后的蓄水箱、二级EDI泵、前置过滤器、二级EDI、紫外线杀菌灯、变频恒压供水泵、抛光混床、后置过滤器以及供水点。
[0006]优选的，所述掩模版清洗用超纯水系统还包括PFA换热器、恒温冷水机以及流量控制器；
[0007]所述PFA换热器的一端接超纯水，另一端与所述恒温冷水机连通，且所述PFA换热器通过连接管与供水点上的自动后处理机连接；
[0008]所述流量控制器的一端与所述恒温冷水机的回水端连接，另一端与所述PFA换热器连接。
[0009]优选的，所述掩模版清洗用超纯水系统还包括温度传感器，所述温度传感器设置在所述PFA换热器与所述自动后处理机之间。、优选的，所述掩模版清洗用超纯水系统还包括压力传感器，所述压力传感器设置在所述一级EDI后的蓄水箱上的供水管的末端。
[0010]优选的，所述掩模版清洗用超纯水系统还包括第一泄压阀和第二泄压阀；
[0011]所述第一泄压阀设置在所述压力传感器与所述一级EDI后的蓄水箱之间的连接管上，所述第二泄压阀设置在所述紫外线杀菌灯与所述一级EDI后的蓄水箱之间的连接管上。
[0012]优选的，所述前置过滤器或所述后置过滤器中的滤料为石英砂、无烟煤、磁铁矿、
石榴石、多孔陶瓷和塑料球中的一种或多种。
[0013]优选的，所述一级EDI后的蓄水箱通过水管接入自来水，所述一级EDI后的蓄水箱内设置有液位变送器，且所述水管上设置有进水电磁阀。
[0014]优选的，所述掩模版清洗用超纯水系统还包括用于检测水质的电导率仪，所述电导率仪设置在供水点前端上的连接管上。
[0015]优选的，所述掩模版清洗用超纯水系统还包括软化树脂过滤器，所述软化树脂过滤器设置在所述前置过滤器和所述二级EDI之间。
[0016]本专利技术还提供了一种掩模版清洗用超纯水检测方法，用于如本申请实施例描述中任意一项所述的掩模版清洗用超纯水系统，该方法包括：
[0017]在所述供水点前端上的连接管上设置检测器；
[0018]通过检测器检测处理后的水中的电阻率ρ、活性硅含量M、胶体硅含量N、总有机碳含量L以及溶解氧DO；
[0019]计算(ρ+1)/M与(N+L)/DO的值；
[0020]当(ρ+1)/M的值和(N+L)/DO的值均大于预设值时，则所述超纯水质量达到标准。
[0021]本专利技术的有益效果包括：
[0022]本申请提供的掩模版清洗用超纯水系统，整个系统流程都在连接管中完成，从而避免了空气接触，同时原有纯水经过二级EDI再次深度除盐，紫外线杀菌灯的照射可以有效破坏纯水中的微生物DNA分子，使之无法繁殖，而且抛光混床可以深度去除RO纯水中尚存的微量离子，从而有效提高了超纯水的质量。
附图说明
[0023]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0024]图1为本专利技术实施例提供的掩模版清洗用超纯水系统示意图。
具体实施方式
[0025]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0026]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0027]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0028]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0029]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0030]需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩模版清洗用超纯水系统，其特征在于，包括通过连接管依次连接的一级EDI后的蓄水箱、二级EDI泵、前置过滤器、二级EDI、紫外线杀菌灯、变频恒压供水泵、抛光混床、后置过滤器以及供水点。2.根据权利要求1所述的掩模版清洗用超纯水系统，其特征在于，所述掩模版清洗用超纯水系统还包括PFA换热器、恒温冷水机以及流量控制器；所述PFA换热器的一端接超纯水，另一端与所述恒温冷水机连通，且所述PFA换热器通过连接管与供水点上的自动后处理机连接；所述流量控制器的一端与所述恒温冷水机的回水端连接，另一端与所述PFA换热器连接。3.根据权利要求2所述的掩模版清洗用超纯水系统，其特征在于，所述掩模版清洗用超纯水系统还包括温度传感器，所述温度传感器设置在所述PFA换热器与所述自动后处理机之间。4.根据权利要求1所述的掩模版清洗用超纯水系统，其特征在于，所述掩模版清洗用超纯水系统还包括压力传感器，所述压力传感器设置在所述一级EDI后的蓄水箱上的供水管的末端。5.根据权利要求4所述的掩模版清洗用超纯水系统，其特征在于，所述掩模版清洗用超纯水系统还包括第一泄压阀和第二泄压阀；所述第一泄压阀设置在所述压力传感器与所述一级EDI后的蓄水箱之间的连接管上，所述第二泄压阀设置在所述紫外线杀菌灯与所述一级EDI后的蓄水箱之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄执祥，侯广杰，郑巍峰，
申请(专利权)人：深圳市龙图光电有限公司，
类型：发明
国别省市：