半导体结构及其制作方法以及DRAM技术

本发明专利技术提供的一种半导体结构及其制作方法以及使用该半导体结构的DRAM，涉及电子技术领域，包括半导体衬底；设置在所述半导体衬底上的多个下电极，多个所述下电极分布为多排结构，且相邻排的所述下电极相互交错排布；至少一层支撑件，所述支撑件具有椭圆形开口。在上述技术方案中，将支撑图案的具体结构设置为椭圆形以后，支撑图案与相邻的多个下电极连接并形成支撑固定时，便能够增加下电极之间的当前路径，有效的提高漏电路径的长度，解决因漏电路径短而发生的漏电问题。路径短而发生的漏电问题。路径短而发生的漏电问题。

Semiconductor structure and its manufacturing method and DRAM

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制作方法以及DRAM


[0001]本专利技术涉及电子
，尤其是涉及一种半导体结构及其制作方法以及DRAM。

技术介绍

[0002]下电极通常用于集成电路中，缩减下电极的横向尺寸，从而节省有价值的电子基板面，是电子技术所追求的方向。
[0003]但是，随着元器件尺寸的缩小，下电极制备的工艺难度逐渐增加，而且随着下电极的横向尺寸减小，下电极的下电极也容易发生漏电的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种半导体结构及其制作方法以及DRAM，以解决现有技术中下电极的下电极发生漏电的技术问题。
[0005]本专利技术提供的一种半导体结构，包括：
[0006]半导体衬底；
[0007]设置在所述半导体衬底上的多个下电极，多个所述下电极分布为多排结构，且相邻排的所述下电极相互交错排布；
[0008]至少一层支撑件，所述支撑件具有椭圆形开口。
[0009]本专利技术还提供了一种DRAM，包括所述半导体结构；所述半导体结构为多个，多个所述半导体结构均匀排布；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：半导体衬底；设置在所述半导体衬底上的多个下电极，多个所述下电极分布为多排结构，且相邻排的所述下电极相互交错排布；至少一层支撑件，所述支撑件具有椭圆形开口。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，多个所述支撑件分布为多排结构，且相邻所述下电极均与多排所述支撑件对应连接。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，每个所述开口暴露出相邻两排的所述下电极中每一个的至少一部分，所述支撑件将被暴露出来的所述下电极的其他部分的侧壁进行支撑。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑件的开口在水平方向倾斜设置，被暴露出的相邻两排所述下电极中，每一排至少包含两个所述下电极。5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，多排所述支撑件的开口在水平方向倾斜设置，所述开口的长轴方向与所述多排结构的排列方向平行。6.根据权利要求2
‑
5中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑件形成的支撑件的层数为多层；不同层所述支撑件位于所述下电极的不同高度，和/或，不同层所述支撑件的支撑图案在所述下电极的水平方向上相互交错排布。7.根据权利要求1
‑
5中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述支撑...

【专利技术属性】
技术研发人员：张铉瑀，许民，吴容哲，李俊杰，周娜，李琳，王佳，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：